公开(公告)号：KR1020150077511A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：KR1020130165162

申请日：2013-12-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정철 ,  유현규 ,  박정호 ,  김재원

IPC: H04B7/02

CPC classification number: H04B7/0695 ,  H04B7/063 ,  H04B10/25752 ,  H04B10/29 ,  H04L25/0202 ,  H04W72/046 ,  H04W72/085 ,  H04W88/08

Abstract: 본발명의실시예에따르면, 무선통신시스템에서기지국의빔(beam) 모드(mode) 설정방법에있어서, 기지국의송신빔또는수신빔의채널상태에기반하여상기기지국이서비스하는적어도하나의단말에대한빔 모드를선택하는단계, 상기선택된빔 모드정보를포함하는제어메시지를상기단말에전송하는단계및 상기선택된모드에대응하는송신빔및 수신빔을이용하여상기단말과데이터통신을수행하는단계를포함하는것을특징으로하는방법을제공할수 있다. 또한, 본발명의실시예에따르면, 무선통신시스템에서단말의통신방법에있어서, 기지국으로부터빔 모드설정메시지를수신하는단계, 상기수신한빔 모드설정메시지에기반하여, 빔고정모드또는빔 스위핑모드중 하나의모드를설정하는단계및 상기설정된모드에기반하여, 상기기지국과데이터통신을수행하는단계를포함하는것을특징으로하는방법을제공할수 있다.

Abstract translation: 根据本发明的实施例，提供了一种用于设置无线通信系统中的基站的波束模式的方法，其包括以下步骤：根据所述基站为至少一个终端服务的终端选择波束模式 来自基站的发送或接收波束的信道状态; 发送包括关于所选择的波束模式的信息的控制消息; 以及使用与所选择的波束模式相对应的发射和接收波束与至少一个终端进行通信。 另外，根据本发明的实施例，提供了一种用于无线通信系统中的终端的通信方法，包括以下步骤：从基站接收波束模式设置消息; 根据接收到的波束模式设置消息将波束模式设置为波束固定或波束扫描模式; 并且根据已经设置的波束模式实现与基站的数据通信。

公开(公告)号：KR1020150066841A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：KR1020130152387

申请日：2013-12-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정철 ,  유현규 ,  박정호 ,  정수룡

IPC: H04B7/10

CPC classification number: H04L5/0032 ,  H04B7/022 ,  H04B7/024 ,  H04B7/0408 ,  H04B7/0617 ,  H04B7/0695 ,  H04L5/0023 ,  H04W52/244 ,  H04W72/082 ,  H04W72/085

Abstract: 본발명의실시예들은빔포밍기반의무선통신시스템에서기지국의빔 스위핑패턴을적응적으로결정하는방법및 장치를제공하기위한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, 무선통신시스템에서서빙기지국의동작방법은: 상기서빙기지국과상기서빙기지국에인접하는적어도하나의주변기지국으로부터수신되는빔들이충돌함을나타내는빔 충돌정보를적어도하나의단말로부터수집하는과정; 및상기수집된빔 충돌정보에기반하여상기적어도하나의단말로송신되는빔의빔 스위핑패턴을조정하는과정을포함한다. 다양한본 발명의다른실시예들도개시되어있다.

Abstract translation: 本发明的实施例提供一种用于在基于波束形成的无线通信系统中自适应地确定基站的波束扫描模式的方法和装置。 根据本发明的实施例，一种用于在无线通信系统中操作服务基站的方法包括以下步骤：收集波束冲突信息，用于指示从服务基站接收的波束和邻近的至少一个相邻基站 通过至少一个终端向服务基站彼此冲突; 以及基于所收集的波束碰撞信息来调整发射到所述至少一个终端的波束的波束扫描模式。 公开了本发明的各种其它实施例。

公开(公告)号：KR1020130081621A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：KR1020120050477

