公开(公告)号：KR1020090076597A

公开(公告)日：2009-07-13

申请号：KR1020080002636

申请日：2008-01-09

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김철규 ,  권민호 ,  강윤호 ,  강윤선 ,  이태연 ,  허성 ,  김기범 ,  남성욱 ,  이동복

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/126 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/143

Abstract: A phase change memory device and a method of manufacturing the same are provided, which can prevent misalignment problem of the bottom electrode and diffusion stopper. The phase change memory device comprises the storage node and the switching element connected to the storage node. The storage node comprises electrode and phase-change layer(30). The diffusion stopper(20) includes the silicide compound between the electrode and phase-change layer. The silicide compound includes at least one among silicide, silicide oxide, and silicide nitride. The electrode is the bottom electrode(10).

Abstract translation: 提供了一种相变存储器件及其制造方法，其可以防止底部电极和扩散塞的不对准问题。 相变存储器件包括存储节点和连接到存储节点的开关元件。 存储节点包括电极和相变层（30）。 扩散阻挡层（20）包括电极和相变层之间的硅化物。 硅化物化合物包括硅化物，硅化物氧化物和氮化硅中的至少一种。 电极是底部电极（10）。

公开(公告)号：KR1020090068817A

公开(公告)日：2009-06-29

申请号：KR1020070136585

申请日：2007-12-24

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김철규 ,  남성욱 ,  김기준 ,  강윤호 ,  이태연 ,  김기범 ,  권민호 ,  이동복

IPC: G11C13/02 ,  G11C5/14

CPC classification number: G11C13/0038 ,  G11C5/14 ,  G11C7/20 ,  G11C13/0004

Abstract: An operation method of the phase change memory device is provided, which recovers the phase-change layer to the steady-state by authorizing the treatment voltage greater than the reset voltage to the phase-change layer. An operation method of the phase change memory device authorizes the treatment voltage which is greater than the reset voltage to the phase-change layer. The authentication hour of the treatment voltage is longer than the authentication hour of the reset voltage. The intensity of the treatment voltage is 1.1 times or greater of the reset voltage. The authentication hour of the treatment voltage is one micro-second or greater. The treatment voltage is one pulse voltage. The treatment voltage comprises two or more pulse voltages which are consecutively applied.

Abstract translation: 提供了相变存储器件的操作方法，通过授权处理电压大于相变层的复位电压，将相变层恢复到稳态。 相变存储器件的操作方法授权处理电压大于相变层的复位电压。 处理电压的认证时间长于复位电压的认证时间。 处理电压的强度是复位电压的1.1倍以上。 治疗电压的认证时间为1微秒或更大。 处理电压为一脉冲电压。 处理电压包括连续施加的两个或更多个脉冲电压。

公开(公告)号：KR100713943B1

公开(公告)日：2007-05-07

申请号：KR1020050086454

申请日：2005-09-15

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기범 ,  이태연 ,  안동호 ,  이동복

IPC: H01L27/115

Abstract: 본 발명은 상변화층과 전기적 발열체인 하부전극 간의 접촉면적을 감소시키고, 이를 통해 높은 전류밀도를 획득하여 문턱전류, 문턱전압 및 되돌이 전류 등의 값을 감소시킬 수 있는 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 하부전극과, 상기 하부전극 상에 다공성 부도체 박막을 주형으로 이용하고, 상기 다공성 부도체 박막에 형성된 기공을 발열체 또는 상변화 물질로 매립시켜 형성된 오믹 컨택층과, 상기 오믹 컨택층 상에 형성된 상변화층과, 상기 상변화층 상에 형성된 상부전극을 포함하는 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
상변화 메모리 소자, 하부전극, 발열체, 다공성 부도체 박막, 상변화 물질, 기공

Abstract translation: 本发明减少了相变层和下部电极的电加热元件，并且此，其获得的高电流密度可以降低到的值，如阈值电流，电压，和通过返回电流和相变存储器件之间的接触面积 旨在提供一种制造方法，本发明的欧姆接触被用于下部电极，并在所述下部电极作为模板的多孔非导电性薄膜，形成由填充形成在多孔绝缘膜作为加热元件或一相变材料用于此目的的孔 它提供了一个相变存储器件和形成在形成于接触层上的欧姆相变层上形成上部电极的制造方法，及层，所述相变层。

