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公开(公告)号：CN117790311A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311249308.5
申请日：2023-09-26
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/06 , H01L27/12 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法。本发明的课题在于提供可靠性及迁移率高的半导体器件。半导体器件包括：在基板之上将以铝作为主成分的第1金属氧化物膜成膜；在第1金属氧化物膜之上，在氧分压为3％以上5％以下的条件下，将无定形的氧化物半导体膜成膜；将氧化物半导体膜加工为图案状的氧化物半导体层；通过对图案状的氧化物半导体层进行第1加热处理，从而使氧化物半导体层结晶化；将经结晶化的氧化物半导体层作为掩模，对第1金属氧化物膜进行加工；在氧化物半导体层之上将栅极绝缘膜成膜；在栅极绝缘膜之上形成栅电极，其中，氧化物半导体膜的膜厚大于10nm且为30nm以下。
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公开(公告)号：CN116868350A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202180094159.2
申请日：2021-12-22
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786
Abstract: 显示装置的半导体器件包括：绝缘表面上的第一导电层；第一导电层上的第一绝缘层；第一绝缘层上的氧化物半导体层；氧化物半导体层上的第二导电层；和氧化物半导体层上的第三导电层，氧化物半导体层包括：第一区域；与第二导电层相接的第二区域；与第三导电层相接的第三区域；与第二导电层相接的、第一区域与第二区域之间的第一杂质区域；和与第三导电层相接的、第一区域与第三区域之间的第二杂质区域，第一杂质区域和第二杂质区域各自的电导率大于第二区域和第三区域各自的电导率。
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公开(公告)号：CN107039533B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201710022300.3
申请日：2017-01-12
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786
Abstract: 本实施方式提供一种半导体装置，具备：绝缘基板；位于所述绝缘基板的上方的硅制的第一半导体层；位于比所述第一半导体层靠上方的位置的金属氧化物制的第二半导体层；位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的硅氮化物制的第一绝缘膜；以及位于所述第一绝缘膜与所述第二半导体层之间、且与所述第一绝缘膜相比氢的扩散性更低的阻挡层。
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公开(公告)号：CN107039533A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710022300.3
申请日：2017-01-12
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786
Abstract: 本实施方式提供一种半导体装置，具备：绝缘基板；位于所述绝缘基板的上方的硅制的第一半导体层；位于比所述第一半导体层靠上方的位置的金属氧化物制的第二半导体层；位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的硅氮化物制的第一绝缘膜；以及位于所述第一绝缘膜与所述第二半导体层之间、且与所述第一绝缘膜相比氢的扩散性更低的阻挡层。
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公开(公告)号：CN119744087A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411322598.6
申请日：2024-09-23
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H10K59/121 , H10K59/131
Abstract: 本发明提供一种显示装置。提高显示装置的可靠性。显示装置包括发光元件、第1晶体管和第2晶体管，第1晶体管包括：第1栅电极，其设置在基板上；第1绝缘膜，其设置在第1栅电极上；第1氧化物半导体层，其设置在第1绝缘膜上，并具有与第1栅电极重叠的区域；第2绝缘膜，其设置在第1氧化物半导体层上；和第1导电层，其设置在第2绝缘膜上，第2晶体管包括：第1绝缘膜，其设置在基板上；第2氧化物半导体层，其设置在第1绝缘膜上；第2绝缘膜，其设置在第1氧化物半导体层及第2氧化物半导体层上，并具有比第1绝缘膜的膜厚小的膜厚；和第2栅电极，其设置在第2绝缘膜上，并具有与第2氧化物半导体层重叠的区域。
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公开(公告)号：CN119605327A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202380055651.8
申请日：2023-07-27
IPC: H10D30/67 , H01L21/20 , H01L21/203 , H10D30/01
Abstract: 氧化物半导体膜，其为设置在基板之上的包含多个晶粒的氧化物半导体膜，氧化物半导体膜包含：铟(In)；和选自由铝(Al)、镓(Ga)、钇(Y)、钪(Sc)及镧系元素组成的组中的第1金属元素，多个晶粒包含通过EBSD(电子背散射衍射)法取得的相邻的2个测定点的晶体取向差超过5°时所定义的晶界，通过EBSD法算出的KAM值的平均值为1.0°以上。通过EBSD法算出的晶界取向变化的平均值可以为40°以下。
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公开(公告)号：CN111554692B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202010082372.9
申请日：2020-02-07
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H10D86/60 , H10D86/01 , G02F1/1333 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 本发明要解决的技术问题在于，提供能够使有机平坦化膜中含有的水分减少、并且使薄膜晶体管的特性的变动减少的半导体器件和半导体器件的制造方法。本发明的半导体器件包括：形成有具有源极电极的薄膜晶体管的半导体基片；像素电极；有机平坦化膜；形成在上述有机平坦化膜上的阻挡膜；形成在上述阻挡膜上的电容绝缘膜；和贯通孔，其设置在上述有机平坦化膜、上述阻挡膜和上述电容绝缘膜中，使得上述源极电极露出。上述贯通孔具有：上述有机平坦化膜露出的第一部分；和上述有机平坦化膜不露出的第二部分。上述像素电极在上述贯通孔的内部与上述源极电极连接。
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公开(公告)号：CN119325278A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202410810371.X
申请日：2024-06-21
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及半导体器件和显示装置。课题在于改善包括氧化物半导体的半导体器件的可靠性。半导体器件包括：第一绝缘层；所述第一绝缘层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；所述氧化物半导体层之上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层之上的栅极布线；和所述栅极布线之上的第二绝缘层，所述氧化物半导体层具有朝向第一方向排列的第一区域、第二区域及第三区域，所述第一区域与所述栅极绝缘层及所述栅极布线重叠，所述第三区域与所述第二绝缘层相接，从所述第二区域的上表面到所述第二绝缘层的上表面为止的距离比从所述第三区域的上表面到所述第二绝缘层的上表面为止的距离长。
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公开(公告)号：CN119137750A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202380038114.2
申请日：2023-04-12
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明提供半导体装置(10)，其包括绝缘表面之上的包含铝的氧化金属层(130)及氧化金属层之上的氧化物半导体层(140)，氧化物半导体层包括：与氧化金属层相接的第一结晶区域(144)；和与第一结晶区域相接且在氧化物半导体层的剖视观察下具有比第一结晶区域大的面积的第二结晶区域(145)，第一结晶区域与第二结晶区域的晶体结构及晶体取向中的至少一者不同。也可以是，氧化物半导体层包含包括铟在内的两种以上的金属，在氧化物半导体层中，铟相对于两种以上的金属的比率为50％以上。
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