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公开(公告)号：KR1020000039505A
公开(公告)日：2000-07-05
申请号：KR1019980054858
申请日：1998-12-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/00
Abstract: PURPOSE: An input/output line structure for an extraction stack of an ion implanter is provided to attain stable connection and grounding, and thereby to prevent undesirable arcing phenomena. CONSTITUTION: An input/output line structure is employed for an oil box(300) equipped with an extraction stack. A tube(400) is longitudinally formed in the oil box(300). A first connection line(100) is set in the tube(400) and connected with inner electronic devices of the oil box(300). The first connection line(100) has a length approximately equal to the tube(400). On the other hand, a second connection line(200) having a relatively shorter length is inserted into the tube(300) and then grounded with the first connection line(100). Therefore, the second connection line(200) is not easy to bend, so that an exact and stable connection is made between the first and second connection lines(100,200).
Abstract translation: 目的：提供用于离子注入机的提取堆叠的输入/输出线结构，以实现稳定的连接和接地，从而防止不期望的电弧现象。 构成：配备有提取堆的油箱（300）采用输入/输出线结构。 管（400）纵向形成在油箱（300）中。 第一连接管线（100）设置在管（400）中并与油箱（300）的内部电子装置连接。 第一连接线（100）的长度近似等于管（400）。 另一方面，将具有较短长度的第二连接线（200）插入管（300）中，然后与第一连接线（100）接地。 因此，第二连接线（200）不容易弯曲，从而在第一和第二连接线（100,200）之间进行准确和稳定的连接。
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公开(公告)号：KR100192592B1
公开(公告)日：1999-07-01
申请号：KR1019960003922
申请日：1996-02-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
Abstract: 1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야: 박막 트랜지스터 및 그 제조방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제: 개선된 특성을 가지는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지: 개시된 박막 트랜지스터는, 턴오프시에만 오프셋 영역을 동작적으로 가지는 채널영역과: 상기 채널영역상에 형성된 게이트 절연막과: 상기 채널영역과 자기정합되며 상기 채널영역의 제1 인접부에 형성된 소오스 영역과: 상기 채널영역과 자기정합되며 상기 채널영역의 제2 인접부에 형성된 드레인 영역과: 게이트 전압을 수신하는 메인 게이트, 상기 소오스 영역과 저항성 접촉을 이루는 서브 게이트, 및 상기 메인 게이트와 상기 서브 게이트간에 정류성 접합을 만들기 위한 접합 게이트를 포함하여 상기 게이트 절연막상에 형성된 게이트영역을 가진다.
4. 발명의 중요한 용도: 박막 트랜지스터 및 그 제조방법.-
公开(公告)号：KR1019970063786A
公开(公告)日：1997-09-12
申请号：KR1019960003922
申请日：1996-02-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
박막 트랜지스터 및 그 제조방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
개선된 특성을 가지는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
개시된 박막 트랜지스터는, 턴오프시에만 오프셋 영역을 동작적으로 가지는 채널영역과; 상기 채널영역상에 형성된 게이트 절연막과; 상기 채널영역과 자기정합되며 상기 채널영역의 제1인접부에 형성된 소오스 영역과; 상기 채널영역과 자기정합되며 상기 채널영역의 제2인접부에 형성된 드레인 영역과; 게이트 전압을 수신하는 메인 게이트, 상기 소오스 영역과 저항성 접촉을 이루는 서브 게이트, 및 상기 메인 게이트와 상기 서브 게이트 간에 정류성 접합을 만들기 위한 접합 게이트를 포함하여 상기 게이트 절연막상에 형성된 게이트영역을 가진다.
4. 발명의 중요한 용도
박막 트랜지스터 및 그 제조방법.-
公开(公告)号：KR1020170017643A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：KR1020150111873
申请日：2015-08-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04W52/18 , H04W52/223 , H04W52/28 , H04W52/343
Abstract: 전자장치에있어서, 휴대용전자장치에있어서, 통신인터페이스, 상기전자장치와기능적으로연결된적어도하나의카메라를통해획득된멀티미디어데이터를저장하기위한메모리, 및프로세서를포함하고, 상기프로세서는, 상기통신인터페이스를이용하여, 상기멀티미디어데이터의적어도일부를네트워크를통하여상기휴대용전자장치의제 1 전송전력기능으로외부전자장치로전송하고, 상기휴대용전자장치또는상기네트워크에관련된상황정보를판단하고, 상기상황정보가지정된조건에해당하면, 상기송신과관련하여상기휴대용전자장치의제 2 전송전력기능으로전이하도록설정된전자장치가개시된다. 이외에도명세서를통해파악되는다양한실시예가가능하다.