公开(公告)号：KR100919692B1

公开(公告)日：2009-10-06

申请号：KR1020060038310

申请日：2006-04-27

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 이태연 ,  김기범 ,  이동복 ,  안동호

IPC: H01L27/115

Abstract: 본 발명은 상변화 물질 부분이 절연물질에 의해 서로 분리되는 성질을 이용하여 상변화 메모리 소자의 동작에 있어서 전류의 경로를 줄여 높은 전류밀도를 획득하여 상변화에 필요한 전기에너지의 소모가 작은 상변화 메모리셀 및 그의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 상변화메모리셀의 상변화층은 상변화물질(예를 들어, GeSbTe)과 절연물질(예를 들어, SiOx)이 혼합되고, 상기 절연물질에 의해 상기 상변화물질이 일정 크기로 분리된다.
상변화메모리, 상변화층, 절연물질, GeSbTe, SiOx

公开(公告)号：KR1020070105752A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：KR1020060038310

申请日：2006-04-27

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 이태연 ,  김기범 ,  이동복 ,  안동호

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1666

Abstract: A phase change random access memory cell and a method for manufacturing the same are provided to maintain a stable state of information stored therein by separating a phase change material such as GeSbTe by using an insulating material such as SiOx. A phase change random access memory cell includes a lower electrode, a phase change layer mixed with a phase change material on the lower electrode, and an upper electrode formed on the phase change layer. The phase change material is separated into a constant size by using the phase change material. The phase change material of the phase change layer is formed of a chalcogenide material of one element which is selected from a group including Te, Se, Ge, Sb, Bi, Pb, Sn, As, S, Si, P, and O.

Abstract translation: 提供了相变随机存取存储单元及其制造方法，以通过使用绝缘材料如SiOx分离诸如GeSbTe的相变材料来保持其中存储的信息的稳定状态。 相变随机存取存储单元包括下电极，与下电极上的相变材料混合的相变层和形成在相变层上的上电极。 通过使用相变材料将相变材料分离成恒定尺寸。 相变层的相变材料由选自由Te，Se，Ge，Sb，Bi，Pb，Sn，As，S，Si，P和O组成的一种元素的硫族化物材料形成。

公开(公告)号：KR1020070031714A

公开(公告)日：2007-03-20

申请号：KR1020050086454

申请日：2005-09-15

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기범 ,  이태연 ,  안동호 ,  이동복

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1666

Abstract: 본 발명은 상변화층과 전기적 발열체인 하부전극 간의 접촉면적을 감소시키고, 이를 통해 높은 전류밀도를 획득하여 문턱전류, 문턱전압 및 되돌이 전류 등의 값을 감소시킬 수 있는 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 하부전극과, 상기 하부전극 상에 다공성 부도체 박막을 주형으로 이용하고, 상기 다공성 부도체 박막에 형성된 기공을 발열체 또는 상변화 물질로 매립시켜 형성된 오믹 컨택층과, 상기 오믹 컨택층 상에 형성된 상변화층과, 상기 상변화층 상에 형성된 상부전극을 포함하는 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
상변화 메모리 소자, 하부전극, 발열체, 다공성 부도체 박막, 상변화 물질, 기공

公开(公告)号：KR1020150131450A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：KR1020140057862

申请日：2014-05-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이동복 ,  임기빈 ,  임영수 ,  하순목 ,  황성욱 ,  강만석 ,  황인석

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L27/10891 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10876 ,  H01L21/0274

Abstract: 반도체소자및 그제조방법이제공된다. 반도체소자는, 제1 방향을따라배열된제1 활성패턴및 제2 활성패턴을정의하는소자분리막을포함하는기판; 상기제1 방향에교차하는제2 방향으로연장되는워드라인; 및상기워드라인상에배치되고, 상기제1 방향및 상기제2 방향에모두교차하는제3 방향을따라연장되어상기워드라인과교차하는비트라인을포함한다. 상기워드라인은, 상기제1 활성패턴과상기제2 활성패턴사이에서국부적으로상기소자분리막내에매립되는격리게이트라인을포함한다. 상기제1 활성패턴은상기제1 방향으로연장되고서로대향하는제1 활성측벽들; 및상기격리게이트라인에인접하고, 상기제2 방향으로연장되는제2 활성측벽을포함한다. 상기제2 활성측벽은상기제1 활성측벽들과접하는제1 에지부및 제2 에지부를포함하고, 평면적관점에서, 상기제1 및제2 에지부들은상기격리게이트라인으로부터실질적으로동일한간격으로이격된다.

