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公开(公告)号：KR1020020028114A
公开(公告)日：2002-04-16
申请号：KR1020000059041
申请日：2000-10-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a photoresist pattern for reducing a critical dimension is provided to uniformly maintain a flow point of time by performing an exposure process using a light source of a uniform wavelength, and to easily control the critical dimension by omitting a heat treatment process. CONSTITUTION: A photoresist layer is applied to the upper surface of a lower material layer(100), and an exposure/developing process is performed according to a predetermined pattern to form the photoresist pattern(106). A light source of a uniform wavelength is irradiated to the photoresist pattern. The photoresist pattern is flowed.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造用于降低临界尺寸的光致抗蚀剂图案的方法，以通过使用均匀波长的光源进行曝光处理来均匀地保持时间点，并且通过省略热处理来容易地控制临界尺寸 处理。 构成：将光致抗蚀剂层施加到下材料层（100）的上表面，并根据预定图案进行曝光/显影处理以形成光致抗蚀剂图案（106）。 对光致抗蚀剂图案照射均匀波长的光源。 光致抗蚀剂图案流动。
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公开(公告)号：KR100297724B1
公开(公告)日：2001-09-26
申请号：KR1019990007120
申请日：1999-03-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67034
Abstract: 감광액도포및 현상시스템과베이크유니트에관하여개시된다. 개시된감광액도포및 현상시스템은, 도포기와현상기와베이크유니트와웨이퍼이송용로보트가그 내부에설치된하우징을구비하며, 하우징의상부에는공조장치에의해하우징내부로하향공급되는청정공기를필터링하기위한에어필터가설치된것으로, 에어필터를거쳐공급되는청정공기가베이크유니트의상부에서난기류를형성하며베이크유니트의전면부로유입되는것을방지함으로써, 베이크유니트의전면부에서청정공기가안정된하향기류를형성하며라미나에어플로우되도록하여청정공기가베이크유니트내부로유입되는것을억제하도록된 것을특징으로한다. 그리고, 상기하우징의바닥에는청정공기가배출될수 있도록그레이팅이설치되어청정공기의라미나에어플로우가하우징의바닥면까지유지될수 있도록되어있다. 개시된베이크유니트는, 케이스의내부에설치되어웨이퍼를가열하기위한베이크챔버를그 외부의열적영향으로부터차단시키기위한차단수단을구비하는것을특징으로한다. 차단수단으로는베이크챔버를감싸도록설치되는차단카바와, 냉각수라인의영향을차단하기위한차단판이사용된다.
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公开(公告)号：KR1020000059485A
公开(公告)日：2000-10-05
申请号：KR1019990007120
申请日：1999-03-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67034
Abstract: PURPOSE: A system for coating and developing a photoresist and bake unit is to prevent an air flow introduced in the bake unit and isolate heat influenced on a bake chamber of the bake unit, thereby equally form a width of a wire. CONSTITUTION: A system for coating and developing a photoresist comprises a housing(200), a coating portion(220) for coating the photoresist on a semiconductor wafer, a developing portion for developing the photoresist, a bake unit(240) for heating the wafer at a desired temperature, a robot(210) for transferring the wafer, an air conditioner, an air filter(273a,273b) disposed at an upper portion of the housing to filter air supplied from the air conditioner. In the system, the clean air supplied through the air filter forms turbulent air at an upper portion of the bake unit to prevent the air from being introduced into a front face of the bake unit. The bake unit comprises a case having a wafer passage formed at a front face thereof and an opening formed at a rear face thereof, a bake chamber, a heat-isolating portion for isolating the bake chamber from the heat.
Abstract translation: 目的：用于涂布和显影光致抗蚀剂和烘烤单元的系统是防止在烘烤单元中引入的空气流并隔离受烘烤单元的烘烤室影响的热量，从而同样形成线的宽度。 构造：用于涂覆和显影光致抗蚀剂的系统包括壳体（200），用于在半导体晶片上涂覆光致抗蚀剂的涂覆部分（220），用于显影光致抗蚀剂的显影部分，用于加热晶片的烘烤单元（240） 在期望的温度下，用于传送晶片的机器人（210），空调，设置在壳体的上部的空气过滤器（273a，273b）以过滤从空调提供的空气。 在该系统中，通过空气过滤器供应的清洁空气在烘烤单元的上部形成湍流空气，以防止空气被引入烘烤单元的正面。 烘烤单元包括具有形成在其前表面的晶片通道和形成在其后表面上的开口的壳体，烘烤室，用于将烘烤室与热隔离的隔热部分。
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公开(公告)号：KR1019980045170A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960063331
申请日：1996-12-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 하부 막이 금속인 경우 어미자 구조의 변경으로 발생할 수 있는 오버레이 측정 오차를 막을 수 있는 리소그래피 공정에서의 오버레이 버짓 향상 방법을 개시한다.
