公开(公告)号：KR1020090076597A

公开(公告)日：2009-07-13

申请号：KR1020080002636

申请日：2008-01-09

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김철규 ,  권민호 ,  강윤호 ,  강윤선 ,  이태연 ,  허성 ,  김기범 ,  남성욱 ,  이동복

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/126 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/143

Abstract: A phase change memory device and a method of manufacturing the same are provided, which can prevent misalignment problem of the bottom electrode and diffusion stopper. The phase change memory device comprises the storage node and the switching element connected to the storage node. The storage node comprises electrode and phase-change layer(30). The diffusion stopper(20) includes the silicide compound between the electrode and phase-change layer. The silicide compound includes at least one among silicide, silicide oxide, and silicide nitride. The electrode is the bottom electrode(10).

Abstract translation: 提供了一种相变存储器件及其制造方法，其可以防止底部电极和扩散塞的不对准问题。 相变存储器件包括存储节点和连接到存储节点的开关元件。 存储节点包括电极和相变层（30）。 扩散阻挡层（20）包括电极和相变层之间的硅化物。 硅化物化合物包括硅化物，硅化物氧化物和氮化硅中的至少一种。 电极是底部电极（10）。

公开(公告)号：KR1020090068817A

公开(公告)日：2009-06-29

申请号：KR1020070136585

申请日：2007-12-24

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김철규 ,  남성욱 ,  김기준 ,  강윤호 ,  이태연 ,  김기범 ,  권민호 ,  이동복

IPC: G11C13/02 ,  G11C5/14

CPC classification number: G11C13/0038 ,  G11C5/14 ,  G11C7/20 ,  G11C13/0004

Abstract: An operation method of the phase change memory device is provided, which recovers the phase-change layer to the steady-state by authorizing the treatment voltage greater than the reset voltage to the phase-change layer. An operation method of the phase change memory device authorizes the treatment voltage which is greater than the reset voltage to the phase-change layer. The authentication hour of the treatment voltage is longer than the authentication hour of the reset voltage. The intensity of the treatment voltage is 1.1 times or greater of the reset voltage. The authentication hour of the treatment voltage is one micro-second or greater. The treatment voltage is one pulse voltage. The treatment voltage comprises two or more pulse voltages which are consecutively applied.

Abstract translation: 提供了相变存储器件的操作方法，通过授权处理电压大于相变层的复位电压，将相变层恢复到稳态。 相变存储器件的操作方法授权处理电压大于相变层的复位电压。 处理电压的认证时间长于复位电压的认证时间。 处理电压的强度是复位电压的1.1倍以上。 治疗电压的认证时间为1微秒或更大。 处理电压为一脉冲电压。 处理电压包括连续施加的两个或更多个脉冲电压。

公开(公告)号：KR100925223B1

公开(公告)日：2009-11-06

申请号：KR1020080001229

申请日：2008-01-04

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기범 ,  위정섭 ,  남성욱 ,  임기필

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  B82Y40/00

Abstract: UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드 및 UV 나노 임프린트 리소그라피용 몰드 제조를 위한 적층구조물이 개시된다. 본 발명에 따른 UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드는 투명기판, 투명기판 상에 형성된 광을 투과시키는 전도성 물질로 이루어진 방전층, 방전층 상에 형성된 광을 투과시키고 방전층의 손상을 방지하는 보호층, 보호층 상에 형성된 패터닝된 실리콘층을 구비한다. 본 발명에 따르면, 방전층을 보호하는 산화실리콘층이 방전층 상에 형성되어 있어 피라나 용액으로 표면처리시에 방전층이 손상되지 않는다. 또한, 본 발명에 따른 UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드는 한 번의 식각공정으로 간단하게 형성되므로 제조비용을 절감할 수 있고, 큰 종횡비(aspect ratio)를 가지므로 설계대로 명확하게 패터닝을 할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1020060103357A

公开(公告)日：2006-09-29

申请号：KR1020050025210

申请日：2005-03-26

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기범 ,  남성욱

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82B3/0038 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01P2004/16

Abstract: 본 발명은 나노 와이어 또는 나노 튜브의 선택적 성장을 위한 촉매 물질 양자점 배열 방법이다. 구체적으로는 촉매 물질의 균일한 분포를 가능하게 하기 위해 증착된 감광막을 광 리소그래피 또는 전자빔 리소그래피를 사용하여 일정한 패턴을 형성하고, 형성한 임의의 패턴 위에 촉매 물질을 증착한 후, 일정한 온도에서 열처리를 하여 표면 응집 현상이 발생하게 함으로써 촉매 물질 원자들이 계면 에너지가 낮아지는 방향으로 확산하여 감광막 패턴의 형태에 따라 촉매 물질 양자점들을 형성한다. 이러한 방법으로 촉매물질 양자점들의 자기 조립화가 가능하며, 또한 감광막 패턴에 의하여 촉매 물질을 격리되게 하는 자기 격리화가 가능하다.
나노 와이어, 나노 튜브, 선택적 성장, 촉매물질, 양자점

公开(公告)号：KR1020090075392A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：KR1020080001229

申请日：2008-01-04

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기범 ,  위정섭 ,  남성욱 ,  임기필

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  B82Y40/00

CPC classification number: G03F7/0015 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  Y10S977/887

Abstract: A mold for uv nano-imprint lithography and a laminated structure for thereof are provided to prevent the damage of a discharge layer in surface treatment with a piranha solution by forming the discharge layer with an oxide silicon layer. A discharge layer(520) is made of a conductive material transmitting a light formed on the transparent substrate(510). A protective layer transmits the light formed on the discharge layer and prevents the damage of the protective layer. A silicon layer(540) is formed on the protective layer. An electronic beam resist layer(550) is formed on the silicon layer, and while being made of the HSQ(hydrogen silsesquioxane).

