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公开(公告)号：KR1020120091780A
公开(公告)日：2012-08-20
申请号：KR1020110011766
申请日：2011-02-10
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: PURPOSE: A CNT(Carbon Nano-Tube) field emission electron source and a manufacturing method thereof are provided to reinforce adhesive force by forming a patterned CNT film on an electrode substrate. CONSTITUTION: A CNT film(130) is formed on a conductive substrate(110) according to an electrophoresis method. The CNT film is patterned as a predetermined shape on a photo-resist layer laminated on the conductive substrate. The CNT film is combined with a domain of the conductive substrate which is exposed according to patterning. The photo-resist layer is eliminated. A plating layer(140) is formed on a domain in which the photo-resist layer is eliminated according to an electroless plating reaction. The plating layer supports the combination of the CNT film and the conductive substrate.
Abstract translation: 目的：提供CNT（碳纳米管）场发射电子源及其制造方法，以通过在电极基板上形成图案化的CNT膜来增强粘附力。 构成：根据电泳方法在导电性基板（110）上形成CNT膜（130）。 在层叠在导电性基板上的光致抗蚀剂层上将CNT膜图案化为规定的形状。 CNT膜与根据图案化而暴露的导电基底的结构域结合。 消除光刻胶层。 根据化学镀反应在除去光致抗蚀剂层的区域上形成镀层（140）。 电镀层支持CNT膜和导电基底的组合。
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32.发明授权
公开(公告)号：KR101145743B1
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：KR1020100062026
申请日：2010-06-29
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 경희대학교 산학협력단
Abstract: 탄소나노튜브(CNT)를 이용한 전자방출원의 제조방법에 있어서, 기능화된 탄소나노튜브 현탁액을 준비하는 단계, 상기 기능화된 탄소나노튜브 현탁액을 이용하여 흑연 팁의 일단에 탄소나노튜브 막을 형성하는 단계, 상기 탄소나노튜브 막이 형성된 흑연 팁을 건조시키는 단계, 상기 건조된 흑연 팁을 열처리하는 단계
를 포함하는 전자방출원의 제조방법을 제공한다.-
公开(公告)号：KR1020100128540A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：KR1020090046984
申请日：2009-05-28
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 경희대학교 산학협력단
IPC: H01J35/06
Abstract: PURPOSE: A carbon nano tube based X-ray tube and a method for manufacturing the same are provided to obtain an electron radiating layer by forming the electron radiating layer using a carbon nano tube suspension solution. CONSTITUTION: A cathode(20) opposites to an anode(30) in a vacuum container. A holder(22) supports the cathode and the anode. The cathode includes a linear cathode base(21) supported by the holder. A carbon nano tube electron radiating material is arranged on the surface of the cathode base. The cathode base includes a pin structure(23) is expanded to the anode.
Abstract translation: 目的：提供一种基于碳纳米管的X射线管及其制造方法，以通过使用碳纳米管悬浮液形成电子辐射层来获得电子辐射层。 构成：阴极（20）与真空容器中的阳极（30）相对。 支架（22）支撑阴极和阳极。 阴极包括由保持器支撑的线性阴极基座（21）。 碳纳米管电子辐射材料布置在阴极基体的表面上。 阴极基座包括一个销结构（23），扩展到阳极。
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公开(公告)号：KR100986148B1
公开(公告)日：2010-10-07
申请号：KR1020080031549
申请日：2008-04-04
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , B82Y10/00
Abstract: 본 발명은 활성층 내 전하의 이동도를 향상시키기 위하여 탄소나노튜브층과 유기반도체층이 적층된 구조의 활성층을 구비하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명의 박막 트랜지스터는, 기판 상에 형성된 게이트전극; 상기 기판상에서 상기 게이트전극을 덮도록 형성된 게이트절연층; 상기 게이트절연층 상에서 탄소나노튜브층과 유기반도체층이 적층된 구조를 갖는 활성층 및 상기 활성층 상에서 서로 이격되어 형성된 소스전극 및 드레인전극을 포함하고 있으며, 상술한 본 발명에 따르면, 탄소나노튜브층과 유기반도체층이 적층된 구조를 갖는 활성층을 구비함으로써, 활성층 내 전하의 이동도를 향상시킬 수 있다.
