-
公开(公告)号：CN110337508B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880014267.2
申请日：2018-12-19
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的Cu‑Ga合金溅射靶具有如下组成：作为金属成分，以20原子％以上且45原子％以下的范围含有Ga，进一步以合计0.1原子％以上且2原子％以下的范围含有K及Na，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，在Cu‑Ga合金的母相中分散有包含Na、K及F的复合氟化物，所述复合氟化物的内切圆的最大直径为30μm以下，在将所述复合氟化物中的Na的原子比设为[Na]且将所述复合氟化物中的K的原子比设为[K]的情况下，[Na]/([Na]+[K])在0.3以上且0.9以下的范围内。
-
公开(公告)号：CN105525262B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201510655265.X
申请日：2015-10-12
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种溅射靶及层叠膜，本发明的溅射靶包含30质量％以上且50质量％以下的Zn、5质量％以上且15质量％以下的Ni、2质量％以上且10质量％以下的Mn，还包含共计0.001质量％以上且0.2质量％以下的选自Fe、Sn、Sb的一种或两种以上的元素，剩余部分由Cu和不可避免杂质构成。
-
公开(公告)号：CN107923034A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680048552.7
申请日：2016-08-03
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , C25C7/02 , C25C1/12 , C22C9/01 , C22C9/10 , C22F1/08 , C22B15/14 , C22C9/06 , C22C9/08 , C22F1/00
Abstract: 本发明提供一种高纯度铜溅射靶材。本发明的高纯度铜溅射靶材的特征在于，除了O、H、N、C以外的Cu的纯度被设为99.99998质量％以上，Al的含量被设为0.005质量ppm以下，Si的含量被设为0.05质量ppm以下，Fe的含量被设为0.02质量ppm以下，S的含量被设为0.03质量ppm以下，Cl的含量被设为0.1质量ppm以下，O的含量被设为1质量ppm以下，H的含量被设为1质量ppm以下，N的含量被设为1质量ppm以下，C的含量被设为1质量ppm以下。
-
公开(公告)号：CN105358733B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201480038680.4
申请日：2014-07-25
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/16 , B22F5/00 , B22F2201/01 , B22F2301/10 , B22F2302/45 , B22F2303/01 , B22F2303/15 , B22F2304/10 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C22C32/00 , C23C14/14 , H01J37/3429
Abstract: 本发明提供一种能够进一步降低氧含量，并且能够抑制异常放电的Cu‑Ga烧成体的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶由具有如下组织和如下成分组成的烧成体构成，所述组织为在具有Cu‑Ga合金的γ相及ζ相的基体中分散Na化合物相，所述成分组成为含有20原子％以上且30原子％以下的Ga，含有0.05～10原子％的Na，Na以NaF、Na2S、Na2Se、Na3AlF6中至少一种状态含有，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，所述不可避免的杂质包含Na化合物中的Na以外的元素，并且由通过X射线衍射观察到CuGa的归属于γ相的衍射峰与归属于ζ相的衍射峰，所述γ相的平均粒径为100μm以下，所述Na化合物相的平均粒径为8.5μm以下。
-
公开(公告)号：CN103993272B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201310545415.2
申请日：2013-11-06
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01J37/3426 , H05K1/09 , H05K3/022 , H05K3/06 , H05K2201/0317 , H05K2201/0338 , Y10T428/1291
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用溅射靶及层叠配线膜。本发明的保护膜形成用溅射靶在Cu配线膜的单面或两面上形成保护膜时使用，其中，Al为8.0质量%以上11.0质量%以下、Fe为3.0质量%以上5.0质量%以下、Ni为0.5质量%以上2.0质量%以下、Mn为0.5质量%以上2.0质量%以下，余量由Cu和不可避免杂质构成。并且，本发明的层叠配线膜（10）具备Cu配线膜（11）及形成于该Cu配线膜（11）的单面或两面上的保护膜（12），保护膜（12）利用上述保护膜形成用溅射靶来形成。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105358733A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201480038680.4
申请日：2014-07-25
