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公开(公告)号：CN117157738A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202280025070.5
申请日：2022-03-24
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种层叠体，其具有：半导体基板、透光性的支承基板、以及设于所述半导体基板与所述支承基板之间的粘接层和剥离层，所述层叠体用于：在所述剥离层吸收了从所述支承基板侧照射的光后所述半导体基板与所述支承基板剥离，所述剥离层是由剥离剂组合物形成的层，所述剥离剂组合物含有具有第一结构和作为第二结构的硅氧烷结构的化合物，所述第一结构是吸收所述光的结构，通过吸收所述光而有助于所述半导体基板与所述支承基板变得容易剥离，并且具有构成π电子共轭体系的两个以上芳香族环。
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公开(公告)号：CN117120573A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202280024274.7
申请日：2022-03-01
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09J183/07
Abstract: 本发明提供一种粘接剂组合物，该粘接剂组合物提供粘接层，该粘接层能够适当地临时粘接带凸块的半导体基板和支承基板，能抑制或缓和由加热等来自外部的负荷引起的凸块变形，表现高蚀刻速率。一种粘接剂组合物，包含粘接剂成分(S)，上述粘接剂成分(S)含有通过氢化硅烷化反应而固化的聚有机硅氧烷成分(A)，上述聚有机硅氧烷成分(A)含有下述式(V)所示、重均分子量为60000以上的聚合物(V)。(n表示重复单元的数量，为正整数。)
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公开(公告)号：CN113165344B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201980077764.1
申请日：2019-11-26
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: B32B27/00 , C09J11/06 , C09J183/04 , C09J183/05 , C09J183/07 , H01L21/02 , H01L21/304 , B32B7/12
Abstract: 本发明涉及一种粘接剂组合物，其用于在由半导体形成基板构成的第一基体与由支承基板构成的第二基体之间形成以能剥离的方式粘接的粘接层，所述粘接剂组合物包含：成分(A)，通过氢化硅烷化反应而固化；以及剥离成分(B)，含有包含环氧改性聚有机硅氧烷的成分，所述成分(A)包含聚硅氧烷(A1)和铂族金属系催化剂(A2)，所述聚硅氧烷(A1)包含SiO2所示的硅氧烷单元(Q单元)等，所述聚硅氧烷(A1)包含聚有机硅氧烷(a1)和聚有机硅氧烷(a2)，所述聚有机硅氧烷(a1)包含SiO2所示的硅氧烷单元(Q’单元)等，所述聚有机硅氧烷(a2)包含SiO2所示的硅氧烷单元(Q”单元)等，并且官能团(Si－H)的量为5.0mol/kg以上。
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公开(公告)号：CN109417026B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201780038781.5
申请日：2017-06-13
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J5/06 , C09J11/06 , C09J183/04 , C09J183/05
Abstract: 本发明的课题是提供在晶片的背面研磨后可以容易地剥离，耐热性、洗涤除去性容易的粘接剂。解决手段是一种粘接剂，是用于在支持体与晶片的电路面之间可剥离地粘接从而对晶片的背面进行加工的粘接剂，通过从支持体侧或晶片侧进行加热而该粘接剂固化，从而能够选择粘接层的剥离时的剥离面。上述粘接剂包含：通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)、和包含聚二甲基硅氧烷的成分(B)。成分(B)为具有1100mm2/s～2000000mm2/s的粘度的聚二甲基硅氧烷。一种叠层体的形成方法，将在第一基体的表面涂布粘接剂而成的粘接层与第二基体的表面接合，从第一基体侧进行加热。一种剥离方法，将在第一基体的表面涂布粘接剂而成的粘接层与第二基体的表面接合，从第一基体侧进行加热从而固化而形成叠层体，然后对叠层体进行加工，在第一基体与粘接层之间发生剥离。
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公开(公告)号：CN115315789A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180023491.X
申请日：2021-03-22
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/24
Abstract: 本发明提供一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物来剥离半导体基板上的粘接层的工序，所述剥离用组合物包含溶剂，不包含盐，所述溶剂包含80质量％以上的式(L)所示的有机溶剂。(式中，L表示取代至苯环上的取代基，分别独立地表示碳原子数1～4的烷基，k表示L的数量，为0～5的整数。)
