COUPLEUR DIFFERENTIEL
    32.
    发明专利

    公开(公告)号:FR2979042A1

    公开(公告)日:2013-02-15

    申请号:FR1157304

    申请日:2011-08-11

    Abstract: L'invention concerne un coupleur différentiel en lignes distribuées, comportant une première ligne conductrice (42), et deux deuxièmes lignes conductrices (44 et 46) couplées à la première, chaque deuxième ligne conductrice comportant deux tronçons conducteurs (441, 442 ; 461, 462) électriquement en série, les points milieux respectifs (443, 463) des associations en série étant destinés à être connectés à la masse.

    CIRCUIT D'ALIMENTATION CAPACITIVE
    34.
    发明专利

    公开(公告)号:FR2974255A1

    公开(公告)日:2012-10-19

    申请号:FR1153350

    申请日:2011-04-18

    Abstract: L'invention concerne un circuit d'alimentation capacitive comportant un condensateur (C1) entre un noeud commun (N) et une première (3) borne d'application d'une tension d'entrée alternative (Vac) ; un élément capacitif (C) de stockage d'énergie entre des première (1) et deuxième (2) bornes de fourniture d'une tension de sortie redressée (Vout) ; un interrupteur (Th) commandable par application d'un signal sur une borne de déclenchement, entre le noeud commun (N) et une seconde (4) borne d'application d'une tension d'entrée alternative (Vac) ; des moyens (H) de déclenchement pour fermer l'interrupteur (Th) lorsque la tension de sortie (Vout) dépasse un seuil ; et une résistance (R1) de limitation du courant d'appel, en série avec une première diode (D1), entre le noeud commun (N) et la première borne (1) de sortie.

    TRIAC QUATRE QUADRANTS
    36.
    发明专利

    公开(公告)号:FR2968835A1

    公开(公告)日:2012-06-15

    申请号:FR1060326

    申请日:2010-12-09

    Abstract: L'invention concerne un triac vertical quatre quadrants dans lequel la région de gâchette, disposée du côté d'une face avant, comprend une région d'un premier type de conductivité (27) en forme de U, la base du U étant adossée à un côté de la structure, la région principale du deuxième type de conductivité de face avant (25) s étendant en face de la région de gâchette et étant encadrée de parties (21, 22) de la région principale du premier type de conductivité de face avant.

    DISPOSITIF ACOUSTIQUE D'ISOLATION GALVANIQUE

    公开(公告)号:FR2965991A1

    公开(公告)日:2012-04-13

    申请号:FR1058294

    申请日:2010-10-12

    Abstract: L'invention concerne un transducteur électro-acoustique comprenant une première électrode (16) formée sur un substrat (10) apte à transmettre les ultrasons, une membrane (18) formée au dessus de la première électrode (16) et séparée de celle-ci par une cavité (20), une deuxième électrode (23) formée sur la membrane (18), une première couche isolante (30) sur la deuxième électrode (23), et une troisième électrode (28) formée sur la première couche isolante (30).

    ARCHITECTURE DE COUPLAGE MULTI-BANDE

    公开(公告)号:FR2965113A1

    公开(公告)日:2012-03-23

    申请号:FR1057448

    申请日:2010-09-17

    Abstract: L'invention concerne un circuit de couplage multi-bande , comportant : un nombre (n) de voies égal au nombre de bande de fréquences, chaque voie ayant une première borne (IN ) et une deuxième borne (OUT ) ; une troisième borne (CPLD) et une quatrième borne (ISO) ; un nombre (n) de coupleurs (31 ) en lignes distribuées égal au nombre de voies, tous les coupleurs étant identiques et dimensionnés en fonction de la bande de fréquences la plus élevée, et chaque coupleur comportant une première ligne conductrice entre des premier et deuxième ports (IN , OUT ) reliés aux première et deuxième bornes de la voie concernée, et une deuxième ligne conductrice couplée à la première entre des troisième et quatrième ports (CPLD , ISO ) ; un premier ensemble d'atténuateurs (5) entre les troisièmes ports (CPLD ) des coupleurs et la troisième borne du circuit ; et un réseau de filtres (48 , 49 ) entre les quatrièmes ports (ISO ) des coupleurs et la quatrième borne du circuit.

    COMPOSANT DE PROTECTION BIDIRECTIONNEL

    公开(公告)号:FR2960097A1

    公开(公告)日:2011-11-18

    申请号:FR1053680

    申请日:2010-05-11

    Abstract: L'invention concerne un composant de protection bidirectionnel formé dans un substrat semiconducteur (21) d'un premier type de conductivité comprenant une première zone (22) implantée du premier type de conductivité, une couche épitaxiée (23) du deuxième type de conductivité sur le substrat et la première zone implantée, une deuxième zone (24) du premier type de conductivité sur la face extérieure de la couche épitaxiée, en regard de la première zone, et implantée selon la même dose que la première zone, une première métallisation (26) recouvrant toute la face inférieure du substrat, et une deuxième métallisation (25) recouvrant la deuxième zone.

Patent Agency Ranking