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公开(公告)号：CN1237274A
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：CN97199604.0
申请日：1997-10-08
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L23/12 , C09J163/00
CPC classification number: H01L23/49827 , C09J163/00 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/50 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83192 , H01L2224/83856 , H01L2224/92247 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/12044 , H01L2924/15159 , H01L2924/15184 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , Y10T428/28 , Y10T428/2848 , Y10T428/2852 , Y10T428/287 , Y10T428/31511 , Y10T428/31515 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明以提高半导体装置装配后的耐温度循环性,同时提高耐吸湿回流性为目的,提供一种粘合剂、使用该粘合剂的双面粘合膜、半导体装置、半导体芯片装载用基板和它们的制造方法,所说的粘合剂是在把半导体芯片装载到有机系支持基板上时使用的粘合剂,其用动态粘弹性测定装置测定的25℃的储存弹性模量为10－2000MPa且在260℃时的储存弹性模量为3－50MPa。
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公开(公告)号：CN101362926B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN200810165821.5
申请日：2004-06-04
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/78 , H01L21/301 , C09J7/02 , C09J163/00 , C09J133/04 , H01L21/00 , H01L21/58
CPC classification number: H01L24/27 , H01L2221/68336 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/83191 , H01L2224/94 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/27
Abstract: 本发明提供一种粘合片，使其能在100℃或以下的低温下粘贴到晶片上、具有能在室温下进行处理的柔韧度、而且能在通常的切断条件下与晶片同时切断；本发明还提供所述粘合片与切割胶带层压形成的与切割胶带一体化的粘合片，以及使用这些粘合片的半导体装置的制造方法。为此，所述粘合片的特征为，其断裂强度、断裂延伸率、弹性模量分别为所规定的特定数值范围内。
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公开(公告)号：CN102192921A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110047399.5
申请日：2011-02-24
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: G01N25/00 , H01L23/544 , H01L23/58
CPC classification number: H01L25/0657 , G01R31/2874 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L24/48 , H01L25/50 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06596 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供评价半导体芯片的技术。具体而言，本发明提供评价用半导体芯片、评价系统及其修复方法。半导体芯片在硅基板的一个面层叠：由多个区域构成的作为电阻测温元件的金属配线膜(101)及由一个或多个区域构成的作为加热器的金属配线膜(102)中的至少一种；以及用于将金属配线膜(101)及金属配线膜(102)与安装基板连接的电极(103)。通过将半导体芯片安装于安装基板，且将金属配线膜(101)与电流表及电压表电连接，将金属配线膜(102)与电源电连接，提供能够评价在半导体芯片的上述各区域中的测温及加热以及其温度曲线的评价系统。
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公开(公告)号：CN102176407A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110060467.1
申请日：2005-09-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: H01L24/28 , C09J7/20 , C09J2201/28 , C09J2203/326 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6839 , H01L2224/26175 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/7565 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2225/0651 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01061 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , Y10T156/1082 , Y10T156/1093 , Y10T428/1476 , Y10T428/24562 , Y10T428/2839 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明是粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明半导体装置制造方法包括：贴合步骤，对于依次层叠剥离基材、粘接层、粘着层及基材薄膜构成的、粘接层有规定的第1平面形状且部分性形成于剥离基材上、粘着层层叠为覆盖粘接层且于其周围与剥离基材接触的粘接片，剥下由粘接层、粘着层及基材薄膜所成的层叠体，隔着粘接层贴于半导体晶片，得到附层叠体半导体晶片；切割步骤，切割附层叠体半导体晶片，得到规定尺寸附层叠体半导体元件；剥离步骤，以高能量射线照射粘着层，使其粘着力降低后，剥离粘着层及基材薄膜，得到附粘接层半导体元件；粘接步骤，将附粘接层半导体元件，隔着粘接层粘接于半导体元件搭载用支持部件。
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公开(公告)号：CN102169817A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110060486.4
申请日：2005-09-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: H01L24/28 , C09J7/20 , C09J2201/28 , C09J2203/326 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6839 , H01L2224/26175 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/7565 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2225/0651 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01061 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , Y10T156/1082 , Y10T156/1093 , Y10T428/1476 , Y10T428/24562 , Y10T428/2839 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明是粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明的附有层叠体的半导体晶片的制造方法包括：从具备剥离基材、基材薄膜和配置于所述剥离基材与所述基材薄膜之间的粘接着层的粘接片上剥离所述剥离基材，得到由所述基材薄膜及所述粘接着层所成的层叠体的剥离步骤；以及，将所述层叠体的所述粘接着层贴合于半导体晶片的贴合步骤；所述剥离基材上，由所述粘接着层侧的面形成有环状的切入部分；所述粘接着层为，按覆盖所述剥离基材的所述切入部分的内侧面整体来层叠；所述切入部分的切入深度为小于所述剥离基材的厚度，且为25μm以下；所述层叠体向所述半导体晶片的贴合以自动化的工序连续进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100554359C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200510083610.3
