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公开(公告)号：KR1020160058499A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：KR1020140160058
申请日：2014-11-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조중래
CPC classification number: H01L27/10879 , G11C11/4074 , H01L21/2253 , H01L21/28518 , H01L21/28537 , H01L21/324 , H01L21/326 , H01L21/823892 , H01L27/10814 , H01L27/10817 , H01L27/10823 , H01L27/10826 , H01L27/1085 , H01L27/10855 , H01L27/10876 , H01L29/1083 , H01L29/1087 , H01L29/47 , H01L29/78
Abstract: 본발명의기술적사상은소스/드레인등의활성영역층과메탈전극간의콘택저항을최소화한반도체소자, 그반도체소자의제조방법과제조장치를제공한다. 그반도체소자는기판; 상기기판의상부부분에형성된상부불순물영역들; 상기상부불순물영역들에전기적으로연결되는메탈전극들; 상기상부불순물영역들과메탈전극들사이에형성된메탈실리사이드층; 및상기기판의하부부분에형성된하부불순물영역;을포함한다.
Abstract translation: 本技术思想提供了一种半导体器件，用于最小化诸如源极/漏极之类的金属电极和有源区域层之间的接触电阻，及其制造方法和装置。 半导体器件包括衬底; 形成在基板的上部的上部杂质区域; 电连接到上部杂质区域的金属电极; 形成在所述上部杂质区域与所述金属电极之间的金属硅化物层; 以及形成在基板的下部的较低杂质区域。
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公开(公告)号：KR101206034B1
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：KR1020060045154
申请日：2006-05-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/115 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/51 , H01L27/112 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 본 발명은 산소결핍 금속산화물을 이용한 비휘발성 메모리 소자 및
그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 스위칭 소자와 상기 스위칭 소자에 연결된 스토리지 노드를 구비하는 비휘발성 메모리 소자에 있어서, 상기 스토리지 노드는 하부전극; 상기 하부전극 상에 형성된 산소 결핍 금속산화물층; 상기 산소 결핍 금속산화물층 상에 형성된 데이터 저장층; 및 상기 데이터 저장층 상에 형성된 상부전극을 포함하는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
비휘발성 메모리 소자, 메모리 스위칭, ZnO, 산소결핍 금속산화물-
公开(公告)号：KR1020110105261A
公开(公告)日：2011-09-26
申请号：KR1020100024412
申请日：2010-03-18
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조중래
IPC: H01C10/00 , G01J5/20 , B82Y15/00 , H01L27/146 , H01L31/0352 , H04N5/33
CPC classification number: B82Y15/00 , G01J5/20 , H01L27/14669 , H01L31/0352 , H01C10/00 , H04N5/33
Abstract: 본 발명에 따른 반도체 소자는 기판; 및 상기 기판상에 부유되고(suspended), 적외선이 흡수될 때 발생하는 저항 변화를 감지하는 감지부를 포함하고, 상기 감지부는 적어도 하나의 양자점(Quantum Dot)이 임베디드(embedded)되며 상기 적어도 하나의 양자점을 이용하여 상기 적외선이 흡수될 때 발생하는 저항의 변화를 감지한다.
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公开(公告)号：KR1020070066117A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：KR1020050126912
申请日：2005-12-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01J1/312 , B82Y10/00 , H01J29/04 , H01J31/127 , H01J2201/3125
Abstract: A surface electron emission device and a display device having the same are provided to improve electron emission efficiency by forming a fullerene layer having high tension on an upper electrode. A surface electron emission device includes a lower electrode(312), an insulating layer(314), an upper electrode(319), and a nano-structure layer(320). The lower electrode, the insulating layer, and the upper electrode are laminated sequentially. The nano-structure layer is formed on electrode layer. The nano-structure layer is formed with a carbon nano-structure layer. The carbon nano-structure layer is formed with a fullerene layer. The nano-structure layer has a thickness of 0.2 to 20nm.