申请日：2012-05-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이옥선 ,  타오리,라케쉬 ,  설지윤 ,  장영빈 ,  정철

IPC: H04W72/04 ,  H04W88/08 ,  H04W16/24

CPC classification number: H04W72/048 ,  H04W72/0486 ,  H04W88/08

Abstract: PURPOSE: A method enabling multiple base stations to cooperatively provide a communications service to a single terminal in a wireless communications system and a device thereof are provided to utilize limited resources more efficiently. CONSTITUTION: A control part (820) changes component base stations forming a first cooperation cell based on a resource request response message. The control part allocates resources to a terminal served by the first cooperation cell. A transmission part (800) transmits a resource request message requesting resource allocation to sub-base stations which belong to the first cooperation cell. A reception part (810) receives a resource request response message from each of the sub-base stations receiving the resource request message. The resource request response message includes a result obtained through the control of resource approval considering all the cooperation cells to which each sub-base station belongs. [Reference numerals] (800) Transmission part; (810) Reception part; (820) Control part; (AA) Base station

Abstract translation: 目的：使得多个基站能够协作地向无线通信系统中的单个终端提供通信服务的方法及其装置来更有效地利用有限的资源。 构成：控制部件（820）基于资源请求响应消息来改变形成第一协作小区的组件基站。 控制部分将资源分配给由第一协作小区服务的终端。 发送部（800）向属于第一合作小区的子基站发送请求资源分配的资源请求消息。 接收部（810）从接收资源请求消息的每个子基站接收资源请求响应消息。 资源请求响应消息包括考虑到每个子基站所属的所有合作小区的通过资源审批的控制获得的结果。 （附图标记）（800）变速部; （810）接待部; （820）控制部分; （AA）基站

公开(公告)号：KR1020060022534A

公开(公告)日：2006-03-10

申请号：KR1020040071389

申请日：2004-09-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정철 ,  이욱형

IPC: H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/76235 ,  H01L27/115

Abstract: 신뢰성을 향상시킬 수 있는 소자 분리막을 구비하는 반도체 소자의 형성 방법을 제공한다. 이 방법에 따르면, 반도체 기판 상에 패드산화막 및 마스크막을 적층한다. 상기 마스크막 및 상기 패드 산화막을 패터닝하여 상기 반도체 기판 상에 차례로 적층된 패드산화막 패턴 및 마스크 패턴을 형성하고 상기 반도체 기판을 노출시킨다. 상기 마스크 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 노출된 반도체 기판을 패터닝하여 트렌치를 형성한다. 상기 트렌치 상단부에서 상기 패드 산화막 패턴의 단부와 접하는 상기 반도체 기판의 모서리 부분을 일부 제거하여 완만한 포셋(facet) 영역을 형성한다. 상기 포셋 영역의 상기 반도체 기판에 이온 주입 공정을 진행하여 결함을 형성한다. 산화 공정을 진행하여 상기 포셋 영역에 산화막을 두껍게 형성한다. 그리고, 소자분리 물질로 상기 트렌치를 채운다.
소자 분리막

公开(公告)号：KR100290587B1

公开(公告)日：2001-06-01

申请号：KR1019980029023

申请日：1998-07-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정철 ,  한민석 ,  임장빈 ,  최창원

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 콘택 플러그와 그 위에 형성되는 도전층과의 콘택 저항을 개선시킨 반도체 장치 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상에 절연막이 형성된다. 상기 절연막이 식각되어 콘택 홀이 형성된다. 상기 콘택 홀을 완전히 채우도록 제1도전층인 폴리 실리콘막이 증착된다. 상기 폴리 실리콘막이 에치 백(etch back) 공정으로 평탄화 식각되어 콘택 플러그가 형성된다. 이때, 상기 콘택 플러그 상부 표면에 에치 백 공정시 가속화된 이온에 의해 손상층(damage layer)이 얇게 형성된다. 이러한 상기 손상층은 상기 콘택 플러그가 향후 형성되는 제2도전층인 폴리 실리콘등과 콘택(contact)시 저항을 증가시키는 요인으로 작용한다. 이를 해결하기 위해 본 발명에서는, 상기 손상층을 산소가스를 사용하거나 또는 산소가스에 플르오린(F)을 포함하는 가스가 첨가된 혼합가스를 사용하여 건식식각으로 제거시킨다. 이와 같은 반도체 장치 제조 방법에 의해서, 콘택 플러그 표면의 콘택 저항 증가 요인으로 작용하는 손상층을 건식식각으로 제거하므로 써, 콘택 저항을 개선시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990085994A

