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公开(公告)号：KR1019980030961A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019960050442
申请日：1996-10-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/32 , H01L21/8242
Abstract: 캐패시터의 용량을 조절할 수 있고, 증대시킬 수 있는 반도체 메모리장치의 캐패시터 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은, 하부구조가 형성된 웨이퍼 상부에 포토레지스트를 도포하는 단계, 상기 포토레지스트가 도포된 상기 웨이퍼 상부에 표준마스크를 정렬시키는 단계, 상기 표준마스크를 이용하여 노광공정 및 현상공정을 수행하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 상기 웨이퍼를 식각하여 패턴 홀을 형성하는 단계 및 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 구비하여 이루어진다.
따라서, 캐패시터의 표면적을 증가시킬 수 있고, 표면적의 양도 조절할 수 있는 효과가 있다.-
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公开(公告)号：KR1019970072174A
公开(公告)日：1997-11-07
申请号：KR1019960010640
申请日：1996-04-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31
Abstract: 본 발명은 반도체 구성 막질의 농도 모니터링 샘플에 도핑된 불순물의 농도 변화를 방지할 수 있는 반도체 구성 막질의 농도 모니터링 샘플 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 기판에 불순물이 도핑된 모니터링용 막질을 침적하는 단계와 상기 막질의 상부 전면에 외부 환경과 차단되도록 보호막을 형성하는 단계에 의해 막질의 불순물 농도가 변화되지 않는 농도 모리터링 샘플을 제조함으로써, 모니터링한 반도체 소자의 막질 농도에 변동이 있을 경우에 설비에 이상으로 간주하여도 반도체의 품질 하락 및 수율 감소가 일어나지 않도록 한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019970072161A
公开(公告)日：1997-11-07
申请号：KR1019960010641
申请日：1996-04-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 제조시 각종 막질의 식각 정도를 간단한 방법으로 측정할 수 있도록 한 반도체 구성 막질의 식각률 측정 방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상에 막질을 침적하는 단계; 상기 막질상에 포토레지스트를 침적하고 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴의 개구부를 통하여 하부 막질을 선택적으로 식각하는 단계; 및, 상기 막질의 식각 부분과 식각되지 않은 부분의 두께를 각각 측정하여 막질의 식각률을 구하는 단계를 구비하여 이루어져 있다.
이 방법은 막질의 식각률을 2번의 반도체 웨이퍼 로딩에 의해 측정하였던 종래의 방법에 비해, 1번의 웨이퍼 로딩에 의해 식각률 측정을 가능케 함으로써 전반적인 반도체 제조 공정이 보다 간단해지게 되어, 본 발명을 적용하면 반도체 제조의 생산성 및 작업 효율을 향상시킬 수 있게 되는 것이다.-
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公开(公告)号：KR1019970058441A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950069755
申请日：1995-12-30
IPC: H05K3/34
Abstract: 인쇄회로기판의 통전검사용 프로브 장치가 개시된다. 이 장치는 전자부품을 인쇄회로기판과 결합시키는 결합부와 접촉하여 통전검사를 수행하는 프로브 어셈블리와, 프로브 어셈블리가 직선운동하도록 구동하기 위한 제1구동수단과, 프로브 어셈블리의 직선운동을 안내하기 위한 가이드를 포함하는 인쇄회로기판의 통전검사용 프로브 장치에 있어서, 프로브 어셈블리는 그 선단에서 결합부와 접촉하여 통전검사에 따른 신호를 검출하기 위한 프로브 팁과; 이 프로브 팁의 후단에 결합되어 프로브 팁이 결합부에 접촉할 때 프로브 팁에 가해지는 접촉힘을 측정하기 위한 힘센서와; 프로브 팁이 결합부에 접촉할 때의 프로브 팁의 위치를 측정하기 위한 위치센서와; 측정된 접촉힘과 프로브 팁의 위치에 따라 프로브 팁의 위치를 조정하기 위한 위치조정수단;을 포함한다. 이 장치는 프로브 어셈블리의 결합부에 대한 경사각을 조정하기 위한 제2구동수단을 더 포함할 수 있다. 이에 따라 납땜 불량 및 프로브 팁의 진동을 방지하여 안정된 통전검사를 수행할 수 있고, 다양한 납땜부의 표면형상에 대하여 적응성을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020060011395A
公开(公告)日：2006-02-03
申请号：KR1020040060230
申请日：2004-07-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01B7/02
CPC classification number: G01B11/26 , G01B11/03 , G01N21/956 , G01N2203/0647
Abstract: 기판 상에 형성된 미세 구조의 치수를 신속하게 측정할 수 있는 측정 방법 및 이를 수행하기 위한 측정 장치에 있어서, 미세 구조물에 1차 전자를 조사하여 미세 구조물로부터 생성된 2차 전자를 검출하여 영상 데이터를 획득한 다음, 기 설정된 기준선에 대한 영상 데이터 상의 미세 구조물의 2차원 기울기를 산출한다. 이어서 산출된 기울기에 따라 미세 구조물을 나타내는 영상의 기울기를 보정한 후, 미세 구조물의 치수를 산출한다. 미세 구조물이 로테이트되게 촬영되어도 이를 정위치에 맞게 보정할 수 있어, 정확한 측정을 수행할 수 있을 뿐만 아니라 나아가 측정시간도 크게 단축할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100423967B1
公开(公告)日：2004-03-22
申请号：KR1020010040380
申请日：2001-07-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03B42/02
CPC classification number: G01N23/04 , Y10S378/901
Abstract: Disclosed herein is a three-dimensional image constructing method using an X-ray apparatus. In the three-dimensional image constructing method, a construction space of a subject and information for the construction space are set. Thereafter, a plurality of transmission images of the subject are obtained. The data of the construction space are calculated on the basis of the information for the construction space set at the setting step and the transmission images obtained at the image obtaining step. The construction space is constructed on the basis of the data calculated at the image processing step.
Abstract translation: 这里公开了一种使用X射线装置的三维图像构建方法。 在三维图像构建方法中，设置主体的构造空间和构造空间的信息。 之后，获得对象的多个透射图像。 基于在设定步骤中设定的建筑用空间的信息和在图像取得工序中取得的透过图像，计算建筑空间的数据。 建筑空间是根据在图像处理步骤计算的数据构建的。
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