公开(公告)号：KR1020170052492A

公开(公告)日：2017-05-12

申请号：KR1020160144410

申请日：2016-11-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키요시히코 ,  미나미마사토

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/324

Abstract: 제 1 부재및 제 2 부재간에미소간극이있어도, 메인터넌스성의악화나장치비용의증가를초래하는일 없이, 제 1 부재로부터제 2 부재로의양호하고또한균일한열전달을확보할수 있는기판탑재대를제공한다. 처리용기(2) 내에서피처리기판에처리를실시하는기판처리장치(1)에서기판을탑재하는기판탑재대(4)는, 베이스가되는금속제의제 1 부재(6)와, 제 1 부재(6) 상에마련된금속제의제 2 부재(7)와, 제 2 부재(7)의표면에마련된, 기판을탑재하는기판탑재부(8)와, 제 1 부재(6)에마련된온도조절수단(32, 33)과, 제 1 부재(6) 및제 2 부재(7)의사이에개재되며, 유기재료로이루어지는탄성체로구성된탄성체시트(30)와, 탄성체시트(30)가개재된상태에서제 1 부재(6) 및제 2 부재(7)의적어도외주를체결하는나사(31)를갖고, 탄성체시트(30)는제 1 부재(6) 및제 2 부재(7)가체결되었을때에그들사이의미소간극을메운다.

Abstract translation: 所述第一构件和所述第二即使在部件之间的小的间隙，而不会引起在维护恶化和设备成本的增加，有良好的，并且还对板，其可以确保从第一构件绕均匀的热传递到所述第二构件 提供。 在对处理容器2内的经表面处理的基板进行处理的基板处理装置1中，将基板安装于其上的基板台4包括由金属制成的第一构件6和第二构件 基板安装部分8用于安装基板并设置在第二部件7的表面上，温度调节装置32设置在第一部件6上 插入在第一构件6和第二构件7之间并且由有机材料制成的弹性片30和由有机材料制成的弹性片30， 当第二构件6和第二构件7紧固在一起时，弹性片30填充第一构件6和第二构件7之间的微小间隙。

公开(公告)号：KR1020160079689A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：KR1020150184048

申请日：2015-12-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 헴미아츠시 ,  미나미마사토 ,  사사키요시히코

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/687

Abstract: 절연재로이루어지는링 부재가그 주위에배치된탑재대에있어서, 파티클이나이상방전의발생을억제하는것이가능한기술을제공하는것. 플라즈마처리장치에마련되는탑재대(3)는, 각기둥형상의금속제의탑재대본체와, 탑재대본체의측부에형성된결합부를이루는오목부(61)와, 오목부(61)에결합하여상기탑재대본체에장착된위치결정부재(7)를구비한다. 위치결정부재(7) 위에는돌기부(72, 73)가마련되고, 이돌기부(72, 73)에링 부재(5)의하면에형성된오목부(55, 56)를감합하도록링 부재(5)를탑재하여마련한다. 따라서링 부재(5) 상면은상하방향의관통구멍이마련되지않은평탄면으로서구성되고, 파티클의발생원인이되는간극이나, 링부재의상면으로부터나사로탑재대에고정하는경우와같은이상방전으로이어지는간극이형성되지않기때문에, 파티클이나이상방전의발생을억제할수 있다.

Abstract translation: 提供了一种能够抑制在由绝缘材料形成的环构件设置在其中的基底台中的颗粒的产生或异常放电的技术。 设置在等离子体处理装置中的基板台（3）具有：具有棱柱形状的基板台主体，由金属材料形成; 形成在所述基板台主体的侧面部上的连结部的凹部（61） 以及联接到所述凹部（61）以安装在所述基板载物台上的定位构件（7）。 突出部分（72,73）设置在定位构件（7）的上部。 环形构件（5）安装在定位构件（7）上，使得形成在环形构件（5）的下表面中的凹部（55,56）与突出部分（72,73）互锁。 因此，环状构件（5）的上表面被构造成在垂直方向上没有穿过其中的孔的平坦表面，以及通过将环构件固定而产生颗粒或产生异常放电的间隙的间隙 不会形成具有来自环状构件的上表面的螺钉的基板台，从而抑制颗粒的产生或异常放电。

公开(公告)号：KR101414308B1

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：KR1020120092281

申请日：2012-08-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키요시히코 ,  미나미마사토

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

Abstract: 본 발명의 과제는, 링 형상 실드 부재의 구성부품과 기판 탑재대 사이의 간극의 발생을 방지하는 동시에, 구성부품의 파손을 방지할 수 있는 링 형상 실드 부재를 제공하는 것이다.
실드 링(15)은 4개의 링 구성부품(41 내지 44)으로 이루어지고, 각 링 구성부품(41 내지 44)의 길이방향에 관한 고정단에는 전방위 이동 규제부(45)가 마련되고, 일방향 이동 허용부(46)가 전방위 이동 규제부(45)로부터 이격되어 마련되며, 예를 들면, 하나의 링 구성부품(41)의 고정단(41a)의 단면이, 인접하는 다른 링 구성부품(43)의 자유단(43b)의 측면에 접촉하고, 하나의 링 구성부품(41)의 자유단(41b)의 측면이, 인접하는 다른 링 구성부품(44)의 고정단(44a)의 단면에 접촉하도록, 각 링 구성부품(41 내지 44)이 조립되어 있다.

