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公开(公告)号：KR1020060110480A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：KR1020050032756
申请日：2005-04-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: A method for manufacturing an EUVL(Extreme Ultra-Violet Lithography) alternating phase shift mask is provided to decrease reflectivity in a non-phase shift region when EUV light irradiated to a phase shift mask by physically changing a structure of a reflecting layer in the non-phase shift region. A substrate(100) is prepared to have reflecting layers(112,116), multi layering structure, where heterogeneous materials are layered in turn many times. A shielding layer is formed on the reflecting layers on the substrate. The reflecting layers include first and second reflecting layers. An etch stop layer is disposed between the first and second reflecting layers. A photoresist pattern is formed on the shielding layer to expose part thereof. Anisotropic dry etching is performed on the shielding layer by using the first photoresist pattern as an etching mask to form a shielding layer pattern(120a). The first photoresist pattern is removed. As the result, a reflecting region(100a) exposed through the shielding layer pattern and a non-reflecting region(100b) covered by the shielding layer pattern are defined on the first and second reflecting layers on the substrate.
Abstract translation: 提供了一种用于制造EUVL（Extreme Ultra-Violet Lithography）交变相移掩模的方法，用于通过物理地改变非反相层中的反射层的结构来减少EUV光照射到相移掩模时的非相移区域中的反射率 相移区。 制备基板（100）具有反射层（112,116），多层结构，其中异质材料依次层叠多次。 在基板上的反射层上形成屏蔽层。 反射层包括第一和第二反射层。 蚀刻停止层设置在第一和第二反射层之间。 在屏蔽层上形成光致抗蚀剂图案以暴露其部分。 通过使用第一光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模在屏蔽层上进行各向异性干蚀刻以形成屏蔽层图案（120a）。 去除第一光致抗蚀剂图案。 结果，在基板上的第一和第二反射层上限定了通过屏蔽层图案露出的反射区域（100a）和被屏蔽层图案覆盖的非反射区域（100b）。
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公开(公告)号：KR1020060023391A
公开(公告)日：2006-03-14
申请号：KR1020040072219
申请日：2004-09-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , H01L21/66
CPC classification number: G03F1/84 , G03F1/36 , G03F7/70666
Abstract: 웨이퍼 노광용 마스크의 검사하기 위하여, 웨이퍼 노광용 마스크의 제1 영역에서 시뮬레이션된 제1 에이리얼 이미지를 저장한다. 상기 웨이퍼 노광용 마스크의 제1 영역이 조명기와 오버랩되도록 상기 웨이퍼 노광용 마스크를 이동한다. 상기 웨이퍼 노광용 마스크의 최대 이동 오차만큼 상기 제1 영역을 확장시켜 제2 영역을 지정한다. 상기 조명기를 사용하여 상기 제2 영역으로 광을 전사시켜 제2 에이리얼 이미지를 측정한다. 상기 제1 에이리얼 이미지와 제2 에이리얼 이미지를 비교하여, 상기 제2 에이리얼 이미지에서 상기 제1 에이리얼 이미지와 가장 유사한 부분과 상기 조명기가 오버랩되도록 상기 스테이지를 이동한다. 이어서, 상기 이동한 위치에서 상기 웨이퍼 노광용 마스크의 제1 영역을 검사한다. 상기 과정에 의해 웨이퍼 노광용 마스크의 원하는 영역을 정확하게 검사할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020060006541A
公开(公告)日：2006-01-19
申请号：KR1020040055622
申请日：2004-07-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F1/29
Abstract: 위상 반전 마스크(phase shift mask)를 사용하여 반도체 미세 패턴을 구현하기 어렵고, 또한, 이원화 마스크(binary)로 구현할 때 마스크의 성능이 떨어지는 마스크 CD(critical dimension) 영역인 데드존(dead zone)에 적합한 림(rim) 형태의 위상 반전 마스크 제조 방법에 있어서, 먼저, 석영 기판 상에 라인 형상인 크롬 패턴과 예비 위상 반전 영역을 형성한다. 이어서, 상기 크롬 패턴의 양측 면에 스페이서를 형성한다. 이어서, 상기 스페이서와 크롬 패턴을 식각마스크로 이용하여 상기 석영 기판을 식각하여 위상 반전 영역을 형성한다. 상기 스페이서를 제거하여 림 영역을 드러내는 림(rim) 형태의 위상 반전 마스크 제조한다. 중첩 정렬도 문제와 차징(charging) 문제가 발생하지 않는다. 또한, 스페이서를 이용한 림 영역의 크기를 조절하므로 정밀한 임계치수의 제어가 가능하다.