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115315788A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180023490.5
申请日：2021-03-22
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/26 , C11D7/34
Abstract: 一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物剥离半导体基板上的粘接层的工序，上述剥离用组合物包含溶剂且不含盐，上述溶剂包含80质量％以上的式(L)所表示的有机溶剂。(式中，L1和L2分别独立地表示碳原子数2～4的烷基，L3表示O或S。)L1‑L3‑L2 (L)。
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公开(公告)号：CN114867810A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202080089720.3
申请日：2020-12-15
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09J201/00 , C09J11/08 , C09J183/04 , C09J183/05 , C09J183/07 , H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及一种粘接剂组合物，其包含粘接剂成分(S)；以及剥离成分(H)，由复数粘度为3400(Pa·s)以上的聚有机硅氧烷构成。
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公开(公告)号：CN114730709A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080079477.7
申请日：2020-11-16
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种清洗剂组合物，其特征在于，所述清洗剂组合物用于去除粘接剂残留物，所述清洗剂组合物含有季铵盐和溶剂，所述溶剂含有第一有机溶剂和第二有机溶剂，所述第一有机溶剂是式(Z)所示的酰胺衍生物，所述第二有机溶剂是与所述酰胺衍生物不同的其他有机溶剂，所述清洗剂组合物的含水量小于4.0质量％。(式中，R0表示乙基、丙基或异丙基，RA和RB相互独立地表示碳原子数1～4的烷基。)。
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公开(公告)号：CN113169035A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980075273.3
申请日：2019-11-14
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/02 , B32B27/00 , C09J5/00 , C09J5/04 , C09J5/06 , C09J183/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种层叠体的剥离方法，其中，包括：第一工序，在将由半导体形成基板构成的第一基体(11)与由使红外线激光透射的支承基板构成的第二基体(12)隔着设于所述第一基体侧的第一粘接层(13)和设于所述第二基体(12)侧的第二粘接层(14)进行接合而制成层叠体(10)时，将所述第一粘接层(13)设为使含有通过氢化硅烷化反应而固化的成分的粘接剂(A)固化而得到的粘接层，将所述第二粘接层(14)设为使用作为主链和侧链的至少一方具有芳香环的高分子系粘接剂的粘接剂(B)而得到的、使所述红外线激光透射的粘接层；以及第二工序，从所述层叠体的所述第二基体侧照射所述红外线激光，在所述第一粘接层与所述第二粘接层之间进行剥离。
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公开(公告)号：CN109417026A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780038781.5
申请日：2017-06-13
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J5/06 , C09J11/06 , C09J183/04 , C09J183/05
Abstract: 本发明的课题是提供在晶片的背面研磨后可以容易地剥离，耐热性、洗涤除去性容易的粘接剂。解决手段是一种粘接剂，是用于在支持体与晶片的电路面之间可剥离地粘接从而对晶片的背面进行加工的粘接剂，通过从支持体侧或晶片侧进行加热而该粘接剂固化，从而能够选择粘接层的剥离时的剥离面。上述粘接剂包含：通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)、和包含聚二甲基硅氧烷的成分(B)。成分(B)为具有1100mm2/s～2000000mm2/s的粘度的聚二甲基硅氧烷。一种叠层体的形成方法，将在第一基体的表面涂布粘接剂而成的粘接层与第二基体的表面接合，从第一基体侧进行加热。一种剥离方法，将在第一基体的表面涂布粘接剂而成的粘接层与第二基体的表面接合，从第一基体侧进行加热从而固化而形成叠层体，然后对叠层体进行加工，在第一基体与粘接层之间发生剥离。
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