公开(公告)号：KR101263109B1

公开(公告)日：2013-05-09

申请号：KR1020110053344

申请日：2011-06-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오 ,  미나미마사토 ,  사이토히토시

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

Abstract: 본발명은, 유전체창의내측에설치된유전체보호커버가국부적으로깎이고소모되는것을억제할수 있어, 유전체보호커버의장기수명화에의해생산성의향상을꾀할수 있는플라즈마처리장치및 그유전체창구조를제공한다. 본발명의플라즈마처리장치는, 유전체창의외측에배치된고주파안테나에고주파전력을인가하여처리공간에유도결합플라즈마를발생시키는플라즈마처리장치로서, 유전체창은, 처리공간과고주파안테나의사이에개재하도록배치되고, 유전체로이루어지는창부재와, 창부재를지지하기위한빔 부재와, 창부재의처리공간측의면과, 빔부재의처리공간측의면을덮어플라즈마로부터보호하는유전체보호커버와, 적어도, 빔부재와유전체보호커버의사이에설치되고, 유전체보호커버의유전률보다도낮은유전률을갖는재료로형성된저유전률유전체층을구비한다.

公开(公告)号：KR1020110134284A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：KR1020110053344

申请日：2011-06-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오 ,  미나미마사토 ,  사이토히토시

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32119 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32559 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4667

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and a dielectric window structure thereof are provided to suppress local consumption of a dielectric protection cover, thereby extending the lifespan of the dielectric protection cover. CONSTITUTION: A plasma etching apparatus includes a process chamber(1) of a quadrilateral container type which is comprised of aluminum with an anode oxidation processed surface. The process chamber is grounded by a ground wire(1a). The inside of the process chamber is divided into an upper side antenna chamber(4) and a lower side process chamber(5) in an airtight state by a dielectric window structure. A support shelf(7) defining two horizontal shelf surfaces is located in the inner surface of the process chamber corresponding to the position of the dielectric window structure. The dielectric window structure(2) comprises a dielectric window member(3) arranged through a combination of partition window members.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置及其介电窗口结构，以抑制电介质保护盖的局部消耗，从而延长电介质保护盖的使用寿命。 构成：等离子体蚀刻装置包括由具有阳极氧化处理表面的铝构成的四边形容器型处理室（1）。 处理室由接地线（1a）接地。 处理室的内部通过电介质窗结构被分成气密状态的上侧天线室（4）和下侧处理室（5）。 限定两个水平搁架表面的支撑架（7）位于处理室的与介电窗结构的位置对应的内表面中。 电介质窗结构（2）包括通过分隔窗构件的组合布置的电介质窗构件（3）。

公开(公告)号：KR101019880B1

公开(公告)日：2011-03-04

申请号：KR1020080054848

申请日：2008-06-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키요시히코 ,  미나미마사토

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 실드 부재의 파손의 위험성을 동반하지 않고 열팽창 차이에 기인하는 실드 부재와 기재 사이의 간극을 저감할 수 있는 탑재대를 제공하는 것이다. 기판(G)에 플라즈마 처리를 실시하는 처리 챔버내에 기판을 탑재하는 탑재대(3)는 금속제 기재(5)와, 기재 위에 마련된 기판을 탑재하는 탑재부(6)와, 탑재부(6) 및 기재(5)의 상부의 주위를 둘러싸도록 마련된 절연성 세라믹스로 이루어지는 실드 부재(7)를 구비하고, 실드 부재(7)는 복수의 분할편(7a)으로 분할되어 있고, 또한 분할편(7a)을 서로 근접시키도록 가압하는 가압 기구(50)를 갖는다.

