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公开(公告)号：KR1020050009808A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：KR1020030048881
申请日：2003-07-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/3244
Abstract: PURPOSE: An etching apparatus is provided to control a density, a deposition rate, an etch rate and uniformity of plasma by adjusting a gas density and gas speed on a wafer in a chamber. CONSTITUTION: A gas supply part(22) has at least a pair of gas supply holes. At least one gas distribution part(2) is separated from the gas supply part by an isolated space, including an upper partition wall and a lower partition wall. The upper partition wall is of a loop type, protruding from the center region of the upper plate of the gas distribution part. The lower partition wall is of a loop type, protruding from the center region of the lower plate of the gas distribution part. A shower head injects process gas into a chamber(1), separated from the gas distribution part by an isolated space.
Abstract translation: 目的：提供蚀刻装置，通过调节腔室中的晶片上的气体密度和气体速度来控制密度，沉积速率，等离子体的蚀刻速率和均匀性。 构成：气体供给部（22）具有至少一对气体供给孔。 至少一个气体分配部分（2）通过包括上分隔壁和下分隔壁的隔离空间与气体供应部分分离。 上分隔壁是从气体分配部的上板的中心区域突出的环状。 下分隔壁是从气体分配部的下板的中心区域突出的环状。 淋浴头将处理气体注入到室（1）中，与气体分配部分隔开隔离空间。
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公开(公告)号：KR1020000020758A
公开(公告)日：2000-04-15
申请号：KR1019980039506
申请日：1998-09-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/22
Abstract: PURPOSE: An analyzing method is provided to measure impurity doping density of a specific thin film by measuring refractivity, absorbance or reflectance of the specific thin film regarding light having a specific range of a wavelength. CONSTITUTION: A method of analyzing impurity doping density of a thin film comprises the steps of: manufacturing a plurality of a standard wafers on which a standard thin film having different impurity doping density is formed and measuring optic data of a specific range of a wavelength regarding the standard thin film by applying a light source of a predetermined range to the standard wafer; inducing a mutual relation between the impurity doping density of the standard thin film and the optic data; measuring the optic data of the analyzed thin film regarding the same wavelength range as used in measuring the optic data of the standard thin film by applying a light source of a predetermined range to a semiconductor substrate on which a predetermined thickness of an analyzed thin film doped with impurities of arbitrary density is formed; and analyzing impurity doping density of the analyzed thin film from the optic data of the analyzed thin film and the mutual relation.
Abstract translation: 目的：提供一种分析方法，通过测量具有特定波长范围的光的特定薄膜的折射率，吸光度或反射率来测量特定薄膜的杂质掺杂密度。 构成：分析薄膜的杂质掺杂浓度的方法包括以下步骤：制造多个其上形成具有不同杂质掺杂密度的标准薄膜的标准晶片，并测量波长相关的波长的特定范围的光学数据 所述标准薄膜通过将一预定范围的光源施加于所述标准晶片; 引起标准薄膜的杂质掺杂浓度与光学数据之间的相互关系; 通过将预定范围的光源施加到预定厚度的分析薄膜掺杂的半导体衬底上，测量与用于测量标准薄膜的光学数据相同的波长范围的分析薄膜的光学数据 形成任意密度的杂质; 并从分析的薄膜的光学数据和相互关系中分析分析的薄膜的杂质掺杂密度。
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公开(公告)号：KR100240125B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019970007962
申请日：1997-03-10
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김정욱
IPC: G12B17/02
Abstract: 이 발명은 전자기 차폐를 개선한 옵션카드 장착장치 및 이를 사용한 컴퓨터에 관한 것으로, 옵션카드에 연결되어 있는 옵션카드 슬롯과; 상기 옵션카드 슬롯이 외부의 메인보드에 정확히 끼워지도록 가이드 역할을 하고, 옵션카드 블라켓이 휘었더라도 전자기 방해 차폐작용이 되도록 하는 메인보드 샤시를 포함하여 구성되어, 메인보드와 옵션카드의 접촉을 강화하고 빈 공간이 발생치 않도록 옵션카드의 유입을 가이드 할 성형구조를 추가하여 작은 빈 공간이라도 발생되지 않도록, 또한 고주파 신호의 유출이 가능한한 되지 않도록 할 수 있는 전자기 차폐를 개선한 옵션카드 장착장치 및 이를 사용한 컴퓨터에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR100191233B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960034496
申请日：1996-08-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 상온에서 물성요소의 변화가 없이 일정한 시그널(Signal)을 유지하는 시료로서 열파동(Thermal Wave)을 이용하여 이온주입의 정도를 평가하는 검사장치의 검,교정이 정확하게 이루어지도록 개선시킨 반도체 기준시료의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은, 열파동(Thermal Wave)을 이용하여 이온주입에 따른 손상정도를 평가하는 검사장치를 검,교정하기 위한 반도체 기준시료의 제조방법에 있어서, 소정의 에너지로 이온이 주입된 반도체 시료를 베이킹(Baking)하는 단계 및 상기 베이킹이 수행된 반도체 시료를 플라즈마(Plasma)를 이용하여 표면을 처리하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 열파동을 이용하여 이온주입을 평가하는 검사장치의 정확한 검,교정이 이루어져서 이온주입을 평가하는 데이터에 대한 신뢰도를 높이는 효과가 있다.-
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980015714A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960035150
申请日：1996-08-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/265
Abstract: 이온(Ion)이 주입된 반도체 웨이퍼를 절단 및 연마(Grinding)하여 반도체 시료로 준비하여 깊이정도에 따른 측정범위를 확대시킨 반도체 웨이퍼 이온주입 평가방법에 관한 것이다.
