公开(公告)号：KR100628393B1

公开(公告)日：2006-09-26

申请号：KR1020037014519

申请日：2002-04-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가야마노부유키 ,  미츠하시코지 ,  나카야마히로유키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4404

Abstract: 플라즈마 처리 용기의 챔버에 사용되는 챔버내 부품은 피복제로 이루어지는 피복막을 갖는다. 피복막 상에 형성된 디포지트를 갖는 챔버내 부품은 챔버와 분리되어 아세톤등의 박리액에 침지된다. 피복제는 고리화 고무-비스아지드 등의 주성분과 감광제로 이루어지기 때문에, 디포지트는 분리되는 피복막과 함께 챔버내 부품으로 부터 분리될 수 있다.

公开(公告)号：KR100568381B1

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：KR1020007013264

申请日：1999-05-25

Applicant: 닛토 케미칼 인더스트리즈 리미티드 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로타겐이치 ,  야마다히토시 ,  유아사기요시 ,  야마구치에이지 ,  가와구치신이치 ,  시모다다카히로 ,  나가야마노부유키

IPC: H01L21/02

Abstract: 반도체 처리장치의 부품 상에 침착되는 것으로, C와 F를 함유하는 처리 가스의 분해물질로부터 유도되는 부산물을 제거하기 위하여 세정액이 사용된다. 이러한 세정액은 N-메틸-2-피롤리돈 75중량%, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 15중량%, 계면 활성제 0.5중량% 및 물 9.5중량%로 구성된다. 이러한 세정액에 있어서의 알칼리 금속의 함유량은 1Oppb 미만으로 되도록 설정된다.

公开(公告)号：KR1020050085980A

公开(公告)日：2005-08-29

申请号：KR1020057013407

申请日：2000-12-04

Applicant: 도카로 가부시키가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라다요시오 ,  다케우치준이치 ,  하마쿠치다츠야 ,  나가야마노부유키 ,  미츠하시고지

IPC: C23C4/00

CPC classification number: H01J37/32477 ,  B01J19/02 ,  B01J2219/0218 ,  B01J2219/0236 ,  B01J2219/024 ,  B01J2219/0263 ,  B01J2219/0286 ,  B01J2219/0894 ,  C09D1/00 ,  C23C4/00 ,  C23C4/02 ,  C23C4/11 ,  Y10T428/12458 ,  Y10T428/12479 ,  Y10T428/12549 ,  Y10T428/12618 ,  Y10T428/24999

Abstract: A plasma processing container internal member excellent in chemical corrosion and plasma erosion resistance under an environment containing halogen gases, and an advantageous production method therefor, the member being formed by coating the front surface of a substrate by a multi-layer composite layer consisting of a metal coating formed as an under-coat, an Al2O3 coating formed as an intermediate layer on the under-coat, and a Y2O3 spray deposit formed as a top-coat on the intermediate layer.

Abstract translation: 一种等离子体处理容器内部构件，其在含有卤素气体的环境下具有优异的化学腐蚀性和耐等离子体侵蚀性，并且其有利的制备方法为通过用多层复合层 作为底涂层形成的金属涂层，在底涂层上形成为中间层的Al 2 O 3涂层，以及在中间层上形成为顶涂层的Y 2 O 3喷涂沉积物。

公开(公告)号：KR1020020003367A

公开(公告)日：2002-01-12

申请号：KR1020017009944

申请日：2000-12-04

Applicant: 도카로 가부시키가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라다요시오 ,  다케우치준이치 ,  하마구치다츠야 ,  나가야마노부유키 ,  미츠하시고지

IPC: C23C4/00

Abstract: 할로겐 가스가 함유되도록한 환경하에서의 화학적 부식과 내플라즈마에로젼성이 우수한 플라즈마처리 용기 내부재와, 그 유리한 제조방법과를 제안하는 것을 목적으로 하고, 그것은 기재의 표면이, 언더코트로서 형성된 금속피막과 그 언더코트상에 중간층으로서 형성된 Al
2 O
3 피막과 그리고 그 중간층상에 톱코트로서 형성된 Y
2 O
3 용사피막으로 이루어진 다층상 복합층에 의하여 피복된 부재이다.

