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公开(公告)号：KR1020060046877A
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：KR1020040092380
申请日：2004-11-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32431 , C23C16/4401 , C23C16/4582 , H01J2237/022 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/31116 , H01L21/31612 , H01L21/67069
Abstract: 피처리체의 처리 방법 및 플라즈마를 사용한 피처리체의 처리 방법에 있어서, 제1 가스의 공급 및 바이어스 파워와 제1 소스 파워의 인가에 의해 생성된 플라즈마를 사용하여 쿨롱력에 의해 파지된 피처리체를 처리한 후, 상기 플라즈마의 생성을 중단시키고, 상기 쿨롱력을 해제한다. 그리고, 제2 가스의 공급 및 제2 소스 파워의 인가에 의해 생성된 끌힘에 의해 상기 피처리체의 주변에 잔류하는 오염원을 상기 피처리체로부터 부유시킨다. 따라서, 상기 피처리체에 거의 영향을 끼치지 않는 상태에서 상기 오염원을 용이하게 제거할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020050060901A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：KR1020030092634
申请日：2003-12-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/304 , H01J2237/0044
Abstract: 본 발명은 이온 주입 장치 및 이를 이용한 이온 주입 방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 이온 주입 장치는, 회전 디스크를 내장하고 밀폐된 공간을 정의하는 디스크 챔버에 고정 설치되어 상기 회전 디스크에 마운팅되는 웨이퍼의 표면과 근접 대향하여 웨이퍼 표면의 대전 상태를 읽는 전하 감지기를 포함하는 것을 특징으로 한다. 개시된 본 발명의 이온 주입 방법은, 양이온을 생성시키는 단계와; 상기 양이온에 전자를 제공하여 상기 양이온을 중성화하는 단계와; 상기 중성화된 입자를 회전 디스크에 마운팅된 웨이퍼에 주입시키는 단계와; 상기 웨이퍼의 표면 전하 상태를 감지하는 단계와; 상기 감지 결과 상기 웨이퍼의 표면 전하 상태가 중성 상태가 아니면 상기 웨이퍼의 표면 전하 상태를 중성화되도록 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 전하 감지기는 이온 빔에 의한 증착으로부터 자유롭게 되어 이온 빔 증착으로 인한 노이즈 증가를 방지할 수 있다. 따라서, 신호/노이즈 비가 향상되어 이온 주입의 신뢰성이 확보되는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1020050042436A
公开(公告)日：2005-05-09
申请号：KR1020040025097
申请日：2004-04-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/50 , C23C16/45563
Abstract: 본 발명은 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로, 상기 장치는 적어도 두개의 혼합된 소스가스들을 분사하는 노즐들을 가진다. 각각의 상기 노즐은 하나의 통공이 형성되며 가스공급부로부터 소스가스들을 공급받는 단일부와 상기 단일부로부터 연장되며 하나 또는 복수의 통공들이 형성된 복합부를 가진다.
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公开(公告)号：KR1020020012106A
公开(公告)日：2002-02-15
申请号：KR1020000070973
申请日：2000-11-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an interconnection using a hydrogen silsesquioxane(HSQ) layer as an interlayer dielectric is provided to simplify a process for forming the interconnection, by performing a plasma treatment regarding the HSQ layer so that the HSQ layer is not damaged in a photolithography process to directly pattern the HSQ layer. CONSTITUTION: A low dielectric layer is formed on a semiconductor substrate(10). A plasma treatment process is performed regarding the entire surface of the low dielectric layer. The plasma-treated low dielectric layer is patterned to form an opening exposing a predetermined region of the semiconductor substrate. A conductive layer filling the opening is formed on the entire surface of the semiconductor substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种使用氢倍半硅氧烷（HSQ）层作为层间电介质制造互连的方法，以简化形成互连的工艺，通过对HSQ层进行等离子体处理，使得HSQ层在 光刻工艺直接对HSQ层进行图案化。 构成：在半导体衬底（10）上形成低介电层。 对低介电层的整个表面进行等离子体处理。 将等离子体处理的低介电层图案化以形成暴露半导体衬底的预定区域的开口。 填充开口的导电层形成在半导体衬底的整个表面上。
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公开(公告)号：KR1020010086687A
公开(公告)日：2001-09-15
申请号：KR1020000010383
申请日：2000-03-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 한재현
IPC: H01L21/28
Abstract: PURPOSE: A method for forming a contact hole is to improve the profile of the contact hole by preventing the bow of a contact hole sidewall which is formed on an interlayer dielectric. CONSTITUTION: An interlayer dielectric(42) is formed on a semiconductor substrate(40). The interlayer dielectric consists of the first to third insulating layers(44,46,48). A photoresist pattern is formed to expose a predetermined region of the third insulting layer. The interlayer dielectric is etched by using the photoresist pattern as an etching mask, so that the semiconductor substrate is exposed. The first contact hole is formed on the interlayer dielectric to expose the semiconductor substrate. The bow formed on the sidewall of the first contact hole is formed on the second insulating layer. The second contact hole(h2) having the good profile is formed on the interlayer dielectric by removing the bow formed on the sidewall of the first contact hole. Through a wet etching process. A conductive layer(52) is formed on the interlayer dielectric to bury in the second contact hole.
