公开(公告)号：KR1020090068817A

公开(公告)日：2009-06-29

申请号：KR1020070136585

申请日：2007-12-24

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김철규 ,  남성욱 ,  김기준 ,  강윤호 ,  이태연 ,  김기범 ,  권민호 ,  이동복

IPC: G11C13/02 ,  G11C5/14

CPC classification number: G11C13/0038 ,  G11C5/14 ,  G11C7/20 ,  G11C13/0004

Abstract: An operation method of the phase change memory device is provided, which recovers the phase-change layer to the steady-state by authorizing the treatment voltage greater than the reset voltage to the phase-change layer. An operation method of the phase change memory device authorizes the treatment voltage which is greater than the reset voltage to the phase-change layer. The authentication hour of the treatment voltage is longer than the authentication hour of the reset voltage. The intensity of the treatment voltage is 1.1 times or greater of the reset voltage. The authentication hour of the treatment voltage is one micro-second or greater. The treatment voltage is one pulse voltage. The treatment voltage comprises two or more pulse voltages which are consecutively applied.

Abstract translation: 提供了相变存储器件的操作方法，通过授权处理电压大于相变层的复位电压，将相变层恢复到稳态。 相变存储器件的操作方法授权处理电压大于相变层的复位电压。 处理电压的认证时间长于复位电压的认证时间。 处理电压的强度是复位电压的1.1倍以上。 治疗电压的认证时间为1微秒或更大。 处理电压为一脉冲电压。 处理电压包括连续施加的两个或更多个脉冲电压。

公开(公告)号：KR1020090076597A

公开(公告)日：2009-07-13

申请号：KR1020080002636

申请日：2008-01-09

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김철규 ,  권민호 ,  강윤호 ,  강윤선 ,  이태연 ,  허성 ,  김기범 ,  남성욱 ,  이동복

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/126 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/143

Abstract: A phase change memory device and a method of manufacturing the same are provided, which can prevent misalignment problem of the bottom electrode and diffusion stopper. The phase change memory device comprises the storage node and the switching element connected to the storage node. The storage node comprises electrode and phase-change layer(30). The diffusion stopper(20) includes the silicide compound between the electrode and phase-change layer. The silicide compound includes at least one among silicide, silicide oxide, and silicide nitride. The electrode is the bottom electrode(10).

Abstract translation: 提供了一种相变存储器件及其制造方法，其可以防止底部电极和扩散塞的不对准问题。 相变存储器件包括存储节点和连接到存储节点的开关元件。 存储节点包括电极和相变层（30）。 扩散阻挡层（20）包括电极和相变层之间的硅化物。 硅化物化合物包括硅化物，硅化物氧化物和氮化硅中的至少一种。 电极是底部电极（10）。

公开(公告)号：KR101136358B1

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：KR1020040104222

申请日：2004-12-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강윤호 ,  김병주 ,  김장섭 ,  권성규

IPC: C09D11/30 ,  G03F7/004 ,  G02B5/20

CPC classification number: C09D11/30 ,  C09D11/322 ,  C09D11/36 ,  C09D11/38 ,  G02B5/201

Abstract: 컬러필터용 잉크 조성물은 안료 분산체 100 중량부, 상기 안료 분산체 100 중량부에 대하여 각각, 측쇄에 히드록시기를 갖는 열경화성 수지 7 내지 65 중량부, 열 개시제 0.015 내지 1.5 중량부, 플루오르기를 갖는 에폭시계 모노머 0.8 내지 15 중량부 및 용제 15 내지 165 중량부를 포함한다. 상기 잉크 조성물을 이용하여 제조되는 컬러필터 기판은 기판, 상기 기판 상에 형성되고, 상기 기판을 투과한 광을 차단하고 화소 공간을 형성하는 차광층 및 상기 화소 공간 내에 형성되어 상기 광에 응답하여 고유의 색을 발현하는 색 화소층을 포함한다. 상기 색 화소층은 측쇄에 히드록시기를 갖는 열경화성 수지와 플루오르기를 갖는 에폭시계 모노머가 가교 반응하여 형성된 가교 결합체를 포함한다.

公开(公告)号：KR101002935B1

公开(公告)日：2010-12-21

申请号：KR1020030075086

申请日：2003-10-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강윤호 ,  배동호 ,  김장섭

IPC: G03F7/027

CPC classification number: G03F7/0007 ,  C07D303/24 ,  C07D407/14 ,  C08G59/245 ,  G03F7/038

Abstract: 에폭시기 및 찰콘(chalcone)기를 가지는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물이 기재되어 있다. 상기 화합물은 열경화 작용을 하는 에폭시기 및 광경화 작용을 하는 찰콘기를 모두 가지므로 경화 효율이 높다. 따라서 상기 화합물을 포함하는 포토레지스트 조성물을 이용하여 포토레지스트 패턴을 형성하면 잔사가 감소한다. 또한, 상기 포토레지스트 조성물로 형성된 컬러 필터 패턴은 색재현율이 우수하고 휘도가 높다.
[화학식 1]

식 중, n은 1 내지 10000의 정수이고, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8은 각각 수소원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자 또는 니트로기를 나타낸다.