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公开(公告)号：KR100135815B1
公开(公告)日：1998-06-15
申请号：KR1019940035075
申请日：1994-12-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F15/00
CPC classification number: G06F3/14 , G09G2340/02
Abstract: 본 발명은 오버래이 기능을 가진 데이타 통신방법 및 그 방법을 수행하는 장치를 공개한다. 그 장치는 데이타를 통신망과 연결시켜주는 통신망 연결수단과, 데이타를 저장하는 저장수단과, 데이타를 비동기전송모드로 처리하고, 제1제어신호에 의해 제어되어 저장수단과 데이타를 주고 받고, 통신망 연결수단과 데이타를 주고 받는 데이타처리수단과, 데이타를 복호화하고, 제2제어신호에 제어되어 저장수단으로부터 데이타를 받는 복호화수단과, 통신장치를 포함하는 스시템과 연결되어, 중앙제어신호를 발생하고, 제3제어신호에 제어되어 저장수단과 데이타를 주고 받는 시스템연결수단과, 복호화수단으로부터 데이타를 공급받아 모니터에 오버래이 시키는 오버래이수단과, 제1, 2 및 제3제어신호를 발생하는 전송제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하고, 그 방법은 전자메일 및 텍스트데이타가 통신망을 통해서 송신 및 수신되는 경우에, � �장수단을 시스템연결수단에 연결하는 저장연결조정단계와, 전자메일이나 텍스트데이타를 시스템에 공급하거나 통신망을 통해 전송하는 데이타처리단계와, 시스템이나 통신망에서 공급되고 MPEG으로 압축된 데이타인 경우, 데이타를 저장하고, 복호화하는 저장 및 복호화단계와, MPEG데이타를 모니터에 오버래이 시키는 오버래이 단계를 구비하는 것을 특징으로 하고, 멀티미디어 PC의 고성능화를 실현하는데 도움이 되는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019960025096A
公开(公告)日：1996-07-20
申请号：KR1019940035075
申请日：1994-12-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F15/00
Abstract: 본 발명은 오버래이 기능을 가진 데이타 통신방법 및 그 방법을 수행하는 장치를 공개한다. 그 장치는 데이타를 통신망과연결시켜주는 통신망 연결수단과, 데이타를 저장하는 저장수단과, 데이타를 비동기전송모드로 처리하고, 제1제어신호에의해 제어되어 저장수단과 데이타를 주고 받고, 통신망 연결수단과 데이타를 주고 받는 데이타처리수단과, 데이타를 복호화하고, 제2제어신호에 제어되어 저장수단으로부터 데이타를 받는 복호화수단과, 통신장치를 포함하는 스시템과 연결되어, 중앙제어신호를 발생하고, 제3제어신호에 제어되어 저장수단과 데이타를 주고 받는 시스템연결수단과, 복호화수단으로부터 데이타를 공급받아 모니터에 오버래이 시키는 오버래이수단과, 제1, 2 및 제3제어신호를 발생하는 전송제어수단을구비하는 것을 특징으로 하고, 그 방법은 전자메일 및 텍스트데이타가 통신망을 통해서 송신 및 수신되는 경우에, 저 수단을 시스템연결수단에 연결하는 저장연결조정단계와, 전자메일이나 텍스트데이타를 시스템에 공급하거나 통신망을 통해전송하는 데이타처리단계와, 시스템이나 통신망에서 공급되고 MPEG으로 압축된 데이타인 경우, 데이타를 저장하고, 복호화하는 저장 및 복호화단계와, MPEG데이타를 모니터에 오버래이 시키는 오버래이 단계를 구비하는 것을 특징으로 하고,멀티미디어 PC의 고성능화를 실현하는데 도움이 되는 효과가 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101607131B1
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：KR1020090075683
申请日：2009-08-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명은휴대용단말기의다중대역내장형안테나장치에관한것으로서, 전면과대향면상에접지영역과비접지영역을함께가지는메인보드와, 상기메인보드의비접지영역에직접적용되는일정패턴을갖는안테나방사체를포함하되, 상기안테나방사체는, 상기메인보드의전면상에서일단은두 개로분기되어하나는급전되고, 나머지하나는접지영역에전기적으로연결되며, 타단은단말기의폭방향으로일정길이로연장되는제1안테나방사체; 및상기제1안테나방사체의타단에서상기메인보드의대향면으로인출되어상기메인보드의대향면의비접지영역에서일정형상으로형성되는제2안테나방사체를포함하여, 메인보드의면에안테나방사체를구현하기때문에캐리어의배제로인한설치공간및 설치위치의선택이비교적자유롭고이로인한단말기의슬림화에기여할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110018072A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：KR1020090075683
申请日：2009-08-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01Q9/42 , H01Q5/357 , H01Q5/378 , H01Q5/00 , H01Q1/24 , H01Q1/38 , H01Q13/08
Abstract: PURPOSE: A multi band built-in antenna of a portable terminal is provided to reduce the size of a terminal slimly by free selecting an installation space and an installation position. CONSTITUTION: A main board(20) includes a ground area and a non-ground area. An antenna radiator(10) includes a constant pattern which is directly applied to the non-ground area of the main board. One end of the antenna radiator receives power and the other thereof is electrically connected to the ground area. A first antenna radiator(11) is extended in the width direction of the terminal. A second antenna radiator(12) is formed on the non-ground area of the opposite side of the main board.
