公开(公告)号：KR1020090076597A

公开(公告)日：2009-07-13

申请号：KR1020080002636

申请日：2008-01-09

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김철규 ,  권민호 ,  강윤호 ,  강윤선 ,  이태연 ,  허성 ,  김기범 ,  남성욱 ,  이동복

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/126 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/143

Abstract: A phase change memory device and a method of manufacturing the same are provided, which can prevent misalignment problem of the bottom electrode and diffusion stopper. The phase change memory device comprises the storage node and the switching element connected to the storage node. The storage node comprises electrode and phase-change layer(30). The diffusion stopper(20) includes the silicide compound between the electrode and phase-change layer. The silicide compound includes at least one among silicide, silicide oxide, and silicide nitride. The electrode is the bottom electrode(10).

Abstract translation: 提供了一种相变存储器件及其制造方法，其可以防止底部电极和扩散塞的不对准问题。 相变存储器件包括存储节点和连接到存储节点的开关元件。 存储节点包括电极和相变层（30）。 扩散阻挡层（20）包括电极和相变层之间的硅化物。 硅化物化合物包括硅化物，硅化物氧化物和氮化硅中的至少一种。 电极是底部电极（10）。

公开(公告)号：KR1020090009652A

公开(公告)日：2009-01-23

申请号：KR1020070073114

申请日：2007-07-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강윤선 ,  서동석

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/143

Abstract: Carbon containing phase change material, a memory device including the same and an operation method thereof are provided to use a carbon containing IST layer as a phase-change layer which is maintained in a single phase, thereby ensuring thermal stability and lowering reset currents as preventing intercell interference caused by heat. Phase change material comprises a major compound and additive. The major compound is In-Sb-Te. The additive uses carbon which is added as much as it can maintain the phase change material in a single phase. The content(a) of the carbon can be 0.005

Abstract translation: 提供含碳相变材料，含有其的存储装置及其操作方法，以使用含碳IST层作为保持单相的相变层，从而确保热稳定性并降低复位电流，作为防止 热量引起的电池间干扰。 相变材料包括主要的化合物和添加剂。 主要化合物是In-Sb-Te。 添加剂使用添加的碳，其可以将相变材料保持在单相中。 碳的含量（a）可以为0.005 <= a <= 0.30原子％。 添加剂还包括氮，氧，硼或过渡金属。 可以使用硬质合金代替碳。 铟（In）可以被第三组元素代替。 锑（Sb）可以被V族元素取代。 碲（Te）可以被第六组元素代替。