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公开(公告)号：WO2022097944A1
公开(公告)日：2022-05-12
申请号：PCT/KR2021/014185
申请日：2021-10-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G10L21/0272 , G10L25/30 , G10L19/16 , G06N3/08
Abstract: 전자 장치 및 이의 오디오 신호 처리 방법이 제공된다. 본 개시에 따른 전자 장치는 입력 오디오 신호를 전처리하는 제1 프로세서, 전처리된 오디오 신호를 저장하는 메모리 및 학습된 신경망 모델에 전처리된 오디오 신호를 입력하여 전처리된 오디오 신호의 소스를 분리하기 위한 마스크 데이터를 획득하며, 획득된 마스크 데이터를 메모리에 저장하는 제2 프로세서를 포함하며, 제1 프로세서는 입력 오디오 신호를 전처리하고 기설정된 시간이 지연된 후 메모리에 저장된 마스크 데이터를 이용하여 전처리된 오디오 신호의 소스를 분리하며, 소스가 분리된 오디오 신호를 후처리한다.
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公开(公告)号：WO2013024915A1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：PCT/KR2011/006014
申请日：2011-08-17
IPC: H01L21/203 , C23C14/35 , H01L21/285
CPC classification number: H01J37/3411 , C23C14/0641 , C23C14/34 , H01L31/1884 , H01L33/42 , Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 일 측면은, 기판 위에 제1 및 제2 도전형 질화물 반도체층과, 그 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계와, 기판 상에 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층과 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계와, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 상기 제2 도전형 질화물 반도체층의 일부 영역이 노출되는 포토레지스트막을 형성하는 단계 및 상기 포토레지스트막에 의하여 노출된 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 위에 제2 전극 구조로서 반사 금속층 및 배리어 금속층을 연속으로 형성한 후 상기 포토레지스트막을 제거하는 단계를 포함하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다.
Abstract translation: 根据本发明的一个方面，提供一种用于制造由此制造的氮化物半导体发光器件和氮化物半导体发光器件的方法。 制造氮化物半导体发光器件的方法包括以下步骤：在衬底上形成第一和第二导电型氮化物半导体层，以在第一和第二导电型氮化物半导体层之间形成包括有源层的发光结构; 依次形成第一导电型氮化物半导体层，有源层和第二导电型氮化物半导体层; 形成连接到所述第一导电型氮化物半导体层的第一电极; 在所述第二导电型氮化物半导体层上形成光致抗蚀剂膜以暴露所述第二导电型氮化物半导体层的一部分; 在用光致抗蚀剂膜曝光的第二导电型氮化物半导体层上依次形成用作第二电极的反射金属层和阻挡层之后，除去光致抗蚀剂膜。
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公开(公告)号：WO2016048049A1
公开(公告)日：2016-03-31
申请号：PCT/KR2015/010046
申请日：2015-09-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 개시는 센서 네트워크(Sensor Network), 사물 통신(Machine to Machine, M2M), MTC(Machine Type Communication) 및 사물 인터넷(Internet of Things, IoT)을 위한 기술과 관련된 것이다. 본 개시는 상기 기술을 기반으로 하는 지능형 서비스(스마트 홈, 스마트 빌딩, 스마트 시티, 스마트 카 혹은 커넥티드 카, 헬스 케어, 디지털 교육, 소매업, 보안 및 안전 관련 서비스 등)에 활용될 수 있다. 본 발명의 실시예들은 무선 통신시스템에서 무선 기기들 사이에서 송수신되는 신호를 이용하여 무선 기기의 거리를 측정하는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 무선 통신시스템의 제1 전자 장치에 의한 거리 측정 방법은, 제2 전자 장치와 협상하는 과정; 및 상기 제2 전자 장치와의 협상 결과에 기반하여 다수의 측정 방식들 중에서 선택된 어느 한 측정 방식에 따라 상기 제1 전자 장치와 상기 제2 전자 장치 사이의 거리를 측정하는 과정을 포함한다. 이러한 본 발명의 실시예들은 무선 기기들 사이의 특성을 고려함으로써 거리 측정 의도에 가장 적합한 거리 측정 방식에 따라 무선 기기들 사이의 거리를 측정할 수 있는 효과가 있다.