본 발명은, 이온주입의 깊이정도에 따른 이온의 분포를 평가하기 위한 반도체 웨이퍼 이온주입 평가방법에 있어서, 이온이 주입된 반도체 웨이퍼의 일부를 수직절단하여 반도체 시료를 준비하는 단계, 상기 수직절단된 반도체 시료를 표면을 기준으로 θ각으로 연마하는 단계 및 상기 반도체 시료의 연마면을 따라 이온의 분포를 측정하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 절단 및 연마하여 준비되는 반도체 시료를 이용하여 측정범위가 확대되어 깊이정도에 따른 이온분포를 정확하고 신속하게 평가할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980015246A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960034496
申请日：1996-08-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 상온에서 물성요소의 변화가 없이 일정한 시그널(Signal)을 유지하는 시료로서 열파동(Thermal Wave)을 이용하여 이온주입의 정도를 평가하는 검사장치의 검,교정이 정확하게 이루어지도록 개선시킨 반도체 기준시료의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은, 열파동(Thermal Wave)을 이용하여 이온주입에 따른 손상정도를 평가하는 검사장치를 검,교정하기 위한 반도체 기준시료의 제조방법에 있어서, 소정의 에너지로 이온이 주입된 반도체 시료를 베이킹(Baking)하는 단계 및 상기 베이킹이 수행된 반도체 시료를 플라즈마(Plasma)를 이용하여 표면을 처리하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 열파동을 이용하여 이온주입을 평가하는 검사장치의 정확한 검,교정이 이루어져서 이온주입을 평가하는 데이터에 대한 신뢰도를 높이는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020150015714A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：KR1020130091425
申请日：2013-08-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6875 , C23C16/4583 , C23C16/46
Abstract: The present invention is to provide an apparatus for improving the temperature uniformity of a substrate in a process of depositing a layer on a substrate at a high temperature. A layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a chamber, at least one susceptor which is prepared in the chamber and includes at least three protrusion parts formed in a mounting part for mounting a wafer, and a heat source prepared to supply heat to the susceptor. The protrusion part is separated from the center of the susceptor. The separation distance is 1/3 or more of the radius of the wafer fixed to the upper part of the susceptor or 1/3 or more of the radius of the susceptor from the center of the susceptor.
Abstract translation: 本发明提供一种用于在高温下在基板上沉积层的工艺中改善衬底的温度均匀性的装置。 根据本发明实施例的层沉积装置包括：室，至少一个基座，其在腔室中制备并且包括形成在用于安装晶片的安装部分中的至少三个突出部分，以及准备好的热源 向感受器供应热量。 突出部分与基座的中心分离。 分离距离是固定在基座的上部的晶片的半径的1/3或更多，或者距离基座的中心的基座的半径的1/3以上。
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公开(公告)号：KR1020140132424A
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：KR1020130050250
申请日：2013-05-03
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F12/0862 , G06F8/4442 , G06F9/383 , G06F12/0875 , G06F2212/452 , G06F2212/6026 , G06F2212/6028
Abstract: 본 발명은 프리페치에 관한 것으로 프로그램 코드의 메모리 접근 패턴을 분석하고, 접근 패턴을 분석을 인코딩하여 생성된 프리페치 명령어를 프로그램 코드에 삽입하여, 프로그램 코드에 삽입된 프리페치 명령어가 실행되면, 캐시에 데이터를 미리 인출하는 프리페치를 위한 캐시 제어 장치 및 그 캐시 제어 장치를 이용한 프리페치 방법을 제공함으로써, 프리페치 효율을 최대화한다.
Abstract translation: 本发明涉及预取。 当通过分析程序代码的存储器访问模式并将通过将分析的访问模式编码而生成的预取命令插入到程序代码中来执行插入到程序代码中的预取命令时，提供本发明以提供高速缓存控制 预取装置和使用能够先前从高速缓存取出数据的高速缓存控制装置的预取方法，从而最大化预取效率。
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公开(公告)号：KR101088376B1
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：KR1020060134985
申请日：2006-12-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F13/4282 , H04L12/66 , H04L69/08
Abstract: A method of interfacing between a universal serial bus (USB) host and a USB device. The USB host and the USB device include modules to process packets according to network protocols, instead of USB bus interfaces. Therefore, the USB device can be connected to the USB host even without a USB cable, and thus is not affected by the distance between the USB host and USB device.
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