탄소나노튜브, 유기반도체, 트랜지스터, 호핑, 이동도-
公开(公告)号：KR1020090113643A
公开(公告)日：2009-11-02
申请号：KR1020080039469
申请日：2008-04-28
Applicant: 삼성전자주식회사 , 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H03H9/462 , B81B2201/0271 , B81C1/00142 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H03H3/0072 , H03H9/2463
Abstract: PURPOSE: A resonator and a manufacturing method thereof are provided to implement a resonant area of a nanometer level and an electrode area of a micrometer level using a micro process and a nano process together. CONSTITUTION: A resonator includes a plurality of electrode patterns(150), a plurality of extension electrode pattern(170), a nano structure(190), and a fixing electrode. The electrode patterns have a size of a micrometer level and are separately arranged on the substrate. The extension electrode pattern has the size of the nanometer level and is connected to the electrode patterns. The nano structure is extended between extension electrode patterns and is one of carbon nano tube, an oxide nano wire, and a polymer nano fiber. The fixing electrode is fixed on the extension electrode pattern.
Abstract translation: 目的：提供一种谐振器及其制造方法，以使用微处理和纳米工艺一起实现纳米级的谐振区域和微米级的电极面积。 构成：谐振器包括多个电极图案（150），多个延伸电极图案（170），纳米结构（190）和固定电极。 电极图案具有微米级别的尺寸并且分开布置在基底上。 延伸电极图案具有纳米级的尺寸并连接到电极图案。 纳米结构在延伸电极图案之间延伸，是碳纳米管，氧化物纳米线和聚合物纳米纤维之一。 固定电极固定在延伸电极图案上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090092079A
公开(公告)日：2009-08-31
申请号：KR1020080017366
申请日：2008-02-26
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H05B33/10
CPC classification number: H01L51/0003 , H01L51/0021 , H01L51/0055 , H01L51/105
Abstract: A manufacturing method of organic thin film transistor is provided to prevent the electric property of device from being degraded by manufacturing the organic thin film transistor using the solution process. An active layer(17) is formed into the TIPS-pentacene. The TIPS-pentacene is formed in a substrate(11) using the drop casting method. A gate isolation layer(13) is formed into the SOG(Spin On Glass). The active layer and the gate isolation layer are formed by the solution process. The gate electrode(12) is formed on the top of the substrate. The gate electrode is formed to have the thickness of 150nm ~ 300nm range. A protective layer(18) is formed on the front side of outcome including the active layer. The gate electrode is formed of the metal material or the metal compound.
Abstract translation: 提供有机薄膜晶体管的制造方法，以通过使用溶液处理制造有机薄膜晶体管来防止器件的电特性劣化。 在TIPS-并五苯中形成有源层（17）。 使用滴铸法在基板（11）中形成TIPS-并五苯。 栅极隔离层（13）形成为SOG（旋转玻璃）。 通过溶液法形成有源层和栅极隔离层。 栅电极（12）形成在基板的顶部。 栅电极的厚度为150nm〜300nm。 在包括有源层的结果的前侧上形成保护层（18）。 栅电极由金属材料或金属化合物形成。
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公开(公告)号：KR1020090090656A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：KR1020080016002
申请日：2008-02-21
Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 , 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L51/5036 , H01L51/5004 , H01L51/5024 , H01L51/504 , H01L51/5056
Abstract: An organic electro luminescent device and a manufacturing method thereof are provided to perform a color tuning by interposing an exciplex control layer between a hole transport layer and a light emitting layer. A first substrate(210) and a second substrate are arranged to face each other. An array device is formed in the first substrate. An array device includes a thin film transistor. An anode(211) is formed on the first substrate. A hole-transport layer is formed on the anode. An exciplex control layer(250) is formed on the hole transport layer. The thickness of the exciplex control layer is 0.5 to 5.0 nm. A light emitting layer(213) is formed on the exciplex control layer. An electron transport layer(214) is formed on the light emitting layer. An electron injection layer(215) is formed on the electron transport layer. A cathode(216) is formed on the electron injection layer.