公开(公告)号：KR1020070087869A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：KR1020060001392

申请日：2006-01-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 노진서 ,  김기준 ,  강윤호

IPC: H01L27/115

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625

Abstract: A phase changing material, a phase changing memory comprising the same, and a method for operating the same are provided to reduce the size of a transistor and to increase the level of integration of PRAM(Phase changing Random Access Memory) by lowering reset current. A phase changing memory includes a switching element and a storage node connected to the switching element. The storage node includes a first electrode(52), a phase changing layer(60), and a second electrode(62). The phase changing layer is formed by doping Ge into an InSbTe compound. The Ge of the phase changing layer is equal to or less than 10 atom percent. The InSbTe compound is formed with In of 20 to 50 atom percent, Sb of 10 to 20 atom percent, and Te of 30 to 55 atom percent.

Abstract translation: 提供相变材料，包括该相变材料的相变存储器及其操作方法，以减小晶体管的尺寸并通过降低复位电流来增加PRAM（相变随机存取存储器）的集成度。 相变存储器包括开关元件和连接到开关元件的存储节点。 存储节点包括第一电极（52），相变层（60）和第二电极（62）。 相变层通过将Ge掺杂入InSbTe化合物而形成。 相变层的Ge等于或小于10原子％。 InSbTe化合物由20〜50原子％的In，10〜20原子％的Sb，30〜55原子％的Te构成。

公开(公告)号：KR1020070055222A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：KR1020050113680

申请日：2005-11-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김장섭 ,  김병주 ,  강윤호 ,  권성규 ,  이광호 ,  곽창훈

IPC: G02F1/1339 ,  G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133514 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/1339 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2201/121

Abstract: 컬러필터기판 및 이를 갖는 표시장치에서, 어레이 기판은 투과전극 및 반사전극으로 이루어진다. 투과전극은 제1 베이스 기판 상에 형성되어 외부로부터 입사된 제1 광을 투과시키고, 반사전극은 제1 베이스 기판 상에 형성되어 외부로부터 입사되고, 제1 광과 반대 방향으로 진행하는 제2 광을 반사한다. 컬러필터기판은 컬러필터층 및 이격부재를 포함한다. 컬러필터층은 제2 베이스 기판 상에 형성되고, 반사전극이 형성된 반사영역에서 제2 베이스 기판을 부분적으로 노출시키는 개구부를 갖는다. 이격부재는 투명한 재질로 이루어지고, 개구부가 형성된 위치에 대응하여 제2 베이스 기판 상에 형성된다. 따라서, 반사모드와 투과모드에서 색재현성 차이로 인한 표시불량을 방지하여 표시특성을 향상시킬 수 있다.
컬러필터층, 스페이서

公开(公告)号：KR1020070027074A

公开(公告)日：2007-03-09

申请号：KR1020050079454

申请日：2005-08-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권성규 ,  이승황 ,  김병주 ,  김장섭 ,  강윤호 ,  이광호 ,  곽창훈

IPC: B41J2/07

CPC classification number: B41J2/125

Abstract: A controlling apparatus of an inkjet head and a method thereof are provided to reduce inferiority of a color filter due to inaccurate ink dropping by adjusting an opening time of each nozzle and a slope angle of the inkjet head considering positions of the nozzles. A controlling apparatus of an inkjet head includes a plurality of nozzles(410), a position detecting unit(41) to detect positions of the respective nozzles and to output position detecting signals corresponding to the detected positions, and an inkjet head controlling unit to determine the respective positions of the nozzles based on the position detecting signals from the position detecting unit and to control a slope angle of the inkjet head and an opening time of the respective nozzles based on the determined nozzle positions. The position detecting unit is a CCD camera. The position detecting signals have an X-axis coordinate value and a Y-axis coordinate value. The inkjet head controlling unit includes a memory device(42) to store respective reference position information of the respective nozzles. The inkjet head controlling unit compares the determined respective nozzle positions with the respective corresponding reference position information.

Abstract translation: 提供了一种喷墨头的控制装置及其方法，以通过调整每个喷嘴的打开时间以及考虑喷嘴的位置的喷墨头的倾斜角度来减少由于不准确的墨滴而引起的滤色器的劣化。 喷墨头的控制装置包括多个喷嘴（410），用于检测各个喷嘴的位置并输出与检测到的位置对应的位置检测信号的位置检测单元（41），以及喷墨头控制单元 基于来自位置检测单元的位置检测信号的喷嘴的相应位置，并且基于所确定的喷嘴位置来控制喷墨头的倾斜角和各个喷嘴的打开时间。 位置检测单元是CCD摄像机。 位置检测信号具有X轴坐标值和Y轴坐标值。 喷墨头控制单元包括存储各个喷嘴的各个基准位置信息的存储装置（42）。 喷墨头控制单元将确定的各个喷嘴位置与相应的对应参考位置信息进行比较。

公开(公告)号：KR1020070025326A

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：KR1020050081362

申请日：2005-09-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강윤호 ,  김병주 ,  김장섭 ,  권성규 ,  이광호 ,  곽창훈 ,  윤천

IPC: B41J2/01

CPC classification number: B41J2/21 ,  B41J29/00

Abstract: An apparatus and a method of forming a color filter are provided to readily find a pixel, in which a sufficiently thick color filter is not formed, after injecting color ink. An apparatus for forming a color filter includes a stage(10), a support frame(20), a mask(30) and an injector(40). The stage allows a substrate to be mounted thereon. The support frame is disposed on the stage. The mask is mounted on the support frame and spaced apart from the substrate. The injector injects color ink onto the substrate. The substrate has a plurality of openings into which different colors of ink are inserted. The mask has a plurality of holes overlapping the openings and filled with the same colors of ink. The holes are separately formed along a region in which the holes overlap the openings. The holes are formed to include a region for connecting the openings in one direction.

