-
公开(公告)号：KR1020010011160A
公开(公告)日：2001-02-15
申请号：KR1019990030401
申请日：1999-07-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 오정환
IPC: G06F3/00
Abstract: PURPOSE: An apparatus for automatically inputting data is provided to automatically provide data to a data processing system instead of a keyboard device when repeatedly inputting data. CONSTITUTION: A switching circuit unit(20) is connected between a keyboard device(120) and a computer system(100) for connecting the computer system(100) and the keyboard device(120) according to a control of a controller(12) or connecting the controller(12) to the computer system(100). A switching circuit unit(20) has the first connector(22) connected with a jack(122) of the keyboard device(120), and is connected with a keyboard port of the computer system(100). A signal input line(24) is connected with a signal line(124) of the keyboard device(100) for providing data inputted from the keyboard device(120) to the controller(12). Data provided to the controller(12) through the signal input line(24) are stored in a memory(14). Data and an input time inputted from the keyboard device(100) are stored in the memory(14). An LCD(16) is installed on an upper surface of a case(30), and displays a data number or a setting menu under a control of the controller(12).
Abstract translation: 目的：提供一种用于自动输入数据的设备，用于在重复输入数据时自动向数据处理系统提供数据，而不是键盘设备。 构成：根据控制器（12）的控制，开关电路单元（20）连接在键盘装置（120）和计算机系统（100）之间，用于连接计算机系统（100）和键盘装置（120） 或将控制器（12）连接到计算机系统（100）。 开关电路单元（20）具有与键盘装置（120）的插座（122）连接的第一连接器（22），并与计算机系统（100）的键盘端口连接。 信号输入线（24）与键盘装置（100）的信号线（124）连接，用于提供从键盘装置（120）输入到控制器（12）的数据。 通过信号输入线（24）提供给控制器（12）的数据被存储在存储器（14）中。 从键盘装置（100）输入的数据和输入时间被存储在存储器（14）中。 LCD（16）安装在壳体（30）的上表面上，并在控制器（12）的控制下显示数据编号或设置菜单。
-
-
-
公开(公告)号：KR101948818B1
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：KR1020120118020
申请日：2012-10-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
-
公开(公告)号：KR1020150039361A
公开(公告)日：2015-04-10
申请号：KR1020130117842
申请日：2013-10-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10805 , H01L27/10808 , H01L27/1085 , H01L28/91
Abstract: 반도체장치및 그제조방법이제공된다. 상기반도체장치는실린더형상인스토리지전극(storage electrode); 상기스토리지전극상에형성된유전막; 및상기유전막상에형성된플레이트전극(plate electrode)을포함하고, 상기플레이트전극은순차적으로적층된제1 반도체화합물층및 제2 반도체화합물층을포함하고, 상기제1 반도체화합물층과상기제2 반도체화합물층은서로다른결정성을갖을수 있다.
Abstract translation: 提供一种半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括圆柱形存储电极; 形成在所述存储电极上的电介质膜; 以及形成在所述电介质膜上的平板电极，其中所述平板电极包括顺序层叠的第一半导体化合物层和第二半导体层，并且所述第一半导体化合物层和所述第二半导体化合物层具有不同的晶体。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101249831B1
公开(公告)日：2013-04-05
申请号：KR1020070078790
申请日：2007-08-06
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F11/2284 , G06F9/4401
Abstract: 본 발명은 컴퓨터 시스템 및 그 부팅 방법에 관한 것이다. 컴퓨터 시스템은, 상기 컴퓨터 시스템의 제1운영체제 데이터가 저장되어 있는 데이터 저장부와; 상기 제1운영체제 데이터가 복사될 수 있는 메인 메모리와; 상기 데이터 저장부와, 상기 메인 메모리 간의 데이터 전송을 수행하는 데이터 전송부와; 상기 컴퓨터 시스템의 POST를 수행하며, 상기 POST(Power On Self Test) 수행 중 상기 데이터 저장부에 저장된 상기 제1운영체제 데이터가 상기 메인 메모리에 복사되도록 상기 데이터 전송부를 제어하는 제어부를 포함한다. 이에 의하여, POST 과정으로 인한 운영체제의 구동 지연을 개선하여 부팅 시간을 단축할 수 있다.