申请日：2001-02-15
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09J163/00 , C09J7/02 , H01L21/60
Abstract: 一种粘接剂组合物及其制造方法，该组合物由环氧树脂(a)、固化剂(b)、以及与环氧树脂为非相溶的高分子化合物(c)所组成，必要时还包括填充剂(d)或/和固化促进剂(e)；其制造方法为：先混合环氧树脂(a)以及固化剂(b)与填充剂(d)，再混合与环氧树脂系为非相溶的高分子化合物(c)于该混合物。本发明还涉及将上述粘接剂组合物制成薄膜状而形成的粘接薄膜、于电路基板的芯片装载面设置有该粘接薄膜的半导体装载用基板、以及使用该粘接薄膜或半导体装载用基板的半导体装置。
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公开(公告)号：CN101392159A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810165822.X
申请日：2004-06-04
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/04 , C09J163/00 , H01L21/00 , H01L21/58 , H01L21/78 , H01L21/301
CPC classification number: H01L24/27 , H01L2221/68336 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/83191 , H01L2224/94 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/27
Abstract: 本发明提供一种粘合片，使其能在100℃或以下的低温下粘贴到晶片上、具有能在室温下进行处理的柔韧度、而且能在通常的切断条件下与晶片同时切断；本发明还提供所述粘合片与切割胶带层压形成的与切割胶带一体化的粘合片，以及使用这些粘合片的半导体装置的制造方法。为此，所述粘合片的特征为，其断裂强度、断裂延伸率、弹性模量分别为所规定的特定数值范围内。
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公开(公告)号：CN100463115C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200580015896.X
申请日：2005-05-17
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J4/00 , C09J7/02 , C09J133/14 , C09J163/00 , H01L21/52
CPC classification number: H01L24/29 , C08G59/18 , C08L63/00 , C08L2666/02 , C08L2666/22 , C09J7/22 , C09J7/35 , C09J133/068 , C09J133/14 , C09J163/00 , C09J2203/326 , C09J2461/00 , C09J2463/00 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/92247 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01066 , H01L2924/01072 , H01L2924/01077 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , Y10T428/28 , Y10T428/2809 , Y10T428/287 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
Abstract: 一种粘接接合片，其是具有光透过性支撑基材与粘接接合层的，用于切割工序及半导体元件粘接工序双方的粘接接合片，所述粘接接合层包括：(A)含有官能团的重均分子量为10万以上的高分子量成分；(B)环氧树脂；(C)酚系环氧树脂固化剂；(D)通过照射紫外线得到的固化物的Tg为250℃以上的光反应性单体；以及(E)通过照射波长200～450nm的紫外线而产生碱及自由基的光引发剂。
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公开(公告)号：CN1954411A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200580015896.X
申请日：2005-05-17
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J4/00 , C09J7/02 , C09J133/14 , C09J163/00 , H01L21/52
CPC classification number: H01L24/29 , C08G59/18 , C08L63/00 , C08L2666/02 , C08L2666/22 , C09J7/22 , C09J7/35 , C09J133/068 , C09J133/14 , C09J163/00 , C09J2203/326 , C09J2461/00 , C09J2463/00 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/92247 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01066 , H01L2924/01072 , H01L2924/01077 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , Y10T428/28 , Y10T428/2809 , Y10T428/287 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
Abstract: 一种粘接接合片，其是具有光透过性支撑基材与粘接接合层的，用于切割工序及半导体元件粘接工序双方的粘接接合片，所述粘接接合层包括：(A)含有官能团的重均分子量为10万以上的高分子量成分；(B)环氧树脂；(C)酚系环氧树脂固化剂；(D)通过照射紫外线得到的固化物的Tg为250℃以上的光反应性单体；以及(E)通过照射波长200～450nm的紫外线而产生碱及自由基的光引发剂。
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公开(公告)号：CN1212657C
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN02157498.7
申请日：1997-11-04
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: H05K1/0271 , H01L21/563 , H01L23/145 , H01L23/5383 , H01L2224/16225 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/83851 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/07811 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H05K3/323 , H05K3/4626 , H05K3/4652 , H05K3/4655 , H05K2201/0133 , H05K2201/068 , H05K2201/10674 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 在把半导体芯片10装配到装配基板20上的装置中，对玻璃环氧树脂两面贴铜层压板21的表面，施行电路加工32和内层粘接处理，接着，把带铜箔的环氧树脂粘接膜冲压叠层粘接到上述内层电路表面上，在它上面开贯通孔，施行无电解镀铜，用去掉(subtract)法进行的外层电路加工31和33，及涂敷焊锡，得到装配基板20。用粘接剂膜40把半导体芯片的突出电极11和装配基板连接起来。其中在与粘接后的阶段相当的硬化后的40℃下，粘接剂的存储弹性模量为100～4000MPa。
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