Abstract translation: 目的：形成接触孔的方法是通过防止形成在层间电介质上的接触孔侧壁的弓形来改善接触孔的轮廓。 构成：在半导体衬底（40）上形成层间电介质（42）。 层间电介质由第一至第三绝缘层（44,46,48）组成。 形成光致抗蚀剂图案以暴露第三绝缘层的预定区域。 通过使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻层间电介质，使得半导体衬底露出。 第一接触孔形成在层间电介质上以露出半导体衬底。 形成在第一接触孔的侧壁上的弓形成在第二绝缘层上。 通过去除形成在第一接触孔的侧壁上的弓形，在层间电介质上形成具有良好轮廓的第二接触孔（h2）。 通过湿法蚀刻工艺。 在层间电介质上形成导电层（52）以埋在第二接触孔中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990085648A
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019980018203
申请日：1998-05-20
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 한재현
IPC: H01L21/28
Abstract: 다중층 마스크 패턴을 이용한 반도체 소자의 콘택홀 형성방법을 개시한다. 본 발명은, 메모리 셀 영역의 비트라인 콘택홀, 주변 영역의 활성영역 콘택홀 및 주변영역의 게이트 콘택홀을 동시에 형성하는 방법에 있어서, 콘택홀이 형성될 층간 절연막상에 하부 포토레지스트 패턴, 게이트 위에 형성된 절연막에 대하여 식각 선택비가 1:10 이하인 층간 마스크 패턴 및 상부 포토레지스트 패턴으로 구성된 다중층 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 다중층 마스크 패턴을 식각 마스크로 사용하여 게이트 콘택홀, 비트라인 콘택홀 및 활성영역 콘택홀을 동시에 형성하는 단계를 구비한다. 본 발명에 의해, 다중층 마스크 패턴을 이용하여 한번의 사진식각 공정으로 여러 가지 막, 예컨대 질화막, 산화막 및 실리콘막 내에 콘택홀을 동시에 형성함으로써, 공정마진을 증가시킬 수 있고 비용을 절감시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR101845137B1
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：KR1020150151380
申请日：2015-10-29
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사 , 삼성전자주식회사
IPC: C09J7/02 , C09J133/26 , C09J9/00
Abstract: 수산기, 알킬기및 아미드기를갖는 (메트)아크릴계공중합체및 유기나노입자를포함하고, 식 1의박리강도의변화율이 0.5 이하이고, 60℃에서박리강도가 700 gf/in 이상인것인, 점착필름, 이를포함하는광학부재및 이를포함하는광학표시장치가제공된다.
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公开(公告)号：KR1020170121672A
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：KR1020160170839
申请日：2016-12-14
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사 , 삼성전자주식회사
IPC: C09J7/02 , G02B5/20 , G02B5/30 , C09J133/08 , C09J133/10 , B32B7/12 , B32B27/36 , C09J11/06
CPC classification number: C09J7/255 , B32B7/12 , B32B27/36 , C09J7/385 , C09J11/06 , C09J133/08 , C09J133/10 , C09J2201/622 , C09J2203/318 , G02B5/20 , G02B5/3041
Abstract: 수산기를갖는 (메트)아크릴계공중합체및 유기나노입자를포함하고, 유리전이온도가 -35℃이하인점착필름이고, 제1PET 필름(두께:100㎛), 점착필름(두께:50㎛), 제2PET 필름(두께:50㎛), 점착필름(두께:50㎛), 제3PET 필름(두께:125㎛)의순차적으로적층된 5층구조의시편(가로 x 세로)(100cm x 160cm)을폴딩테스트용측정기기에상기시편의세로길이의 1/2가되는지점이접히도록제3 PET필름방향으로접히도록고정시키고, 곡률반경이 3mm가되도록 180°로접었다폈다하는것을분당 30 사이클(cycle)의속도로 i) -20℃, ii) 60℃및 93% 상대습도중 하나이상의조건에서벤딩(폴딩)(상기시편을반으로 1회구부렸다폈다하는것을 1 사이클로함)을반복하였을때 점착필름과 PET 필름간의박리, 크랙또는기포발생이있을때까지의폴딩회수가 5만회이상인점착필름, 이를포함하는광학부재및 이를포함하는광학표시장치가제공된다.
Abstract translation: 具有羟基的（甲基）包含丙烯酸类共聚物和一种有机纳米颗粒，和-35℃或更低的压敏粘合剂膜，所述彼前膜（厚度：100㎛）的玻璃化转变温度，粘合剂薄膜（厚度：50㎛），则彼后 （厚度：50μm），粘合剂膜（厚度：50μm）和第三PET膜的五层结构（100cm×160cm） 即试样测量点组的高度的1/2被固定在第三PET膜塌陷方向塌陷，曲率半径熏180°折叠，以每分钟3毫米进行30个循环（周期）uisok道路i）至 -20℃时，ii）当在60℃和93％相对湿度的一个或多个条件下重复弯曲（折叠）样品时粘合膜和PET膜的剥离， 直至产生裂纹或气泡为止的折叠次数为50,000次以上的粘接膜，含有该粘接膜的光学部件， 的光学显示装置。
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公开(公告)号：KR1020170070753A
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：KR1020150178665
申请日：2015-12-14
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사 , 삼성전자주식회사
IPC: C09J7/00 , C09J11/06 , C09J9/00 , G02F1/1333
Abstract: 25℃에서의식 1의신율이 900% 이상이고, 25℃에서의박리강도가 1000gf/in 이상이고, 수산기함유 (메트)아크릴레이트, 알킬렌글리콜단위함유 (메트)아크릴레이트및 알킬기함유 (메트)아크릴레이트를포함하는단량체혼합물을포함하는점착제조성물로형성된점착필름, 이를포함하는광학부재및 이를포함하는광학표시장치가제공된다.
Abstract translation: 和条例1个uisin不小于900％在25℃，剥离强度为1000gf /多于eseoui 25℃，含羟基的（甲基）丙烯酸酯，亚烷基二醇包含单元的（甲基）丙烯酸酯和含烷基的（甲基）丙烯酸酯 包含该粘合膜的光学构件以及包括该粘合膜的光学显示装置。
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