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公开(公告)号：KR1020030024002A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：KR1020010056798
申请日：2001-09-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C08G77/14
Abstract: PURPOSE: Provided are a siloxane-based copolymer having very low dielectric constant, and a method for forming an interlayer insulating film of semiconductor having low dielectric constant by using the same. CONSTITUTION: The siloxane-based resin is produced by hydrolyzing and polycondensing a cyclic siloxane compound having a structure of formula 1 and a silane compound having a structure of formula 2: SiX1X2X3X4 in organic solvent in the presence of a catalyst and water. In the formula 1, R is a hydrogen atom, alkyl group having C1-C3, cycloalkyl group having C3-C10 or aryl group having C6-C15; X1, X2 and X3 are, independently, an alkyl group having C1-C3, alkoxy group having C1-C10 or halogen group, wherein at least one of X1, X2 and X3 are alkoxy or halogen group; p is an integer of 3-8; and m is an integer of 1-10, and in the formula 2, X1, X2, X3 and X4 are, independently, an alkoxy group having C1-C10 or halogen group.
Abstract translation: 目的：提供具有非常低介电常数的硅氧烷基共聚物，以及通过使用该介电常数形成介电常数低的半导体层间绝缘膜的方法。 构成：通过在催化剂和水的存在下，在有机溶剂中水解和缩聚具有式1结构的环状硅氧烷化合物和具有结构式2的硅烷化合物SiX1X2X3X4来制备硅氧烷类树脂。 在式1中，R是氢原子，具有C 1 -C 3的烷基，具有C 3 -C 10的环烷基或具有C 6 -C 15的芳基; X 1，X 2和X 3独立地为具有C 1 -C 3的烷基，具有C 1 -C 10的烷氧基或卤素基团，其中X 1，X 2和X 3中的至少一个为烷氧基或卤素基团; p是3-8的整数; m为1〜10的整数，式2中，X1，X2，X3，X4独立地为具有C1-C10或卤素基团的烷氧基。
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公开(公告)号：KR1020010038050A
公开(公告)日：2001-05-15
申请号：KR1019990045858
申请日：1999-10-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a plasma-processed contact is provided to form a contact suitable for a high integrated semiconductor device, by preventing the sidewall of the contact from being damaged by an ashing process, and by eliminating outgassing source in the contact. CONSTITUTION: The first conductive layer is formed on a substrate(10). The first insulating layer(12) is formed on the substrate to cover a pattern of the first conductive layer. The second insulating layer(13) is formed on the first insulating layer to make the uneven surface of the first insulating layer flat. A photoresist pattern is formed on the second insulating layer by a photolithography process. The first and second insulating layers are etched to form a contact hole by using the photoresist pattern as a mask so that the pattern of the first conductive layer is exposed through the first and second insulating layers. The photoresist pattern on the second insulating layer is eliminated. The second conductive layer is formed on the second insulating layer and in the contact. NH3 or N2O plasma(16) is reacted on the sidewall of the contact before or after the photoresist pattern is removed.
Abstract translation: 目的：通过防止接触的侧壁被灰化过程损坏，并且通过消除接触中的除气源，提供了用于制造等离子体处理的接触的方法以形成适合于高集成半导体器件的接触。 构成：第一导电层形成在基板（10）上。 第一绝缘层（12）形成在衬底上以覆盖第一导电层的图案。 第二绝缘层（13）形成在第一绝缘层上，以使第一绝缘层的不平坦表面平坦。 通过光刻工艺在第二绝缘层上形成光致抗蚀剂图案。 通过使用光致抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻第一绝缘层和第二绝缘层以形成接触孔，使得第一导电层的图案通过第一绝缘层和第二绝缘层露出。 消除了第二绝缘层上的光致抗蚀剂图案。 第二导电层形成在第二绝缘层上和接触部中。 NH 3或N 2 O等离子体（16）在除去光致抗蚀剂图案之前或之后在接触的侧壁上反应。
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公开(公告)号：KR1020000074613A
公开(公告)日：2000-12-15
申请号：KR1019990018663
申请日：1999-05-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L23/53295 , C04B35/5603 , C04B35/565 , H01L21/02137 , H01L21/0214 , H01L21/02282 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/02362 , H01L21/3122 , H01L21/76801 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76835 , H01L23/5222 , H01L23/5226 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , Y10T428/24843 , Y10T428/24926 , Y10T428/263 , Y10T428/31663 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A multi-layered insulating layer including an insulating film containing a silicon-methyl combination is provided to reduce a resistor-capacitor(RC) delay occurring in a metal interconnection system, by using a low dielectric material such as methyl silesquioxane to form a multi-layered structure. CONSTITUTION: A multi-layered insulating layer including an insulating film containing a silicon-methyl combination comprises the first insulating layer(130), an adhesive surface(130a) and the second insulating layer. The first insulating layer contains a Si-CH3 combination inside, formed over a conductive pattern on a semiconductor substrate. The adhesive surface that is a part of the first insulating layer is exposed to the surface of the first insulating layer, having a carbon composition less than that of other portions of the first insulating layer. The second insulating layer is formed on the adhesive surface of the first insulating layer so that a dipole-dipole interaction can occur between the adhesive surface and the second insulating layer.