Abstract translation: 提供一种形成滤色器的装置和方法，以便在注入彩色墨水之后容易地找到其中未形成足够厚的滤色器的像素。 用于形成滤色器的装置包括台（10），支撑框架（20），掩模（30）和注射器（40）。 该台允许将衬底安装在其上。 支撑框架设置在舞台上。 掩模安装在支撑框架上并与衬底间隔开。 喷射器将彩色墨水注入到基底上。 基板具有多个开口，其中插入不同颜色的墨。 掩模具有与开口重叠的多个孔，并且填充有相同颜色的墨。 孔沿着孔与开口重叠的区域分开形成。 孔形成为包括用于沿一个方向连接开口的区域。

公开(公告)号：KR1020070024952A

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：KR1020050080618

申请日：2005-08-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강윤호 ,  드부렌체스키브이.아나톨리

IPC: H01L21/8247 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L21/02164 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C23C16/301 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31604 ,  H01L29/42332 ,  Y10S977/779 ,  Y10S977/81 ,  Y10S977/89

Abstract: A method for fabricating germanium nano clusters is provided to be usefully applied in fabricating a flash memory device by easily forming germanium nano clusters uniformly embedded in a silicon oxide layer. A silicon oxide layer is formed on a silicon substrate(10). A GeO layer is formed on the silicon oxide layer in oxygen atmosphere of a low density. The GeO layer is transformed into a GeO2 layer and Ge nano clusters(50) wherein the substrate is annealed at the temperature of 600 deg.C. The GeO2 layer is transformed into a SiO2 layer(70).

Abstract translation: 提供了一种用于制造锗纳米簇的方法，通过容易地形成均匀地嵌入在氧化硅层中的锗纳米簇，可用于制造闪速存储器件。 在硅衬底（10）上形成氧化硅层。 在低氧密度的氧气氛中的氧化硅层上形成GeO层。 将GeO层转变成GeO 2层和Ge纳米簇（50），其中衬底在600℃的温度下退火。 将GeO 2层转变成SiO 2层（70）。

公开(公告)号：KR1020070024236A

公开(公告)日：2007-03-02

申请号：KR1020050078961

申请日：2005-08-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최지원 ,  김병주 ,  강윤호 ,  심이섭 ,  최진경

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133512 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/133516 ,  G02F2001/136236 ,  G03F7/0007

Abstract: A liquid crystal display panel and a manufacturing method thereof are provided to improve uniformity of thickness of color filters when forming the color filters by ink-jet manner and reduce a time required to form the color filters. A liquid crystal display panel includes an insulating substrate(210), a black matrix having first barrier walls forming predetermined filter spaces(B) and a plurality of second barriers walls(225) thinner than the first barrier walls, and color filters filled in the filter spaces and covering the second barrier walls. The first barrier walls are formed of first outer barrier walls(221) at edges of the insulating substrate, first inner barrier walls(222) intersecting the second barrier walls, and first divisional barrier walls(223) extended in an extension direction of the second barrier wall for distinguishing at least one or more of the second barrier walls. The second barrier walls intersect the first inner barrier walls, defining the insulating substrate into a plurality of pixels. The color filters of same color are filled in the filter spaces in an extension direction of the first inner barrier walls, and color filters of different color are filled in the filter spaces distinguished by the first inner barrier walls serving as boundary lines.

Abstract translation: 提供一种液晶显示面板及其制造方法，以通过喷墨方式形成滤色器时提高滤色器的厚度的均匀性，并减少形成滤色器所需的时间。 液晶显示面板包括绝缘基板（210），具有形成预定过滤空间（B）的第一阻挡壁的黑矩阵和比第一阻挡壁更薄的多个第二阻挡壁（225） 过滤空间并覆盖第二阻隔壁。 所述第一阻挡壁由所述绝缘基板的边缘处的第一外侧阻挡壁（221）形成，与所述第二阻挡壁相交的第一内侧阻挡壁（222）和与所述第二阻挡壁（222）的延伸方向延伸的第一分隔壁 用于区分至少一个或多个第二阻挡壁的阻挡壁。 第二阻挡壁与第一内部阻挡壁相交，将绝缘基板限定为多个像素。 相同颜色的滤色片在第一内阻挡壁的延伸方向上填充在过滤空间中，并且不同颜色的滤色器填充在由作为边界线的第一内阻壁所区分的过滤空间中。