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：KR1019980018747

申请日：1998-05-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남신우 ,  정철

IPC: H01L27/04

Abstract: 본 발명은 오정렬을 방지하고, 재현성 있는 스토리지 전극을 형성하는 반도체 메모리 장치의 커패시터 제조 방법에 관한 것으로, 제 1 절연층 상에 물질층이 과 제 2 절연층이 차례로 형성된다. 스토리지 전극 형성용 마스크를 사용하여 도전층 패드의 상부 표면이 노출될 때까지 제 2 절연층, 물질층, 제 1 절연층이 차례로 건식 식각되어 콘택홀이 형성된다. 콘택홀이 도전층으로 채워져 도전층 패드와 전기적으로 접속되는 스토리지 전극이 형성된다. 스토리지 전극 양측의 물질층이 노출될 때까지 제 2 절연층이 식각되어 스토리지 전극의 일부 두께가 노출된다. 이와 같은 반도체 메모리 장치의 커패시터 제조 방법에 의해서, 스토리지 전극과 스토리지 전극 콘택홀을 자기 정렬시킴으로써 스토리지 전극과 스토리지 전극 콘택홀 간의 오정렬을 방지할 수 있고, 스토리지 전극 간의 브리지를 방지할 수 있으며, 재현성 있는 스토리지 전극을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR100207714B1

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019970001313

申请日：1997-01-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김명호 ,  정철

IPC: G11B20/24

Abstract: 본 발명에 따른 불량 컨트롤 신호 재생 장치 및 방법이 개시된다.
그 장치의 구성은, 재생 컨트롤 신호를 공급받아 소정의 제어 신호들에 의하여 증폭된 재생 컨트롤 신호, 비디오 헤드의 속도와 위상을 알려주는 헤드 스위칭 신호 및 기록 컨트롤 신호를 출력하는 서보부, 기록시에는 상기 서보부로부터 출력되는 기록 컨트롤 신호를 기록하고 재생시에는 상기 재생 컨트롤 신호를 상기 서보부로 출력하는 컨트롤 헤드, 재생 클록 신호를 공급받아 불량 컨트롤 재생 신호를 상기 서보부로 출력하는 동시에 상기 기록 컨트롤 신호 위에 오버라이트 하는 불량 컨트롤 신호 재생부 및 엔벨로프 신호 및 상기 서보부로부터 출력되는 증폭된 재생 컨트롤 신호와 헤드 스위칭 신호를 입력하여, 상기 재생 컨트롤 신호가 있는 경우에는 상기 헤드 스위칭 신호 위상과 상기 재생 컨트롤 신호 위상 차이를 구하여 상기 엔벨로프 신� �가 소정 크기 이상에서 트래킹이 되도록 하기 위한 상기 서보 제어 신호를 상기 서보부로 출력하고, 상기 재생 컨트롤 신호가 없는 경우에는 불량 컨트롤 신호를 재생하기 위한 재생 클록 신호를 불량 컨트롤 신호 재생부로 출력하는 마이컴;을 포함한다.
따라서, 상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, VCR 재생시 컨트롤 신호가 열화되어 약하거나 없는 경우에도 노이즈 없는 화면을 제공하는 효과를 갖는다.