Abstract translation: 目的：提供一种包含含硅 - 甲基组合物的绝缘膜的多层绝缘层，以通过使用低介电性材料如甲基倍半硅氧烷来减少在金属互连系统中发生的电阻 - 电容（RC）延迟，以形成 多层结构。 构成：包含含硅甲基组合物的绝缘膜的多层绝缘层包括第一绝缘层（130），粘合表面（130a）和第二绝缘层。 第一绝缘层在内部包含Si-CH3组合，形成在半导体衬底上的导电图案上。 作为第一绝缘层的一部分的粘合剂表面暴露于第一绝缘层的表面，其碳组成小于第一绝缘层的其它部分的碳组成。 第二绝缘层形成在第一绝缘层的粘合剂表面上，使得在粘合剂表面和第二绝缘层之间可能发生偶极 - 偶极相互作用。
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公开(公告)号：KR1019980085787A
公开(公告)日：1998-12-05
申请号：KR1019970021948
申请日：1997-05-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명의 반도체 장치의 절연막 형성방법은 반도체 기판을 반응 챔버에 로딩한 후 상기 로딩된 반도체 기판 상에 액체상태의 벤젠을 반응 소오스로 하여 수소가 함유된 아물포스 탄소막(Hydrogenated amorphous carbon film)을 형성하는 것을 포함한다. 상기 수소가 함유된 아몰포스 탄소막은 PECVD 방법으로 형성할 수 있으며, 상기 아몰포스 탄소막을 형성하는 단계 전에 하부 산화막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 본 발명의 반도체 장치의 절연막은 수소가 함유된 아몰포스 탄소막으로 CV(capacitance-voltage) 플롯의 최대 커패시턴스로 계산된 유전율은 약 2.03으로 대부분의 실리콘 산화막의 유전율 4.0보다 상당히 작다.
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公开(公告)号：KR101540340B1
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：KR1020080100762
申请日：2008-10-14
Applicant: 삼성전자주식회사 , 전남대학교산학협력단
IPC: C08J5/22 , C08K5/544 , H01L29/786
Abstract: 실록산막및 이를포함하는산화물박막트랜지스터를개시한다. 개시된유기막은 Aminophenyltrimethoxysilane(APheTMS) 및 Aminopropyltrimethoxysilane (APTMS)로형성된것으로산화물박막트랜지스터를포함하는전자소자에사용될수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101430261B1
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：KR1020070018484
申请日：2007-02-23
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C08F283/12 , C08G61/02 , C08J5/18 , C08J2351/10 , C08J2357/00 , H01L51/0094 , H01L51/0512 , Y02E10/549
Abstract: 본 발명은 실리콘클러스터에 전도성 유기물질이 치환되어 있는 유기 실리콘 나노클러스터, 이의 제조방법 및 이를 이용한 실리콘 박막의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 유기실리콘 나노클러스터를 전기소자에 이용하면 실리콘 박막의 전기적 특성을 유지하면서도 제조비 저감 및 대면적화를 달성할 수 있다.
실리콘클러스터, 전도성 유기물질, 유기실리콘 나노클러스터, 유기용매, 실리콘박막-
37.发明授权다반응성 선형 실록산 화합물, 상기 화합물로부터 제조된실록산 중합체 및 상기 중합체를 이용한 절연막 제조방법 有权多功能线性硅氧烷化合物，由化合物制备的硅氧烷聚合物和通过使用聚合物制备介电膜的方法
公开(公告)号：KR101007807B1
公开(公告)日：2011-01-14
申请号：KR1020030090909
申请日：2003-12-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/075
CPC classification number: C07F7/0859 , C07F7/1836 , C08G77/50
Abstract: 본 발명은 신규한 다반응성 선형 실록산계 화합물, 상기 화합물로부터 제조된 실록산계 중합체 및 상기 중합체를 이용한 절연막 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 모듈러스 등 기계적 물성과 열적 안정성이 뛰어나고 탄소함량 및 흡습률이 낮은 중합체를 제공할 수 있는 신규한 다반응성 선형 실록산 화합물, 상기 선형 실록산 화합물 또는 상기 화합물과 다른 단량체부터 제조된 실록산 중합체에 관한 것이고, 아울러 상기 중합체를 포함한 코팅액을 열경화하는 단계를 포함한 절연막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 실록산 화합물은 높은 반응성을 가지며, 그로부터 제조된 중합체는 우수한 기계적 물성, 열안정성 및 균열 저항성을 가질 뿐만 아니라, 낮은 흡습률을 나타내며 기공형성물질과의 상용성도 우수하여 낮은 절연계수를 가질 수 있고, 나아가, 중합체 내에 탄소함량이 낮고 SiO
2 의 함량이 높아 반도체 공정에로의 적용성이 향상되어 반도체 소자의 절연막으로써 유용하게 사용될 수 있다.-
38.发明授权다반응성 환형 실리케이트 화합물, 상기 화합물로부터제조된 실록산계 중합체 및 상기 중합체를 이용한 절연막제조방법 有权多功能环状硅酸盐化合物，由化合物制备的硅氧烷聚合物和使用聚合物制备介电膜的方法
公开(公告)号：KR100979355B1
公开(公告)日：2010-08-31
申请号：KR1020030070193
申请日：2003-10-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C07F7/18
CPC classification number: C09D183/04 , C08G77/045 , C08G77/06 , C08G77/50 , Y10T428/31663