Abstract translation: 目的：提供便携式终端的多频带内置天线，通过自由选择安装空间和安装位置来减小终端的尺寸。 构成：主板（20）包括接地区域和非接地区域。 天线辐射器（10）包括直接施加到主板的非接地区域的恒定图案。 天线辐射器的一端接收电力，另一端电连接到接地区域。 第一天线辐射器（11）在端子的宽度方向上延伸。 第二天线辐射器（12）形成在主板的相对侧的非接地区域上。
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公开(公告)号：KR1020090025595A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：KR1020070090565
申请日：2007-09-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2039 , G03F7/70091
Abstract: A lithography apparatus is provided to prevent the light from being inputted to a blind region by a flare phenomenon by blocking a part of the radiant ray reflected in a plurality of reflectors. A reticle has a chip region and a blind region. A plurality of reflectors(110,120,130,140) are arranged to expose the wafer by reflecting the radiant ray inputted to a reticle(100) successively. An aperture(300) blocks a part of the radiant ray reflected in the plurality of reflectors. The radiant ray is an EUV ray.
Abstract translation: 提供了一种光刻设备，用于通过阻挡在多个反射器中反射的一部分辐射线而通过闪光现象将光输入到盲区。 掩模版具有芯片区域和盲区域。 多个反射器（110,120,130,140）被布置成通过反射输入到掩模版（100）的辐射线来暴露晶片。 孔（300）阻挡在多个反射器中反射的辐射线的一部分。 辐射线是EUV射线。
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公开(公告)号：KR1020080065482A
公开(公告)日：2008-07-14
申请号：KR1020070002650
申请日：2007-01-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F1/38 , G03F1/144 , H01L21/32139
Abstract: A method for forming a sub-resolution assist pattern is provided to form clearly an assist pattern of 90nm or less by improving a manufacturing method without improving resolution of photoresist and using an additional exposure apparatus. A fusing pattern(120) including a main pattern, an assist pattern, and a residual region between the main and assist patterns is formed on a substrate(110). A mask is formed on the fusing pattern in order to open only the residual region. The residual region is removed by using the mask. In the process for removing the mask, a photoresist layer(130) is formed on the fusing pattern. The photoresist layer is exposed by using a pattern of the residual region. The photoresist layer corresponding to the residual region is removed.
Abstract translation: 提供了形成副分辨率辅助图案的方法，通过改进制造方法而不改善光致抗蚀剂的分辨率并使用另外的曝光装置来清楚地形成90nm以下的辅助图案。 在基板（110）上形成包括主图案，辅助图案和主辅助图案之间的残留区域的熔化图案（120）。 在熔合图案上形成掩模，以仅打开残留区域。 通过使用掩模去除残留区域。 在去除掩模的过程中，在熔化图案上形成光刻胶层（130）。 通过使用残留区域的图案来曝光光致抗蚀剂层。 去除与残留区域对应的光致抗蚀剂层。
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40.发明授权기판 노광 및 광학요소 세정을 인시츄로 수행할 수 있는극자외선 노광장치 및 그에 구비된 광학요소의 세정방법 失效EUV曝光装置实施曝光基板和清洁光学元件和包括在设备中的光学元件的清洁方法
公开(公告)号：KR100817066B1
公开(公告)日：2008-03-27
申请号：KR1020060098866
申请日：2006-10-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70925 , G03F7/70908
Abstract: An EUV(extreme ultraviolet) exposure apparatus capable of performing an exposure process on a substrate and a cleaning process on an optical element by an in-situ method is provided to transfer exposure light and cleaning light in the same path by generating EUV rays as an exposure source in exposing a substrate and by generating cleaning light having a longer wavelength than that of the EUV in cleaning an optical element. A light source system(LS) generates EUV as an exposure source in exposing a substrate and generates cleaning light(L2) having a longer wavelength than that of the EUV in cleaning an optical element. An illumination optical system(IS) adjusts and patterns the light generated from the light source system. The light source system and the optical system are received in a chamber(100). A molecular oxygen supply apparatus is connected to the chamber. The light source system includes a light source, an exposure light filter and a cleaning light filter. The light source generates both the exposure light and the cleaning light. The exposure light filter selectively transmits the exposure light. The cleaning light filter selectively transmits the cleaning light. The optical system can include a multilayered thin film mirror. The multilayered thin film mirror can include a Mo-Si multilayered thin film structure.
Abstract translation: 提供能够通过原位方法在基板上对光学元件进行曝光处理的EUV（极光紫外线）曝光装置和光学元件的清洁处理，以通过产生EUV射线来转移曝光光和清洁光在同一路径中 曝光源并且在清洁光学元件时产生具有比EUV长的波长的清洁光。 光源系统（LS）在曝光衬底时产生EUV作为曝光源，并且在清洁光学元件时产生具有比EUV更长的波长的清洁光（L2）。 照明光学系统（IS）调整和图案从光源系统产生的光。 光源系统和光学系统被容纳在腔室（100）中。 分子氧供给装置连接到腔室。 光源系统包括光源，曝光光过滤器和清洁光过滤器。 光源同时产生曝光光和清洁光。 曝光光过滤器选择性地透射曝光光。 清洁光过滤器选择性地透射清洁光。 光学系统可以包括多层薄膜反射镜。 多层薄膜反射镜可以包括Mo-Si多层薄膜结构。
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