Abstract translation: 提供一种有机电致发光器件及其制造方法，通过在空穴传输层和发光层之间插入激光复合控制层来进行色调。 第一基板（210）和第二基板被布置成彼此面对。 阵列器件形成在第一衬底中。 阵列器件包括薄膜晶体管。 阳极（211）形成在第一基板上。 在阳极上形成空穴传输层。 在空穴传输层上形成激光复合控制层（250）。 激光复合体控制层的厚度为0.5〜5.0nm。 在激光复合控制层上形成发光层（213）。 在发光层上形成电子传输层（214）。 在电子传输层上形成电子注入层（215）。 阴极（216）形成在电子注入层上。
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公开(公告)号：KR1020090077175A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：KR1020080002981
申请日：2008-01-10
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: G01R31/2601 , G01R1/04 , G01R31/2874 , H01L22/30
Abstract: A temperature control apparatus for a test is provided to allow easy access to the inspection apparatus by installing electronic device or the semiconductor parts while being opened state. In a temperature control apparatus for a test, a target is placed on a plate(100). The top of the plate is open, and the thermoelectric element(200) is installed at the lower part of the plate. A cooling fin(300) is installed at the lower part of the thermoelectric element, and the first refrigerant circulates inside the cooling fin. A heat exchanger(400) guides the first refrigerant to the cooling fin after heating exchange with the second refrigerant. The cooling device(500) guides the second refrigerant to the heat exchanger after passing through the cooling cycle.
Abstract translation: 提供了一种用于测试的温度控制装置，用于通过在打开状态下安装电子装置或半导体部件来容易地接近检查装置。 在用于测试的温度控制装置中，将靶放置在板（100）上。 板的顶部是开放的，并且热电元件（200）安装在板的下部。 冷却翅片（300）安装在热电元件的下部，第一制冷剂在冷却翅片内循环。 热交换器（400）在与第二制冷剂进行加热交换之后将第一制冷剂引导至冷却片。 冷却装置（500）在通过冷却循环之后将第二制冷剂引导至热交换器。
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公开(公告)号：KR1020090054026A
公开(公告)日：2009-05-29
申请号：KR1020070120692
申请日：2007-11-26
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: G01N27/12 , G01N27/407 , G01N33/497
Abstract: 본 발명에 따른 La이 코팅된 SnO
2 나노와이어 센서 제조방법은 기판 상에 열증착법을 이용하여 SnO
2 나노와이어층을 성장시키는 단계; 상기 SnO
2 나노와이어층에 La소스로 0.01 내지 1.2M La(NO
3 )
3 수용액 0.001 내지 10 ml를 상기 SnO
2 나노와이어층에 제공하는 단계; 및 상기 La소스를 첨가한 SnO
2 나노와이어층을 500℃ 내지 700℃에서 30분 내지 90분 동안 열처리하는 단계를 포함하며, 기체 에탄올 선택성을 향상시킨 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 La이 코팅된 SnO
2 나노와이어 센서는 상기한 제조방법으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 La이 코팅된 SnO
2 나노와이어 센서는 열증착법으로 성장시킨 SnO
2 나노와이어에 La을 코팅하여 제조한 본 발명의 La가 첨가된 SnO
2 나노와이어 센서는 프로판, 일산화탄소, 수소, 질소산화물에 대한 알콜 선택성이 향상되며, 쾌속반응의 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020090051439A
公开(公告)日：2009-05-22
申请号：KR1020070117828
申请日：2007-11-19
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L51/0545 , B82Y30/00 , H01L29/0665 , H01L51/0529 , H01L51/0558
Abstract: 본 발명은 유기 박막 트랜지스터의 낮은 전압레벨을 높일 수 있는 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명은 기판 상에 형성된 게이트전극; 상기 게이트전극을 포함하는 기판 상에 형성된 게이트절연층; 상기 게이트절연층 상에 나노 입자들로 이루어진 나노 물질층; 상기 나노 물질층을 포함하는 전체 구조 상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성된 소스 및 드레인 전극을 포함하여 게이트절연층과 활성층 사이에 나노 물질층을 형성함으로써 전하 이동도가 높고, 구동 전압 및 문턱전압이 낮으며, 후속 공정에 높은 안정성을 갖는 효과, 비휘발성 메모리 효과와 자기장 효과를 증폭시켜 소자의 성능을 향상시킬 수 있는 효과, 나노 물질층을 포함하는 유기 박막 트랜지스터는 그렇지 않은 유기 박막 트랜지스터보다 포화영역(Saturation region) 특성이 우수한 효과 및 게이트전극과 소스 및 드레인 전극을 투명한 전극으로 적용하는 경우 투명 박막 트랜지스터로 응용할 수 있는 효과가 있다.
유기 박막 트랜지스터, 나노 물질, 도핑
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