컴퓨터, 부팅, 하드 디스크, 운영체제, POST-
公开(公告)号：KR100808879B1
公开(公告)日：2008-03-03
申请号：KR1020010031505
申请日：2001-06-05
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 오정환
IPC: G06F3/023
Abstract: 본 발명은 컴퓨터 및 컴퓨터의 문자입력 제어방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 컴퓨터는, 복수의 문자입력모드를 가지며, 중앙처리장치 및 바이오스롬이 장착되는 메인보드와 스캔코드를 출력하는 입력장치를 구비한 컴퓨터에 있어서, 상기 입력장치에 마련되는 문자모드선택키와; 상기 복수의 문자입력모드를 설정하는 설정부를 가지며 상기 문자모드선택키가 소정의 지연시간내에 더블 클릭 되었을 때, 이후 입력되는 키를 상기 설정부에 설정된 기본 문자입력모드의 문자로 표시되도록 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 현재의 문자입력모드에 상관없이 용이하게 사용자가 원하는 문자입력모드로 변환시켜 작업 능률을 향상시킬 수 있는 컴퓨터가 제공된다.
-
38.发明授权
公开(公告)号：KR100711520B1
公开(公告)日：2007-04-27
申请号：KR1020050084761
申请日：2005-09-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L27/10894 , H01L27/10876 , H01L29/4236 , H01L29/66621
Abstract: 리세스된 게이트 전극용 구조물과 그 형성 방법 및 리세스된 게이트 전극을 포함하는 반도체 장치 및 그 제조 방법에서, 리세스된 게이트 전극용 구조물은 제1 리세스 및 상기 제1 리세스 하부와 연통하고 상기 제1 리세스보다 넓은 내부 폭을 갖는 제2 리세스를 갖는 기판과, 상기 기판 상부면, 상기 제1 및 제2 리세스의 내벽에 형성된 게이트 산화막과, 상기 제1 리세스의 내부를 채우고, 제1 농도의 불순물이 도핑된 제1 폴리실리콘막과, 상기 제2 리세스의 내부를 채우고, 상기 제1 농도보다 높은 제2 농도의 불순물이 도핑되고 상기 제2 리세스 중심부에 보이드를 포함하는 제2 폴리실리콘막 및 상기 기판 상에 위치하는 게이트 산화막 및 상기 제1 폴리실리콘막 상에 형성되고 제3 농도의 불순물을 갖는 제3 폴리실리콘막을 포함한다. 상기 리세스된 게이트 전극용 구조물을 사용하면 보이드의 위치 이동을 감소시킬 수 있다.
-
公开(公告)号：KR100672812B1
公开(公告)日：2007-01-22
申请号：KR1020050036632
申请日：2005-05-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: 이미지 센서 및 그 제조 방법이 개시되어 있다. 상기 이미지 센서는 기판 표면 아래에 형성되는 포토 다이오드와, 상기 포토 다이오드가 형성되는 기판 일측 상에 형성되는 게이트 구조물을 포함한다. 상기 게이트 구조물은 질소를 포함하지 않는 산화물로 이루어지는 게이트 절연막과 상기 게이트 절연막 상에 형성되는 게이트 도전막을 포함한다. 그리고, 상기 게이트 도전막과 접하는 게이트 절연막의 표면에는 질화 영역이 형성된다. 그러므로, 이미지 센서의 랜덤 노이즈 특성과 보론 침투 현상으로 인한 문턱 전압 특성을 용이하게 개선할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020060116289A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：KR1020050038314
申请日：2005-05-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/335
Abstract: A film forming method and a method for manufacturing a semiconductor device using the same are provided to simplify manufacturing processes and to improve the productivity by forming a transistor channel crystalline silicon layer without a seed layer. An interlayer dielectric(102) is formed on a substrate(100). An amorphous silicon layer is deposited on the interlayer dielectric. A heat treatment is performed on the resultant structure. At this time, the amorphous silicon layer is transformed into a transistor channel crystalline silicon layer(106). The amorphous silicon layer is formed in a predetermined temperature range of 440 ‹C to 580 ‹C under a predetermined pressure condition of 0.3 to 0.5 Torr.
Abstract translation: 提供一种薄膜形成方法和使用该半导体器件的半导体器件的制造方法，以简化制造工艺并通过形成没有种子层的晶体管沟道晶体硅层来提高生产率。 在基板（100）上形成层间电介质（102）。 非晶硅层沉积在层间电介质上。 对所得结构进行热处理。 此时，非晶硅层转变成晶体管沟道晶体硅层（106）。 在0.3〜0.5托的规定压力条件下，在440℃〜580℃的预定温度范围内形成非晶硅层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
47
records
(took 0.023 seconds)