반도체 장치 제조 공정의 오버레이 키 형성에 있어서, 금속 박막 증착 전의 어미자를 형성함에 있어 그 하부에 더미 패턴을 삽입하여 오버레이 측정 오차를 막는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법을 제공한다.
상기 더미 패턴의 물질은 금속이나 실리사이드로서 어미자 주변과 다른 물질에 불순물의 침입을 막거나 식각 공정의 방지막으로 사용한다.
상기 더미 패턴을 형성함에 있어 추가적인 박막의 증착이나 마스크 공정 없이 기존 마스크의 어미자 주위만 변경한다.
따라서, 본 발명에 의하면 식각되는 깊이가 더미 패턴이 없을 때에 비해 크게 낮고, 이로 인해 혹 기판 깊숙이 있을지도 모를 분순물의 근원까지 식각되는 것을 막을 수 있어 결국에는 오버레이 측정 오차를 막을 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019980021238A
公开(公告)日：1998-06-25
申请号：KR1019960040025
申请日：1996-09-14
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 남정림
IPC: H01L21/30
Abstract: 본 발명에 의한 마스크 정렬방법은 웨이퍼 상의 반도체패턴이 형성되는 영역인 필드방향의 정보를 얻기 위한 방법으로 사용되는 본 발명에 의한 멀티 EGA방식은 S/L영역에 x, y방향 공용의 다수의 얼라인 먼트 키를 형성하고 공정에 따라서 얼라인 먼트 키 숫자를 선택하여 공정에 맞게 사용한다.
따라서 스캐너를 이용한 노광방식에서 노광영역의 증가는 물론 노광과정에서 발생되는 에라를 줄이고 인터 필드간의 정보를 얻을 수 있으므로 정렬도를 향상시킬 수 있다.-
Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019970049058A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950059334
申请日：1995-12-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 남정림
IPC: G03F7/20
Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 제조를 위한 사진 공정중 노광 방법에 관한 것으로, DUV를 이용하는 공정에서 매스크 크리티컬 디멘즌 편차가 웨이퍼의 크리티컬 디멘즌 균일성에 영향을 끼치게 되는 문제를 해결하기 위하여 노광 장비로서 스캐너 장비(scanner tool)를 사용하고, 이 장비의 슬릿에서의 광 강도 균일성을 조절한다.
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公开(公告)号：KR1019970022564A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019950037204
申请日：1995-10-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 남정림
IPC: G03F7/20
Abstract: 레이저를 사용하여 보다 정밀하게 노광량을 관리할 수 있는 반도체소자 제조용 노광장치가 개시되어 있다.
본 발명의 노장장치는 레이저 발생기, 레이저광을 필요한 형태로 만들어주는 유니포머와, 어페츄어, 레이저광을 중계해 주며 이격되어 있는 한 쌍의 릴레이렌즈, 집광하는 집광렌즈 및 투영렌즈가 광경로를 따라 차례로 설치되어 있는 반도체소자 제조용 레이저 노광장치에 있어서, 상기 한 쌍의 릴레이렌즈 사이에 레이저광의 입사 형태를 변화시켜 줄 수 있는 어페츄어 스톱이 설치되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 매우 정밀한 노광량 관리를 할 수 있으며, 고집적회로의 품질향상 및 수율향상의 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019970018111A
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：KR1019950030297
申请日：1995-09-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/30
Abstract: 본 발명은 반도체장치의 제조에 있어서 동종의 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 미세패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 그 구성은 동일한 종류의 패턴을 구분하여서 구현된 적어도 둘 이상의 마스크(10A, 10B)를 준비하는 공정과; 반도체기판(1)상에, 패턴형성용막(2)과 제1감광막(3)을 차례로 형성하는 공정과; 제1패턴이 구현된 마스크(10A)를 사용하여 노광을 실행하여 소정패턴의 제1감광막(3a)을 형성하는 공정과; 상기 소정패턴의 제1감광막(3a)을 마스크로 사용하여 상기 패턴형성용막(2)을 식각하는 공정과; 상기 제1감광막(3a)을 제거하고 그 위에 제2감광막(4)을 도포한 다음, 제2패턴(11b)이 구현된 마스크(10B)를 사용하여 노광을 실행하여 소정패턴의 제2감광막(4a)을 형성하는 공정과, 상기 소정패턴의 제2감광막(4a)을 마스크로 사용하여서 상기 패턴형성용자(2)을 식각하는 공정을 포함한다. 이 방법에 의해, 동일한 모양의 패턴만으로 구성된 마스크를 사용하여 분리노광하기 때문에, 사진공정의 에리얼 이메지가 양호하게 되어서 각 패턴에 대한 노광공정을 각각 최적화할 수 있다. 또한 본 발명에 사용되는 마스크는 종래의 마스크에 비해서 상대적으로 패턴의 밀도가 줄어들게 되어 노광공정의 해상력이나 마진등을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR100100915B1
公开(公告)日：1996-06-20
申请号：KR1019920019247
申请日：1992-10-20
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 남정림
IPC: H01L21/304
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