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/16 , B22F5/00 , B22F2201/01 , B22F2301/10 , B22F2302/45 , B22F2303/01 , B22F2303/15 , B22F2304/10 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C22C32/00 , C23C14/14 , H01J37/3429
Abstract: 本发明提供一种能够进一步降低氧含量，并且能够抑制异常放电的Cu-Ga烧成体的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶由具有如下组织和如下成分组成的烧成体构成，所述组织为在具有Cu-Ga合金的γ相及ζ相的基体中分散Na化合物相，所述成分组成为含有20原子％以上且小于30原子％的Ga，含有0.05～10原子％的Na，Na以NaF、Na2S、Na2Se、Na3AlF6中至少一种状态含有，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，所述不可避免的杂质包含Na化合物中的Na以外的元素，并且由通过X射线衍射观察到CuGa的归属于γ相的衍射峰与归属于ζ相的衍射峰，所述γ相的平均粒径为100μm以下，所述Na化合物相的平均粒径为8.5μm以下。
-
公开(公告)号：CN104109837A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410151582.3
申请日：2014-04-15
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: B32B15/01 , C22C9/04 , C22C18/02 , C22C30/02 , C22C30/06 , C23C14/3414 , H01J37/3429 , Y10T428/12778
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用溅射靶及层叠配线膜。所述保护膜形成用溅射靶，其在Cu配线膜（11）的单面或双面形成保护膜（12）时使用，其中，包括：5.0质量%以上15.0质量%以下的Ni；2.0质量%以上10.0质量%以下的Mn；30.0质量%以上50.0质量%以下的Zn；0.5质量%以上7.0质量%以下的Al；余量为Cu及不可避免的杂质。并且，所述层叠配线膜（10），其具备Cu配线膜（11）及形成于该Cu配线膜（11）的单面或双面的保护膜（12），其中，保护膜（12）利用上述保护膜形成用溅射靶形成。
-
公开(公告)号：CN103993272A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201310545415.2
申请日：2013-11-06
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01J37/3426 , H05K1/09 , H05K3/022 , H05K3/06 , H05K2201/0317 , H05K2201/0338 , Y10T428/1291
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用溅射靶及层叠配线膜。本发明的保护膜形成用溅射靶在Cu配线膜的单面或两面上形成保护膜时使用，其中，Al为8.0质量%以上11.0质量%以下、Fe为3.0质量%以上5.0质量%以下、Ni为0.5质量%以上2.0质量%以下、Mn为0.5质量%以上2.0质量%以下，余量由Cu和不可避免杂质构成。并且，本发明的层叠配线膜（10）具备Cu配线膜（11）及形成于该Cu配线膜（11）的单面或两面上的保护膜（12），保护膜（12）利用上述保护膜形成用溅射靶来形成。
-
公开(公告)号：CN103258725A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310042051.6
申请日：2013-02-01
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 森晓
IPC: H01L21/285 , H01L29/43
CPC classification number: H01L21/76861 , H01L21/32051 , H01L23/52 , H01L23/53233 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种薄膜配线形成方法及薄膜配线，本发明的薄膜配线形成方法，使用具有Ca为0.5at%以上且不到5at%、剩余部分为Cu及不可避免杂质的组成的Cu-Ca合金靶以溅射法形成Cu-Ca合金膜之后，在氧气分压为10-4～10-10气压的含微量氧的惰性气体气氛中，以300～700℃对所述合金膜进行热处理，所述薄膜配线通过该方法形成。
-
公开(公告)号：CN102197488A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980141877.X
申请日：2009-09-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/458 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管，其在阻挡膜与电极膜之间具有密合强化膜，密合强化膜由（a）形成于电极膜侧的纯铜化区域、以及（b）形成于与阻挡膜的界面部且构成成分由Cu、Ca、氧和Si构成的成分凝集区域这两个区域构成，在成分凝集区域的厚度方向的Ca和氧的浓度分布中，Ca和氧的含量波峰的最高含量分别为Ca：5～20原子％、和氧：30～50原子％。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
41
records
(took 0.042 seconds)