公开(公告)号：KR101814201B1

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：KR1020100055307

申请日：2010-06-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가야마노부유키 ,  사토나오유키 ,  나가쿠보게이이치 ,  나가세키가즈야

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/02 ,  C23C16/32 ,  C23C16/44 ,  H01J37/32 ,  H01L21/465

CPC classification number: H01L21/465 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4418 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32862

Abstract: 본발명은낭비를줄일수 있는플라즈마처리장치용의소모부품의재이용방법을제공한다. 본발명에따르면, 탄화규소가 CVD에의해적층되어탄화규소괴(41)가생성되고, 탄화규소괴(41)가가공되어포커스링(25)이제조되며, 제조된포커스링(25)이플라즈마처리장치(10)에장착된후, 플라즈마에칭처리가소정회수로반복되고, 플라즈마에칭처리중에소모된포커스링(25')의표면이산세정되고, 세정된포커스링(25)의표면에 CVD에의해탄화규소가적층되어탄화규소괴(42)가생성되고, 탄화규소괴(42)가가공되어포커스링(25")이재제조되며, 재제조된포커스링(25")이플라즈마처리장치(10)에장착된후, 플라즈마에칭처리가소정회수로반복된다.

Abstract translation: 本发明提供了一种用于能够减少浪费的等离子体处理设备的可消耗部件的再使用方法。 根据本发明，碳化硅通过CVD层压以制造碳化硅块41，碳化硅块41被加工以聚焦聚焦环25，并且所产生的聚焦环25被等离子体照射 在等离子体蚀刻处理重复预定次数之后，在等离子体蚀刻处理期间消耗的聚焦环25'的表面经历表面离散清洁，并且清洁后的聚焦环25的表面经受CVD 聚焦环25“通过机械加工碳化硅质块42制造，并且再制造的聚焦环25”安装在等离子体处理设备10上 ），等离子体蚀刻过程重复预定次数。

公开(公告)号：KR101708935B1

公开(公告)日：2017-02-21

申请号：KR1020100066540

申请日：2010-07-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토나오유키 ,  나가야마노부유키 ,  나가쿠보게이이치

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/68

CPC classification number: C23C8/36 ,  C23C8/80 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/56 ,  H01J2237/31

Abstract: 표면에파쇄층을갖고탄화규소(SiC)로이루어지는부재의표면처리방법에있어서, 상기파쇄층으로이루어지는부재표면을치밀층으로개질하여상기부재를플라즈마처리장치에적용했을때의상기부재표면으로부터방출되는입자수를감소시킨다. 여기에서, 상기부재표면의 SiC는상기파쇄층을가열함으로써재결정된다.

Abstract translation: 在用于处理由碳化硅（SiC）制成的并且在其表面上具有碎裂层的构件的表面的表面处理方法中，具有碎裂层的构件的表面被修改为致密层以减少颗粒的数量 当构件被施加到等离子体处理装置时从构件的表面产生。 这里，通过加热碎片层使构件表面的SiC再结晶。

公开(公告)号：KR1020160131918A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：KR1020160054487

申请日：2016-05-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드

Inventor： 나가야마노부유키 ,  이베히로유키 ,  츠즈키가즈유키

IPC: C04B35/515 ,  C04B35/50 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C04B35/505 ,  C01F17/0062 ,  C01P2002/72 ,  C04B35/50 ,  C04B35/553 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/445 ,  C23C4/04 ,  C23C4/126 ,  C23C4/129 ,  C23C4/134 ,  C23C24/04

Abstract: 내플라즈마침식성에추가해서, 기공률이나경도등의특성이우수한용사피막을형성할수 있는용사용재료를제공한다. 여기에개시되는기술에의하면, 용사용재료가제공된다. 이러한용사용재료는, 구성원소로서희토류원소(RE), 산소(O) 및할로겐원소(X)를포함하는희토류원소옥시할로겐화물(RE-O-X)을포함한다. 그리고이 희토류원소옥시할로겐화물에있어서의, 희토류원소에대한할로겐원소의몰비(X/RE)가 1.1 이상인것에의해특징지어진다.