公开(公告)号：KR1019980058705A

公开(公告)日：1998-10-07

申请号：KR1019960078039

申请日：1996-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정철 ,  김명호

IPC: H04N5/445

Abstract: 본 발명은 마이크로 컴퓨터와는 별도의 기억소자를 두어 각종 언어를 비롯한 OSD데이타를 저장하고, 저장된 OSD데이타를 마이크로 컴퓨터가 읽고 OSD부로 출력하는 방법을 제공하여 한 번의 마이크로 컴퓨터의 개발 이후에는 각기 사용하는 언어가 다른 지역의 사용자들을 위한 OSD장치라도 해당 언어를 포함하는 데이타를 저장한 기억소자의 교체만으로 저렴하고 빠르게 개발할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980056137A

公开(公告)日：1998-09-25

申请号：KR1019960075401

申请日：1996-12-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박원모 ,  정철

IPC: H01L27/108

Abstract: 반도체 장치의 커패시터 제조방법을 개시하고 있다. 이는, 반도체 기판 상에 층간절연층, 제1 절연층 및 제2 절연층을 적층하는 단계; 상기 적층된 층들을 소정 형상으로 패터닝하여 상기 반도체 기판을 부분적으로 노출시키는 스토리지 콘택홀을 형성하는 단계; 스토리지 콘택홀 내부에 절연물 스페이서를 형성하는 단계; 스페이서가 형성된 상기 결과물 전면에 제1 도전층을 형성하는 단계; 상기 제1 도전층 상에 제3 절연층 및 제2 도전층을 형성하는 단계; 상기 제2 도전층 및 상기 제3 절연층을 패터닝하는 단계; 패터닝된 상기 제2 도전층 및 제3 절연층 측벽에 도전물 스페이서를 형성하는 단계; 상기 도전물 스페이서 측벽에 절연물 스페이서를 형성하는 단계; 상기 도전물 스페이서 및 절연물 스페이서를 마스크로 사용하여 상기 제1 도전층을 패터닝하는 단계; 및 상기 제2 절연층을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 커패시터 제조방법을 제공한다. 따라서, 제1도전층으로만 최종 스토리지전극 패턴을 형성하기 때문에 자연산화막에 의한 프로파일 불량 문제를 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019950027903A

公开(公告)日：1995-10-18

申请号：KR1019940005025

申请日：1994-03-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정철 ,  고형찬 ,  김선준 ,  황태병

IPC: H01L21/20

Abstract: 반도체장치의 최종보호막인 패시베이션막과 이중 메탈층 구조에서 상부 메탈층과 하부 메탈층간의 절연층인 IMD(Intermetallic Dielectric)막의 크랙 발생을 최소화할 수 있는 이중 메탈층 구조를 갖는 반도체 장치가 개시된다. 반도체기판 상에 하부절연층이 형성되고 있고, 상기 하부절연층 상에 제1개구부를 가지는 제1메탈배선이 형성되어 있다. 상기 결과물의 전면(全面)에 IMD막이 도포되어 있고, 상기 IMD막 상에 평면구조 상으로 상기 제1개구부를 중심으로 일정한 폭으로 상기 제1메탈 배선에 걸치도록 형성된 제2개구부를 갖는 제2메탈배선이 형성되어 있다. 상기 제2메탈배선 및 제2개구부 상에는 패시베이션막이 형성되어 있다. 이중 메탈층 구조를 갖는 반도체 장치에서 상부 메탈층과 하부 메탈층의 구조, 특히 메탈층 패턴 간의 스페이스 혹은 메탈 배선에 형성된 메탈슬릿 등의 메탈배선에 형성된 개구부들 간의 스페이스 혹은 메탈 배선에 형성된 메탈 슬릿 등의 메탈배선에 형성된 개구부들 간의 평면적인 구조가 최적화되어 있으므로 패시베이션막의 스텝커브리지가 개선됨으로써 패시베이션막이나 IMD막의 크랙 발생을 최소화할 수 있다.