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公开(公告)号：CN114175249A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080054266.8
申请日：2020-07-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/11519 , G11C11/40 , H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 提供一种可靠性高的存储装置。延伸在第一方向上的第一导电体的侧面从第一导电体一侧看时依次设置有第一绝缘体、第一半导体、第二绝缘体、第二半导体以及第三绝缘体。第一导电体具有隔着第一绝缘体、第一半导体、第二绝缘体、第二半导体及第三绝缘体与第二导电体重叠的第一区域、以及隔着第一绝缘体、第一半导体、第二绝缘体、第二半导体及第三绝缘体与第三导电体重叠的第二区域。在第二区域中，包括第一绝缘体和第一半导体之间的第四导电体。
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公开(公告)号：CN114127932A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202080047776.2
申请日：2020-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L29/786
Abstract: 提供一种能够微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括配置于衬底上的第一导电体、以与第一导电体的顶面接触的方式配置的氧化物、配置于氧化物上的第二导电体、第三导电体及第四导电体、配置于第二导电体至第四导电体上且形成有第一开口及第二开口的第一绝缘体、配置于第一开口中的第二绝缘体、配置于第二绝缘体上的第五导电体、配置于第二开口中的第三绝缘体、配置于第三绝缘体上的第六导电体，第三导电体以配置于第一导电体的方式配置，在第二导电体与第三导电体之间的区域重叠第一开口，在第三导电体与第四导电体之间的区域重叠形成第二开口。
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公开(公告)号：CN113196606A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980082076.4
申请日：2019-12-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 二次电池随着反复充放电而发生劣化，这导致电池电压及电池容量的下降。防止二次电池由于劣化而以过度充电电流值被充电，并使二次电池长寿命化。通过考虑二次电池的劣化度控制充电来使二次电池长寿命化。在对二次电池进行充电时，由充电控制电路控制预定电流值，并且保护电路所包括的充电电流控制电路(具体而言，包括误差放大器的电路)决定流过二次电池的电流值。就是说，流过二次电池的电流值由充电控制电路和保护电路的一部分的充电电流控制电路的双方控制。
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公开(公告)号：CN112868154A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201980069247.X
申请日：2019-11-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种新颖的结构的电池保护电路及具有该电池保护电路的蓄电装置。电池保护电路包括用来控制电池单元的充放电的开关电路，开关电路包括机械继电器、第一晶体管及第二晶体管，开关电路具有控制第一端子与第二端子之间的电连接的功能，机械继电器具有遮断第一端子与第二端子之间的电连接的功能，第一晶体管具有使第一电流流过第一端子与第二端子之间的功能，第二晶体管具有使第二电流流过第一端子与第二端子之间的功能，第一电流比第二电流大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112385113A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201980042318.7
申请日：2019-07-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H02J7/10 , G01R31/374 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L29/786 , H01M10/44 , H01M10/48
Abstract: 提供一种实现不容易发生蓄电装置的劣化的充电的半导体装置。根据环境温度调整充电电流的大小。在低温环境下以充电电流较小的方式进行充电。在环境温度过低或过高时停止充电。在环境温度的测定中，使用包括氧化物半导体的存储元件。通过使用包括氧化物半导体的存储元件，同时进行环境温度的测定和该温度信息的保持。
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公开(公告)号：CN1870261B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN200610087838.4
申请日：2006-05-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 松嵜隆德
IPC: H01L23/522 , H01L21/768 , G06K19/07
CPC classification number: H01L23/5225 , H01L23/552 , H01L27/124 , H01L27/13 , H01L29/78624 , H01L29/78633 , H01L2223/6677 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种用来以低成本和高成品率制造性能和可靠性更高的半导体器件的方法。本发明的半导体器件具有第一绝缘层上的第一导电层；第一导电层上的第二绝缘层，此第二绝缘层包括延伸到第一导电层的开口；以及形成在第二绝缘层上用来将集成电路部分电连接到天线的信号布线层，和邻近信号布线层的第二导电层。第二导电层通过开口与第一导电层相接触，且第一导电层重叠信号布线层，以第二绝缘层插入其间。
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公开(公告)号：CN102750565A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210097659.4
申请日：2006-05-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , G06K19/0723 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/13 , H01L29/41733
Abstract: 本发明的目的是防止在能够进行无线数据通信的半导体器件中由于脉冲宽度差导致的错误或故障如不响应。在半导体器件中，电平转移电路被提供于数据解调电路和每一个电路块之间，在该电路块中，从数据解调电路输出解调信号。以这种方式，解调信号的电压幅度几乎与自每一电路块的输出信号的电压幅度相等。因此，解调信号的脉冲宽度几乎与每一电路块中的信号的脉冲宽度相等，或者解调信号的脉冲宽度几乎与自每一电路块的输出信号的脉冲宽度相等。因此，可以防止由于脉冲宽度差导致的错误或故障如不响应。
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公开(公告)号：CN101174823B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200710185007.5
申请日：2007-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 松嵜隆德
IPC: H03K3/011 , H03K3/03 , H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H03K3/011 , H03K3/0315 , H03K5/133 , H03K2005/00039 , H03K2005/0013
Abstract: 本发明提供一种振荡电路，该振荡电路抑制对电源电压的变化等导致的振荡频率的变化，且输出更稳定的频率。在本发明中，通过振荡电路输出稳定的频率，该振荡电路包括：电连接在第一端子和第二端子之间的恒流电路；根据电源电压端子之间的电位差，改变振荡频率的电压控制振荡电路；n沟道型晶体管；通过恒流电路，使栅源之间的电压为恒定的p沟道型晶体管；以及电容，其中，p沟道型晶体管的源电极连接到第一端子，漏电极连接到n沟道型晶体管的漏电极及栅电极，且n沟道型晶体管的源电极连接到第二端子，栅电极通过电容电连接到第二端子。此外，n沟道型晶体管的栅电极相当于电压控制振荡电路的输入电压端子，第一端子和第二端子相当于电压控制振荡电路的电源电压端子。
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公开(公告)号：CN100580935C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200410076946.2
申请日：2004-09-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H02M7/217
Abstract: 通过在绝缘基片上形成的薄膜晶体管，利用运算放大器和二极管的常规结构构成的整流电路，由于运算放大器的低稳定性和低高频性能，不能展示出整流电路的特性。因此，为了整流高频信号，整流电路需要使用绝缘基片外部的IC来构成。根据本发明，放大电路和波形整形电路由薄膜晶体管构成，非整流信号由其信号来切换，因而，能够实现具有卓越高频特性的整流电路。
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