Abstract translation: 提供了一种用于uv纳米压印光刻的模具及其层压结构，以通过用氧化硅层形成放电层来防止用食人鱼溶液进行表面处理的放电层的损坏。 放电层（520）由透射形成在透明基板（510）上的光的导电材料制成。 保护层透过形成在放电层上的光并防止保护层的损坏。 在保护层上形成硅层（540）。 在硅层上形成电子束阻挡层（550），同时由HSQ（氢倍半硅氧烷）制成。

公开(公告)号：KR100699948B1

公开(公告)日：2007-03-26

申请号：KR1020050025210

申请日：2005-03-26

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기범 ,  남성욱

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 나노 와이어 또는 나노 튜브의 선택적 성장을 위한 촉매 물질 양자점 배열 방법이다. 구체적으로는 촉매 물질의 균일한 분포를 가능하게 하기 위해 증착된 감광막을 광 리소그래피 또는 전자빔 리소그래피를 사용하여 일정한 패턴을 형성하고, 형성한 임의의 패턴 위에 촉매 물질을 증착한 후, 일정한 온도에서 열처리를 하여 표면 응집 현상이 발생하게 함으로써 촉매 물질 원자들이 계면 에너지가 낮아지는 방향으로 확산하여 감광막 패턴의 형태에 따라 촉매 물질 양자점들을 형성한다. 이러한 방법으로 촉매물질 양자점들의 자기 조립화가 가능하며, 또한 감광막 패턴에 의하여 촉매 물질을 격리되게 하는 자기 격리화가 가능하다.
나노 와이어, 나노 튜브, 선택적 성장, 촉매물질, 양자점

公开(公告)号：KR1020070066216A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：KR1020050127103

申请日：2005-12-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남성욱

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1339

CPC classification number: G02F1/133514 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/1339 ,  G02F2201/121

Abstract: A short pattern, a color filter substrate having the same, a manufacturing method thereof and an LCD(Liquid Crystal Display) are provided to reduce the processing time required for dotting a short pattern by forming the short pattern at the circumference of the color filter substrate. Plural color filters are formed on a substrate. A black matrix is formed between the color filters and intercepts the light beam. A planarization layer is formed on the plural color filters. A common electrode is formed on the planarization layer. Plural short patterns are formed at the circumference of the substrate in order to electrically connect the substrate with another substrate. The short pattern includes a base layer formed on any one of upper and lower substrates of the LCD with the predetermined height. The planarization layer(340) is formed on the base layer. A conduction layer(350) is formed on the planarization layer. The base layer includes plural color photo resist layers with predetermined colors. The short pattern is formed on the upper substrate having the color filter as a column shape.

Abstract translation: 提供短图案，具有该短图案的滤色器基板，其制造方法和LCD（液晶显示器），以通过在滤色器基板的周边形成短图案来减少点状短图案所需的处理时间 。 在基板上形成多个滤色器。 在滤色器之间形成黑色矩阵并截取光束。 在多个滤色器上形成平坦化层。 在平坦化层上形成公共电极。 在基板的圆周处形成多个短图案，以便将基板与另一个基板电连接。 短图案包括形成在具有预定高度的LCD的上基板和下基板的任何一个上的基底层。 平坦化层（340）形成在基层上。 在平坦化层上形成导电层（350）。 基层包括具有预定颜色的多个彩色光致抗蚀剂层。 短图案形成在具有滤色器的上基板上作为柱形。

公开(公告)号：KR1020070053516A

公开(公告)日：2007-05-25

申请号：KR1020050111381

申请日：2005-11-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남성욱

IPC: G02F1/13

CPC classification number: G02F1/13 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/68785

Abstract: 본 발명은 액정 표시 장치에서 LCD 셀 내에 액정 주입 및 봉합 처리 후 수행되는 액정 배향 열처리용 냉각기에 관한 것이다. 이러한 본 발명의 액정 배향 열처리용 냉각기는 LCD 셀을 지지하고 유체가 상하로 유동할 수 있는 받침대와, 상기 받침대의 하부에 설치되어 상기 LCD 셀에 냉각 가스를 분사하는 냉각 가스 노즐을 포함한다. 본 발명의 액정 배향 열처리용 냉각기는 냉각 가스가 LCD 셀을 냉각한 후 LCD 셀을 향하여 다시 유동하지 않고 자연스럽게 외부로 배출된다. 따라서, LCD 셀은 전체적으로 고르게 냉각되며 그에 따라서 냉각기의 냉각 효율도 향상된다.
배향막, 액정, 급냉, 열처리, Tni, 열처리, 냉각 가스