Abstract translation: 本发明提供一种热喷涂材料，其能够形成耐等离子体侵蚀性以及孔隙率和硬度等性质优异的热喷涂涂层。 热喷涂材料包括稀土元素（RE-O-X），其包含稀土元素（RE），氧（O）和卤素原子（X）作为其元素组分。 稀土元素卤氧化物的卤素与稀土元素摩尔比（X / RE）为1.1以上。

公开(公告)号：KR1020160131917A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：KR1020160054486

申请日：2016-05-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드

Inventor： 나가야마노부유키 ,  이베히로유키 ,  츠즈키가즈유키

IPC: C04B35/515 ,  C04B35/50 ,  C04B41/87 ,  C04B41/88

CPC classification number: C04B35/505 ,  C01F17/0062 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/64 ,  C04B35/5156 ,  C04B35/553 ,  C04B35/62665 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C23C4/04

Abstract: 내플라즈마침식성에추가해서, 기공률이나경도등의특성이우수한용사피막을형성할수 있는용사용재료를제공한다. 여기에개시되는기술에의하면, 용사용재료가제공된다. 이러한용사용재료는, 구성원소로서희토류원소(RE), 산소(O) 및할로겐원소(X)를포함하는희토류원소옥시할로겐화물(RE-O-X)을포함한다. 그리고그 용사용재료의 X선회절패턴에있어서의, 희토류원소옥시할로겐화물의메인피크의피크강도 I에대한, 희토류원소산화물의메인피크의피크강도 I와, 희토류원소할로겐화물의메인피크의피크강도 I의합계의강도비[(I+I)/I]가 0.02 미만인것에의해특징지어진다.

Abstract translation: 本发明提供一种热喷涂材料，其能够形成耐等离子体侵蚀性以及孔隙率和硬度等性质优异的热喷涂涂层。 热喷涂材料包括稀土元素（RE-O-X），其包含稀土元素（RE），氧（O）和卤素原子（X）作为其元素成分。 热喷涂材料具有显示对应于稀土元素卤氧化物的主峰强度IA，对应于稀土元素氧化物的主峰强度IB和对应于稀土元素氧化物的主峰强度IC的X射线衍射图 卤化物，满足[（IB + IC）/ IA] <0.02。

公开(公告)号：KR1020140105456A

公开(公告)日：2014-09-01

申请号：KR1020147015309

申请日：2012-12-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도카로 가부시키가이샤

Inventor： 니시노마사루 ,  마카베마사츠구 ,  나가야마노부유키 ,  한다다츠야 ,  미도리카와료타로 ,  고바야시게이고 ,  니야데츠야

IPC: H01L21/3065 ,  C23C4/04 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32495

Abstract: 감압 가능한 처리 용기(12)와, 처리 용기 내에서 웨이퍼(W)를 탑재하는 탑재대(20)를 겸한 하부 전극과, 하부 전극과 대향하도록 배치된 상부 전극 또는 안테나 전극과, 처리 용기 내에 할로겐 함유 가스 및 산소 가스를 포함하는 가스를 도입하는 가스 공급원(32)과, 상부 전극, 안테나 전극 또는 하부 전극의 적어도 어느 하나의 전극에 플라즈마 생성용의 고주파 전력을 인가하는 고주파 전력원(18)과, 플라즈마 생성용의 고주파 전력에 의해 상기 가스를 플라즈마화하고, 플라즈마의 작용에 의해 탑재 대상의 웨이퍼를 플라즈마 처리하는 수단을 가지고, 처리 용기 내의 플라즈마에 노출되는 면 중, 적어도 웨이퍼의 탑재 위치로부터 상부 전극측, 안테나 전극 또는 하부 전극측의 높이에 있는 면의 일부 또는 전부는 불화 화합물로 피막되어 있는 것을 특징으 로 하는 플라즈마 처리 장치(10)가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020120049823A

公开(公告)日：2012-05-17

申请号：KR1020110115722

申请日：2011-11-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가야마노부유키 ,  기쿠치에이이치로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/6831

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to control the temperature rise of a peripheral edge portion by absorbing an entire semiconductor wafer on an electrostatic chuck. CONSTITUTION: A plasma generating device generates the plasma of a process gas. A placement table(5) is installed in a process chamber(2). A thermostat controls the temperature of the placement table. An electrostatic chuck(11) is installed on an upper side of the placement table. The electrostatic chuck has an adsorption electrode expanded to a lower portion of a focus ring(15).

Abstract translation: 目的：提供一种等离子体处理装置，通过吸收静电卡盘上的整个半导体晶片来控制周边边缘部分的温度升高。 构成：等离子体产生装置产生处理气体的等离子体。 放置台（5）安装在处理室（2）中。 恒温器控制放置台的温度。 静电卡盘（11）安装在放置台的上侧。 静电吸盘具有扩大到聚焦环（15）的下部的吸附电极。