Abstract translation: 本公开涉及传感器网络，机器对机器（M2M）通信，机器类型通信（MTC）和物联网（IoT）的技术问题。 本公开可以用于智能家居，智能建筑，智能城市，智能车，连接车，医疗保健，数字教育，零售业务，安全和安全相关服务等智能服务。 本发明的实施例提供一种使用在无线通信系统中的无线装置之间发送和接收的信号来测量无线装置的范围的装置和方法。 根据本发明的实施例，测量范围的无线通信系统的第一电子设备的方法包括以下处理：与第二电子设备协商; 并且基于第二电子设备的协商结果，根据从多个测量方法中选择的测量方法来测量第一电子设备和第二电子设备之间的范围。 本发明的实施例具有这样的有利效果：通过考虑无线装置之间的特性，可以使用用于范围测量目的的最适合的范围测量方法来测量无线装置之间的范围。
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公开(公告)号：WO2023075305A1
公开(公告)日：2023-05-04
申请号：PCT/KR2022/016132
申请日：2022-10-21
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 전자 장치는, 하우징, 상기 하우징 내에 배치되고, 제1기판면 및 상기 제1기판면에 반대되는 제2기판면을 포함하고, 표면을 관통하는 개구부가 형성되는 인쇄회로기판, 전방이 상기 제1방향을 향하도록, 상기 개구부에 배치되고, 상기 인쇄회로기판에 전기적으로 연결되어 음향을 발생시키는 음향 모듈, 상기 제2기판면을 바라본 상태에서, 상기 개구부를 커버하도록 상기 제2기판면에 연결되는 쉴드 캔, 및 상기 제1기판면에 마주하도록 배치되는 프레임을 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2019112182A1
公开(公告)日：2019-06-13
申请号：PCT/KR2018/013208
申请日：2018-11-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N21/466 , H04N21/485 , H04N21/439 , H04N5/60
CPC classification number: H04N5/60 , H04N21/439 , H04N21/466 , H04N21/485
Abstract: 디스플레이 장치는 사용자 입력을 수신하는 사용자 입력부; 컨텐츠 소스로부터 컨텐츠 데이터를 수신하는 컨텐츠 수신부; 컨텐츠 데이터에 포함된 영상을 표시하는 표시부; 컨텐츠 데이터에 포함된 음향을 출력하는 음향부; 컨텐츠 데이터를 음향 데이터로 디코딩하고, 사용자 입력을 기초로 음향 파라미터에 관한 강화 학습의 결과에 따라 음향 파라미터를 설정하고, 설정된 음향 파라미터에 따라 음향 데이터를 음향 신호로 변환하고, 음향 신호에 대응하는 음향을 출력하도록 음향부를 제어하는 프로세서를 포함할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2017057912A1
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：PCT/KR2016/010895
申请日：2016-09-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F9/44 , G06F3/048 , G06F3/0488
CPC classification number: G06F3/048 , G06F3/0488 , G06F9/44
Abstract: 본 개시는 전자 장치의 사용자 패턴을 반영한 프리로딩(preloding) 어플리케이션(application) 선정 및 프리로딩 레벨(level)을 결정하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 개시에 따른 전자 장치는 어플리케이션의 스코어를 결정하기 위한 데이터 관리부, 상기 어플리케이션의 스코어를 기초로 프리로딩(preloading) 어플리케이션을 선정하는 어플리케이션 선정부를 포함한다. 또한 전자 장치는 선정된 프리로딩 대상 어플리케이션에 대하여 전자 장치의 상태를 나타내는 변수 및 스코어를 기초로 프리로딩 레벨을 결정하는 프리로딩 레벨 결정부를 더 포함할 수 있다.
Abstract translation: 本公开涉及一种用于选择反映电子设备的用户模式并确定预加载电平的预加载应用的装置和方法。 根据本公开的电子设备包括：数据管理单元，用于确定应用的得分; 以及应用选择单元，用于基于应用的得分选择预加载应用。 此外，电子装置还可以包括预加载电平确定单元，用于基于变量和相对于所选择的预加载目标应用的电子设备的状态的分数来确定预加载电平。
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公开(公告)号：KR1020090076597A
公开(公告)日：2009-07-13
申请号：KR1020080002636
申请日：2008-01-09
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/126 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/143
Abstract: A phase change memory device and a method of manufacturing the same are provided, which can prevent misalignment problem of the bottom electrode and diffusion stopper. The phase change memory device comprises the storage node and the switching element connected to the storage node. The storage node comprises electrode and phase-change layer(30). The diffusion stopper(20) includes the silicide compound between the electrode and phase-change layer. The silicide compound includes at least one among silicide, silicide oxide, and silicide nitride. The electrode is the bottom electrode(10).
