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31.发明授权멀티-쓰래쉬홀드 시모스 제어 장치, 멀티-쓰래쉬홀드 시모스 집적 회로 및 멀티-쓰래쉬홀드 시모스 제어 방법 有权多屏蔽Simos控制设备，多阈值Shimos集成电路和多阈值Shimos控制方法
公开(公告)号：KR100559738B1
公开(公告)日：2006-03-10
申请号：KR1020050011666
申请日：2005-02-11
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조성훈
IPC: G11C7/00
Abstract: MTCMOS 제어 장치는 MTCMOS 셀을 온/오프하여 복수의 블록의 온/오프 동작을 제어하는 MTCMOS 컨트롤 회로를 포함한다. MTCMOS 컨트롤 회로는 상기 복수의 블록 중 소정의 블록에 상응하는 블록 온/오프 신호에 응답하여 상기 소정의 블록으로 요청 신호를 제공하고, 상기 소정의 블록으로부터 응답 신호를 제공받아 상기 소정의 블록에 상응하는 제1 및 제2 제어 신호를 생성하고, 상기 제1 제어 신호를 기초로 하여 상기 MTCMOS 셀을 온/오프 컨트롤한다. 따라서, 모바일 기기의 동작 상황에 따라서 사용을 하지 않는 블록에 대해서만 스탠드-바이(stand-by) 모드로 전환함으로써 효율적으로 전류 소비를 줄일 수 있다.
Abstract translation: MTCMOS控制装置包括MTCMOS控制电路，用于通过打开/关闭MTCMOS单元来控制多个块的开/关操作。 响应于与多个块中的预定块对应的块开/关信号，MTCMOS控制电路向预定块提供请求信号，从预定块接收响应信号， 并基于第一控制信号来控制MTCMOS单元的开/关。 因此，根据移动设备的操作状态，仅通过切换到未使用的块的待机模式，可以有效地降低电流消耗。
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公开(公告)号：KR100423455B1
公开(公告)日：2004-03-18
申请号：KR1020010065597
申请日：2001-10-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조성훈
IPC: H04N7/01
CPC classification number: H04N7/0135 , G09G2340/0407 , H04N5/21 , H04N5/46 , H04N5/57 , H04N21/440218
Abstract: An image signal processing apparatus and method is capable of variably performing format conversion and image quality improvement according to a kind of an inputted image signal. A detecting section detects a kind of image signal inputted from an external device. A control section controls the format of the image signal to be converted by selecting the format converting coefficient from the first storing section in accordance with the kind of the image signal. A format converting section converts a format of the inputted video signal by the selected format converting coefficient. The control section selects an image quality improving converting coefficient corresponding to the video signal from the second storing section. The image quality improving section improves a quality of the video signal converted by the selected image quality improving converting coefficient. By varying the format converting coefficient and image quality improving converting coefficient according to the kind of the image signal, it is possible to perform the format conversion and image quality improvement suitable for the kind of the inputted image signal.
Abstract translation: 图像信号处理设备和方法能够根据输入图像信号的种类可变地执行格式转换和图像质量改进。 检测部分检测从外部装置输入的一种图像信号。 控制部分根据图像信号的种类通过从第一存储部分选择格式转换系数来控制要转换的图像信号的格式。 格式转换部分通过所选格式转换系数转换输入视频信号的格式。 控制部分从第二存储部分中选择与视频信号相对应的图像质量改善转换系数。 图像质量改善部分改善由选择的图像质量改善转换系数转换的视频信号的质量。 通过根据图像信号的种类改变格式转换系数和图像质量改善转换系数，可以执行适合于输入图像信号的种类的格式转换和图像质量改进。
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公开(公告)号：KR1020010016655A
公开(公告)日：2001-03-05
申请号：KR1019990031664
申请日：1999-08-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: A method for improving planarization of a wafer in manufacturing the wafer is provided to simultaneously improve planarization and roughness of the wafer, by firstly etching a lapped wafer with an alkaline etching solution, and by secondly etching the wafer etched by the alkaline etching solution with an acid etching solution. CONSTITUTION: A surface of a wafer manufactured by slicing an ingot is lapped by a predetermined thickness. The lapped wafer is etched by an alkaline etching solution to improve planarization of the lapped wafer. An etching process using an acid etching solution is performed to improve roughness of the wafer etched by the alkaline etching solution. The wafer etched by the acid etching solution is polished.