Abstract translation: 提供一种表面电子发射器件及其显示器件，以通过在上部电极上形成具有高张力的富勒烯层来提高电子发射效率。 表面电子发射器件包括下电极（312），绝缘层（314），上电极（319）和纳米结构层（320）。 依次层叠下电极，绝缘层和上电极。 纳米结构层形成在电极层上。 纳米结构层由碳纳米结构层形成。 碳纳米结构层由富勒烯层形成。 纳米结构层的厚度为0.2〜20nm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100657910B1
公开(公告)日：2006-12-14
申请号：KR1020040091491
申请日：2004-11-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/7926 , H01L29/42332 , H01L29/7887 , H01L29/7923
Abstract: 멀티비트 비휘발성 메모리 소자, 그 동작 방법 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 멀티비트 비휘발성 메모리 소자의 단위셀은 수직으로 형성된 복수의 채널들과, 그 채널들 외측에 수직으로 형성된 스토리지 노드들과, 그 채널들 및 스토리지 노드들의 상부와 스토리지 노드들의 측면을 둘러싸고 있는 제어 게이트와, 그 채널들, 스토리지 노드들 및 제어 게이트들 각각의 사이에 개재된 절연막을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020060117023A
公开(公告)日：2006-11-16
申请号：KR1020050039726
申请日：2005-05-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L49/003 , H01L45/00 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L45/06 , H01L45/141 , H01L45/16
Abstract: A transistor and its manufacturing method are provided to reduce leakage current by using a metal-insulator transition material layer and a tunneling barrier layer. An insulating layer(31) is formed on a substrate(30). Source and drain(32a,32b) are spaced apart from each other on the insulating layer. A tunneling barrier layer(33) is formed on the source and drain. A metal-insulator transition material layer(34) is formed on the resultant structure. A dielectric film(35) is formed on the metal-insulator transition material layer. A gate electrode layer(36) is formed on the dielectric film.
Abstract translation: 提供晶体管及其制造方法，以通过使用金属 - 绝缘体转移材料层和隧道势垒层来减少泄漏电流。 绝缘层（31）形成在基板（30）上。 源极和漏极（32a，32b）在绝缘层上彼此间隔开。 在源极和漏极上形成隧道势垒层（33）。 在所得结构上形成金属 - 绝缘体转移材料层（34）。 在金属 - 绝缘体转移材料层上形成电介质膜（35）。 在电介质膜上形成栅电极层（36）。
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公开(公告)号：KR100612872B1
公开(公告)日：2006-08-14
申请号：KR1020040093639
申请日：2004-11-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/685
Abstract: 채널의 물성이 인가전압에 따라 가변적인 트랜지스터와 그 제조 및 동작 방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 기판 상에 라인 형태로 구비된 제1 도전층과, 상기 제1 도전층 상에 형성된 순차적으로 적층된 상전이층과 제2 도전층과, 상기 제2 도전층 상에 이격되게 형성된 제1 및 제2 전류 방향 제한 수단과, 상기 제1 및 제2 전류 방향 제한 수단 상에 각각 형성된 제3 및 제4 도전층과, 상기 제3 도전층에 연결된 워드라인과, 상기 제4 도전층에 연결된 비트라인과, 상기 워드라인에 연결된 전압 강하 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터와 그 제조 및 동작 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020060086996A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：KR1020050007622
申请日：2005-01-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 저항 디램(RDRAM) 소자 및 그 동작 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 저항 디램 소자는, 문턱 전압 이상에 저항 변화에 따른 스위칭 특성을 보이는 스토리지 노드용 스위칭 저항체와, 스위칭 저항체로 연결되는 파워를 제어하는 제어 소자를 포함한다. 본 발명에 따른 저항 디램 소자를 이용하면, 2 디지트 이상의 신뢰성 있는 스토리지 기능을 확보하면서도, 집적도를 높일 수 있다.
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公开(公告)号：KR100601995B1
公开(公告)日：2006-07-18
申请号：KR1020050017218
申请日：2005-03-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
Abstract: 물성 변환층을 이용한 트랜지스터와 그 동작 및 제조 방법에 관해 개시되어 있다. 여기서 본 발명은 기판 상에 형성된 절연막과, 상기 절연막 상에 이격된 제1 및 제2 도전층 패턴과, 상기 제1 및 제2 도전층 패턴사이의 상기 절연막 상에 형성된 물성 변환층과, 상기 물성 변환층 상에 적층된 고유전막 및 상기 고유전막 상에 형성된 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터와 그 동작 및 제조 방법을 제공한다.
Abstract translation: 使用物理性质转换层的晶体管及其操作和制造方法。 本发明提供了一种半导体器件，包括：形成在衬底上的绝缘膜;在绝缘膜上间隔开的第一和第二导电层图案;形成在第一和第二导电层图案之间的绝缘膜上的物理转换层; 并且在高k介电层上形成栅电极，以及该晶体管的操作和制造方法。
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