Abstract translation: 提供了一种相变存储器件及其制造方法，其可以防止底部电极和扩散塞的不对准问题。 相变存储器件包括存储节点和连接到存储节点的开关元件。 存储节点包括电极和相变层（30）。 扩散阻挡层（20）包括电极和相变层之间的硅化物。 硅化物化合物包括硅化物，硅化物氧化物和氮化硅中的至少一种。 电极是底部电极（10）。
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公开(公告)号：KR1020090068817A
公开(公告)日：2009-06-29
申请号：KR1020070136585
申请日：2007-12-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: G11C13/0038 , G11C5/14 , G11C7/20 , G11C13/0004
Abstract: An operation method of the phase change memory device is provided, which recovers the phase-change layer to the steady-state by authorizing the treatment voltage greater than the reset voltage to the phase-change layer. An operation method of the phase change memory device authorizes the treatment voltage which is greater than the reset voltage to the phase-change layer. The authentication hour of the treatment voltage is longer than the authentication hour of the reset voltage. The intensity of the treatment voltage is 1.1 times or greater of the reset voltage. The authentication hour of the treatment voltage is one micro-second or greater. The treatment voltage is one pulse voltage. The treatment voltage comprises two or more pulse voltages which are consecutively applied.
Abstract translation: 提供了相变存储器件的操作方法，通过授权处理电压大于相变层的复位电压，将相变层恢复到稳态。 相变存储器件的操作方法授权处理电压大于相变层的复位电压。 处理电压的认证时间长于复位电压的认证时间。 处理电压的强度是复位电压的1.1倍以上。 治疗电压的认证时间为1微秒或更大。 处理电压为一脉冲电压。 处理电压包括连续施加的两个或更多个脉冲电压。
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公开(公告)号：KR100937167B1
公开(公告)日：2010-01-15
申请号：KR1020070054762
申请日：2007-06-05
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 본 발명은 나노 구조체의 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 기판 상에 전도층 및 양극산화물질층을 순서대로 형성하는 단계; 상기 양극산화물질층을 양극산화시켜 다수의 나노 포어를 형성하는 단계; 상기 나노 포어 하부에 형성된 상기 양극산화물질층의 산화물을 제거하여, 상기 양극산화물질층의 산화물 하부와 상기 전도층 표면 사이에 형성된 상기 전도층의 산화물을 노출시키는 단계; 및 상기 노출된 전도층의 산화물을 제거하여, 상기 나노 포어 하부에 상기 전도층을 노출시키는 단계를 포함하는 나노 구조체의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 나노 포어 하부의 전도층의 산화물만을 선택적으로 제거할 수 있어, 나노 포어 내부에 성장시킨 물질과 하부전극과의 전도성이 우수하게 유지되어, 소자로서 기능성을 향상시킬 수 있다.
나노 구조체, 나노 포어, 양극산화물질층, 전도층, 하부전극, 산화물, 식각용액-
公开(公告)号：KR100713943B1
公开(公告)日：2007-05-07
申请号：KR1020050086454
申请日：2005-09-15
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/115
Abstract: 본 발명은 상변화층과 전기적 발열체인 하부전극 간의 접촉면적을 감소시키고, 이를 통해 높은 전류밀도를 획득하여 문턱전류, 문턱전압 및 되돌이 전류 등의 값을 감소시킬 수 있는 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 하부전극과, 상기 하부전극 상에 다공성 부도체 박막을 주형으로 이용하고, 상기 다공성 부도체 박막에 형성된 기공을 발열체 또는 상변화 물질로 매립시켜 형성된 오믹 컨택층과, 상기 오믹 컨택층 상에 형성된 상변화층과, 상기 상변화층 상에 형성된 상부전극을 포함하는 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
상변화 메모리 소자, 하부전극, 발열체, 다공성 부도체 박막, 상변화 물질, 기공Abstract translation: 本发明减少了相变层和下部电极的电加热元件，并且此，其获得的高电流密度可以降低到的值，如阈值电流，电压，和通过返回电流和相变存储器件之间的接触面积 旨在提供一种制造方法，本发明的欧姆接触被用于下部电极，并在所述下部电极作为模板的多孔非导电性薄膜，形成由填充形成在多孔绝缘膜作为加热元件或一相变材料用于此目的的孔 它提供了一个相变存储器件和形成在形成于接触层上的欧姆相变层上形成上部电极的制造方法，及层，所述相变层。
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