Abstract translation: 目的：提供一种在制造晶片时改善晶片平面化的方法，以通过首先用碱性蚀刻溶液蚀刻重叠的晶片，并通过第二次蚀刻由碱性蚀刻溶液蚀刻的晶片来同时改善晶片的平坦化和粗糙度 用酸蚀刻溶液。 构成：通过将锭切片制成的晶片的表面以预定厚度研磨。 通过碱性蚀刻溶液蚀刻重叠的晶片以改善重叠晶片的平坦化。 执行使用酸蚀刻溶液的蚀刻工艺以改善由碱性蚀刻溶液蚀刻的晶片的粗糙度。 用酸蚀刻溶液蚀刻的晶片被抛光。
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公开(公告)号：KR1020000025766A
公开(公告)日：2000-05-06
申请号：KR1019980042966
申请日：1998-10-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/265
Abstract: PURPOSE: A surface defect analyzing method of a semiconductor wafer and a bulk defect analyzing method are provided to easily analyze a surface defect on an ion-implantation wafer and a bulk defect moving, and enhance a reliability of a semiconductor device. CONSTITUTION: A surface defect analyzing method analyzes a moving of a surface defect distributed on the ion implantation wafer. The method performs(S10) a thermal processing about the ion implantation wafer and another wafer being not ion-implanted along with a predetermined temperature range. The BMD analyzer analyzes(S14) a surface defect of the wafers thermal-processed, the method analyzes the moving of the wafers according to the result of the BMD analyzer. Thereby, the surface defect analyzing method easily analyzes a surface defect on an ion-implantation wafer and a bulk defect moving, and enhances a reliability of a semiconductor device.
Abstract translation: 目的：提供半导体晶片的表面缺陷分析方法和体缺陷分析方法，以容易地分析离子注入晶片上的表面缺陷和体缺陷移动，并提高半导体器件的可靠性。 构成：表面缺陷分析方法分析离子注入晶片上分布的表面缺陷的移动。 该方法执行（S10）关于离子注入晶片的热处理以及不与预定温度范围离子注入的另一个晶片。 BMD分析仪分析（S14）热处理的晶片的表面缺陷，该方法根据BMD分析仪的结果分析晶片的移动。 因此，表面缺陷分析方法容易地分析离子注入晶片上的表面缺陷和体缺陷移动，并提高半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：KR1019990056778A
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019970076789
申请日：1997-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼의 벌크디펙트의 모폴로지 분석방법 및 표면디펙트의 모폴로지 분석방법에 관한 것이다.
본 발명의 벌크디펙트의 모폴로지 분석방법은, 웨이퍼 내에 존재하는 벌크디펙트의 위치를 파악하여 상기 벌크디펙트가 존재하는 위치의 근접 영역에 소정의 표식을 마킹하는 시료준비단계; 상기 벌크디펙트의 모폴로지를 분석할 수 있는 시료를 제조하는 시료제조단계; 및 상기 벌크디펙트의 모폴로지를 분석하는 분석단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
본 발명의 표면디펙트의 모폴로지 분석방법은, 웨이퍼의 표면을 기준으로 소정의 깊이까지에 존재하는 표면디펙트의 위치를 파악하여 상기 표면디펙트가 존재하는 위치의 근접 영역에 소정의 표식을 마킹하는 시료준비단계; 상기 표면디펙트의 모폴로지를 분석할 수 있는 시료로 제조하는 시료제조단계; 및 상기 표면디펙트의 모폴로지를 분석하는 분석단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 벌크디펙트 및 표면디펙트로 인한 불량의 원인을 정확하게 규명함으로써 반도체소자의 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.-
Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101258530B1
公开(公告)日：2013-04-30
申请号：KR1020060084278
申请日：2006-09-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/02
CPC classification number: G06F1/3203 , H03K19/0016
Abstract: 여기에 개시된 시스템 온 칩은: 하드 매크로 블록과; 딥 스탑 모드시 딥스탑 인에이블 신호와 딥 스탑모드로의 진입을 알리는 딥 스탑모드 상태 신호를 활성화시키는 전력 제어부와; 노멀 모드시 멀티-문턱 씨모스 로직으로부터 출력되는 데이터를 상기 하드 매크로 블록으로 전송하는 딥스탑 제어 로직과; 그리고 상기 딥 스탑모드 상태 신호의 활성화에 응답하여 전원 제어 신호 및 데이터 제어 신호를 활성화시키는 멀티-문턱 씨모스 제어 로직을 포함하며, 상기 딥스탑 제어 로직은 상기 딥스탑 인에이블 신호, 상기 딥 스탑모드 상태 신호, 그리고 상기 데이터 제어 신호의 활성화에 응답하여 상기 멀티-문턱 씨모스 로직으로부터 출력되는 데이터를 래치하도록, 그리고 상기 딥스탑 인에이블 신호 및 상기 전원 제어 신호의 활성화에 응답하여 상기 하드 매크로 블록으로의 전원 공급을 차단하도록 구성되는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR101136865B1
公开(公告)日：2012-04-20
申请号：KR1020070038519
申请日：2007-04-19
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 주기가 있는 패턴의 CD 균일도 및 위상결함 불균일 정보를 높은 정밀도를 유지하면서 고속으로 검사할 수 있는 패턴 균일도 검사장치에 관한 것이다.
이를 위해 본 발명은, 주기적인 패턴을 갖는 시료에 광원을 통해 단파장의 레이저 빔을 조사하고, 상기 시료에 조사된 후 마스크의 형상정보와 위상결함 정보에 의해 편광정보가 변화된 반사 빔의 주파수를 검출기를 통해 검출하여, 검출한 반사 빔의 주파수와 광원에서 출사된 기준 빔의 주파수를 로크인 증폭기를 통해 비교한 후 시료에서 반사된 레이저의 진폭과 위상 신호를 측정하여 측정된 레이저의 진폭과 위상 신호 분석으로 상기 시료 패턴의 CD 균일도 및 위상결함 정보를 검사하는 것이다.
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