Abstract: 본 발명은 다반응성 환형 실리케이트 화합물, 상기 화합물로부터 제조된 실록산계 중합체 및 상기 중합체를 이용한 절연막 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 낮은 흡습률을 가지면서 우수한 기계적 물성을 나타내는 중합체를 제공할 수 있는 다반응성 환형 실리케이트 화합물, 상기 화합물로부터 제조된 실록산계 중합체 및 상기 중합체를 이용한 절연막 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 실리케이트 화합물은 반응성이 높고, 흡습성을 낮은 수준으로 유지할 수 있어 SOG(Spin-On-Glass) 공정에 유용하게 적용가능하며, 그로부터 제조된 실록산계 중합체는 기공형성 물질과의 상용성이 우수하고, 이를 이용하여 제조된 필름의 경우, 뛰어난 기계적 물성, 열 안정성 및 균열 저항성을 나타내며, 탄소함량이 낮고 SiO
2 의 함량이 높을 뿐만 아니라 흡습특성이 현저히 감소되고 절연특성이 뛰어나므로, 반도체 소자 분야에서 절연막으로써 유용하게 사용될 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020080045993A
公开(公告)日：2008-05-26
申请号：KR1020060115362
申请日：2006-11-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C08L83/04 , C08J5/22 , H01L29/786
CPC classification number: C08J5/2206 , C08L83/04 , H01L29/16
Abstract: A silicon thin film composition, its preparation method, a silicon thin film formed from the composition, a transistor device containing the silicon thin film, and an electronic device containing the transistor device are provided to improve the solubility in an organic solvent and to allow it to be processed at a low temperature. A silicon thin film composition comprises a silicon compound represented by Si_n R_m; and an organic solvent, wherein R is a substituted or unsubstituted C1-C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C2-C20 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C2-C20 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C6-C20 aryl group, a substituted or unsubstituted c6-C20 arylalkyl group, a substituted or unsubstituted C1-C20 alkoxy group, or a substituted or unsubstituted C6-C20 aryloxy group; n is an integer of 3 or more; and m is an integer selected from n, 2n, 2n-2 and 2n+2.
Abstract translation: 提供硅薄膜组合物，其制备方法，由该组合物形成的硅薄膜，含有硅薄膜的晶体管器件和含有晶体管器件的电子器件，以提高在有机溶剂中的溶解度并允许其 在低温下进行处理。 硅薄膜组合物包含由Si_n R_m表示的硅化合物; 和有机溶剂，其中R是取代或未取代的C 1 -C 10烷基，取代或未取代的C 2 -C 20烯基，取代或未取代的C 2 -C 20炔基，取代或未取代的C 6 -C 20芳基，取代的 或未取代的C 6 -C 20芳烷基，取代或未取代的C 1 -C 20烷氧基或取代或未取代的C 6 -C 20芳氧基; n为3以上的整数， m是选自n，2n，2n-2和2n + 2的整数。
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40.发明授权다반응성 환형 실록산 화합물, 상기 화합물로부터 제조된실록산계 중합체 및 상기 중합체를 이용한 절연막제조방법 失效多功能环状硅氧烷化合物，由化合物制备的硅氧烷聚合物和使用聚合物制备介电膜的方法
公开(公告)号：KR100660265B1
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：KR1020040042522
申请日：2004-06-10
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 다반응성 환형 실록산 화합물 (A), 상기 화합물 (A)로부터 제조된 실록산계 중합체 및 상기 중합체를 이용한 절연막 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 모듈러스 등 기계적 물성이 뛰어나고 탄소함량 및 흡습률이 보다 낮은 중합체를 제공할 수 있는 신규한 다반응성 환형 실록산 화합물 (A), 상기 화합물 (A)또는 상기 화합물 (A)와 유기다리를 가지는 Si 단량체 (B), 비환식 (acyclic) 알콕시 실란 단량체 (C) 및/또는 선형의 실록산 단량체 (D)로부터 제조된 실록산계 (공)중합체 및 상기 (공)중합체들을 이용한 절연막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 실록산 화합물은 높은 반응성을 가지며, 그로부터 제조된 중합체는 우수한 기계적 물성, 열안정성 및 균열 저항성을 가질 뿐만 아니라, 낮은 흡습률을 나타내며 기공형성물질과의 상용성도 우수하여 낮은 절연계수를 가질 수 있고, 나아가, 중합체 내에 탄소함량이 낮고 SiO
2 의 함량이 높아 반도체 공정에로의 적용성이 향상되어 반도체 소자의 절연막으로써 유용하게 사용될 수 있다.
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