Abstract translation: 提供半导体器件和制造方法。 半导体器件包括：衬底，其包括限定第一有源图案的器件隔离膜和沿第一方向布置的第二有源图案; 在与第一方向相交的第二方向上延伸的字线; 以及在与第一方向和第二方向相交的第三方向上延伸并与字线相交的位线。 字线包括在第一活动图案和第二活动图案之间局部地嵌入设备隔离膜中的隔离栅极线。 第一有源图案包括在第一方向上延伸并彼此相对的第一有源侧壁和与隔离栅极线相邻并沿第二方向延伸的第二有源侧壁。 第二有源侧壁包括与第一有源侧壁接触的第一边缘部分和第二边缘部分，并且第一和第二边缘部分在平面方面基本上以与隔离栅极线相同的间隔分开。

公开(公告)号：KR100589051B1

公开(公告)日：2006-06-13

申请号：KR1020000042692

申请日：2000-07-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이동복

IPC: H01L21/18

Abstract: 플라즈마를 생성할 때 임피던스 성분을 조절하기 위한 유도 기전력을 제공할 수 있도록 정합부의 두 개의 코일들의 위치를 가변하는 가변부를 포함하는 플라즈마를 사용하는 반도체 제조 장치가 개시되어 있다. 공정 챔버에는 플라즈마를 생성하기 위한 하부 전극 및 상부 전극이 설치된다. 상기 공정 챔버의 일측에는 서로 다른 권선수를 갖는 두 개의 코일을 갖는 정합부가 설치된다. 그리고 상기 정합부에는 절연 재질로 구성되고, 상기 두 개의 코일의 위치를 가변하여 상기 유도 기전력을 생성하기 위한 가변부가 생성된다. 따라서 상기 가변부에 아킹이 발생하는 것을 최소화할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020030062089A

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：KR1020020002511

申请日：2002-01-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이동복

IPC: H01L21/00

Abstract: PURPOSE: A method for switching a door of a chamber for fabricating a semiconductor device is provided to increase operating efficiency and productivity by arbitrarily inspecting the driving position and the operation speed of the door so that the switching of the door can easily be controlled. CONSTITUTION: A door driving unit selectively drives the door according to a control signal supplied from a controller. The door is located to open or close regarding a gate portion of a chamber, driven by the door driving unit. A detection unit inspects the closed position of the door to apply the signal to the controller, mounted on the door driving unit. The time of the closed position of the door regarding a gate is inspected. The interval of switch time from a time that the control signal regarding the door driving unit is applied to a time that the closed position of the door is inspected is calculated. The interval of driving time of the door driving unit is controlled by using the calculated interval of switch time.

Abstract translation: 目的：提供一种用于切换用于制造半导体器件的室的门的方法，以通过任意检查门的驱动位置和操作速度来提高操作效率和生产率，从而可以容易地控制门的切换。 构成：门驱动单元根据从控制器提供的控制信号选择性地驱动门。 门被设置为打开或关闭由门驱动单元驱动的室的门部分。 检测单元检查门的关闭位置以将信号施加到安装在门驱动单元上的控制器。 检查关于门的关闭位置的时间。 计算从关于门驱动单元的控制信号应用到检查门的关闭位置的时间的开关时间间隔。 通过使用所计算的开关时间间隔来控制门驱动单元的行驶时间间隔。

公开(公告)号：KR1020020088140A

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：KR1020010027067

申请日：2001-05-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이동복 ,  손권

IPC: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: Dry etching equipment is provided to prevent a shadow ring and connection socket from being loosen by changing the connection method of the shadow ring and the socket for wafer edge. CONSTITUTION: The dry etching equipment comprises a process chamber, a source gas supply, a vacuum generator, a couple of plasma electrodes to generate a plasma gas by applying electric field to the source gas, a wafer shadow ring(720) for protecting the wafer edge, and a shadow ring diving unit(730) for a shadow ring pin(710).

Abstract translation: 目的：提供干蚀刻设备，通过改变阴影环和晶片边缘插座的连接方式，防止阴影环和连接插座松动。 构成：干蚀刻设备包括处理室，源气体供应器，真空发生器，一对等离子体电极，以通过向源气体施加电场来产生等离子体气体，用于保护晶片的晶片影子环（720） 边缘，以及用于阴影环销（710）的阴影环潜水单元（730）。