公开(公告)号：KR100980525B1

公开(公告)日：2010-09-06

申请号：KR1020080005316

申请日：2008-01-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오 ,  미나미마사토

IPC: H05H1/46 ,  H05H1/24 ,  H05H1/34

Abstract: 본 발명은, 각형 기판을 플라즈마 처리하는 평행 평판형 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상부 전극의 온도 제어성이 양호하고 안정한 처리를 행할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
기판에 상기 처리 가스를 공급하기 위한 다수의 가스 공급 구멍을 구비하고, 상기 하부 전극에 대향하여 마련된 판 형상의 상부 전극과, 상부 전극을 덮고, 그 상부 전극과의 사이에 상기 가스 공급 구멍에 연통한 처리 가스의 확산 공간을 형성하는 상부 전극 베이스와, 이 상부 전극 베이스의 내주면에 의해 둘러싸이는 영역 내에 마련되고, 상부 전극의 상면과 상부 전극 베이스의 하면을 접속하는 접속 부재와, 상기 상부 전극 베이스에 마련되고, 상부 전극을 온도 조절하기 위한 온도 조절 유체가 통류하는 유체 유로를 구비하도록 플라즈마 처리 장치를 구성한다.

Abstract translation: 本发明的目的在于提供一种等离子体处理装置，其能够对用于等离子体处理矩形基板的平行平板型等离子体处理装置中的上部电极进行稳定且稳定的温度控制。

公开(公告)号：KR100978962B1

公开(公告)日：2010-08-30

申请号：KR1020080028026

申请日：2008-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키요시히코 ,  미나미마사토

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/67

Abstract: 복수의 플레이트를 적층하여 이루어진 탑재대에 설치된 리프터 핀의 파손이나 전극의 판손을 방지할 수 있다.
최상부에 배치된 전극 플레이트(210)를 관통하는 핀 삽입 통과 구멍(214)을 승강 가능하게 마련된 리프터 핀(242)과, 리프터 핀(242)의 승강을 안내하는 승강 가이드체(300)를 구비하며, 승강 가이드체(300)를 전극 플레이트(210)의 아래쪽에 적층되는 온도 조정용 플레이트(220)의 통과 구멍(226)을 통과시켜서 배치하는 동시에, 전극 플레이트(210)에 대하여 수평방향으로 이동 불가능하게 되도록 위치 결정 핀(350)으로 위치 규제했다.

公开(公告)号：KR1020080087746A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：KR1020080028026

申请日：2008-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키요시히코 ,  미나미마사토

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/68785 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/68742

Abstract: A substrate stage and a substrate loading plate are provided to prevent damage of a lifter pin by thermal expansion in an installation process of a lifter pin on a stage. A substrate stage includes an electrode. The electrode is formed by stacking vertically a plurality of plates(210). A pin insertion hole(214) is formed in the top plate of the vertically stacked plates. A lifter pin(242) is elevated in the pin insertion hole. An elevation guiding body(300) is formed to guide an elevating operation of the lifter pin. The elevation guiding body penetrates a through-hole formed in the bottom plate stacked at a lower side of the top plate. The elevation guiding body doesn't move in a horizontal direction with respect to the top plate.

Abstract translation: 提供基板台和基板装载板，以防止在台架上的升降器销的安装过程中通过热膨胀而损坏升降销。 衬底平台包括电极。 电极通过垂直地堆叠多个板（210）而形成。 在垂直堆叠的板的顶板中形成销插入孔（214）。 升降销（242）在销插入孔中升高。 形成升降引导体（300）以引导升降销的升降操作。 升降引导体穿过形成在底板的堆叠在顶板的下侧的通孔。 升降导向体相对于顶板在水平方向上不移动。

公开(公告)号：KR100845991B1

公开(公告)日：2008-07-11

申请号：KR1020060045781

申请日：2006-05-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시기요시 ,  미나미마사토

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

Abstract: 본 발명의 과제는 정전 흡착 전극의 가스 유로에서의 이상 방전을 방지하는 동시에, 만일 가스 유로에서 이상 방전이 생겼을 경우라도 용이하게 수리할 수 있는 정전 흡착 전극을 제공하는 것이다. 정전 척(5)은 서로 분리 가능한 제 1 기재(30)와 제 2 기재(31)로 이루어지는 조합 구조를 갖는다. 제 1 기재(30) 상의 유전체 재료막(8)내에는 전극(6a)이, 제 2 기재(31) 상의 유전체 재료막(8)내에는 전극(6b)이 각각 매설되어 있다. 제 1 기재(30)와 제 2 기재(31)를 조합한 상태에서, 양자 사이에는 제 1 기재(30)의 주위를 둘러싸도록 간극이 형성되고, 이 간극이 열전달 가스를 공급하는 가스 공급 슬릿(9c)으로서 기능을 한다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种静电吸附电极，其能够防止静电吸附电极的气体通路中的异常放电，并且即使在气体通路中发生异常放电也能够容易地进行修复。 静电吸盘5具有由彼此可拆卸的第一基材30和第二基材31组成的组合结构。 电极6a嵌入第一基材30上的电介质膜8中，电极6b嵌入第二基材31上的电介质膜8中。 在第一基板30和第二基板31之间形成间隙以围绕第一基板30的外围，并且该间隙用作气体供给狭缝 图9c），其功能。