Abstract translation: 提供便携式电子设备。 便携式电子设备包括通信接口，被配置为存储通过与存储器可操作地连接的至少一个摄像机获得的多媒体数据的存储器和处理器。 处理器被配置为通过通过通信接口的便携式电子设备的第一发射功率功能通过网络将至少部分多媒体数据传输到外部电子设备，以确定与便携式电子设备中的至少一个相关联的上下文信息 电子设备和网络，并且如果上下文信息对应于条件，则从便携式电子设备的第一发射功率功能改变为第二发射功率功能。
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公开(公告)号：KR1020120063318A
公开(公告)日：2012-06-15
申请号：KR1020100124438
申请日：2010-12-07
Applicant: 삼성전자주식회사 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L41/193 , H01L41/083 , H01L41/45 , H01L41/187 , H01L41/29 , H01L41/27 , H01L41/047
CPC classification number: H01L41/0474 , H01L41/0478 , H01L41/0833 , H01L41/193 , H01L41/27 , H01L41/083 , H01L41/187 , H01L41/29 , H01L41/45
Abstract: PURPOSE: A multilayer electro-active polymer device and a manufacturing method thereof are provided to minimize the reduction of a driving displacement of a multilayer EAP(Electro-Active Polymer) actuator by forming an active electrode with conductive polymer. CONSTITUTION: An EAP layer(111-118) is made of electro-active polymer. A protective layer(121-128) prevents foreign materials from penetrating through the EAP layer. An active electrode(131-138) is made of conductive materials. An extension electrode(141-148) is arranged in an inactive region. A connection electrode structure includes a plurality of inactive layers and common electrodes(151,152).
Abstract translation: 目的：提供多层电活性聚合物器件及其制造方法，以通过形成具有导电聚合物的活性电极来最小化多层EAP（电活性聚合物）致动器的驱动位移的减小。 构成：EAP层（111-118）由电活性聚合物制成。 保护层（121-128）防止异物穿透EAP层。 有源电极（131-138）由导电材料制成。 延伸电极（141-148）布置在非活动区域中。 连接电极结构包括多个非活性层和公共电极（151,152）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100829565B1
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：KR1020060097412
申请日：2006-10-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/60
Abstract: A semiconductor probe having a wedge shape resistive tip and a method of fabricating the semiconductor probe is provided. The semiconductor probe includes a resistive tip that is doped with a first impurity, has a resistance region doped with a low concentration of a second impurity having an opposite polarity to the first impurity, and has first and second semiconductor electrode regions doped with a high concentration of the second impurity on both side slopes of the resistive tip. The probe also includes a cantilever having the resistive tip on an edge portion thereof, and an end portion of the resistive tip has a wedge shape.
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公开(公告)号：KR1020080031084A
公开(公告)日：2008-04-08
申请号：KR1020060097412
申请日：2006-10-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/60
Abstract: A semiconductor probe having a wedge-shaped resistive tip, and a method of fabricating the same are provided to increase the resolution of a resistance area by forming highly doped electrode areas on both sides of the resistance area of the resistive tip. A semiconductor probe comprises a resistive tip(150), and a cantilever(170). The resistive tip, doped by the first impurity, comprises a resistance area(156) which is doped by the second impurity, having an opposite polarity to that of the first impurity, in low concentration on its top portion, and has first and second semiconductor electrode areas(152,154) doped by the second impurity in high concentration on its inclined portion. The cantilever has the resistive tip on its edge portion. The end portion of the resistive tip is wedge-shaped and the length of the end portion of the tip is in a range of 20nm to 2mum.
Abstract translation: 提供具有楔形电阻端头的半导体探针及其制造方法，以通过在电阻尖端的电阻区域的两侧形成高度掺杂的电极区域来提高电阻区域的分辨率。 半导体探针包括电阻尖端（150）和悬臂（170）。 由第一杂质掺杂的电阻尖端包括由第二杂质掺杂的具有与第一杂质相反的极性的电阻区域（156），其顶部部分的浓度低，并且具有第一和第二半导体 在其倾斜部分上由高浓度的第二杂质掺杂的电极区域（152,154）。 悬臂在其边缘部分具有电阻尖端。 电阻尖端的端部是楔形的，并且尖端的端部的长度在20nm至2μm的范围内。
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公开(公告)号：KR100624434B1
公开(公告)日：2006-09-19
申请号：KR1020040071221
申请日：2004-09-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G11B9/1409 , G01Q60/30 , Y10S977/875 , Y10S977/878 , Y10S977/879
Abstract: 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 제조방법은 제1불순물을 도핑한 기판의 상면에 스트라이프형의 마스크막을 형성하고, 상기 마스크막을 제외한 상기 기판의 영역에 제2불순물을 고농도로 도핑하여 제1 및 제2반도체 전극영역을 형성하는 단계와, 상기 기판을 열처리하여 상기 제1 및 제2 반도체 전극영역의 외곽에 상기 제2분순물이 저농도로 도핑된 저항영역을 형성하는 단계와, 상기 마스크막과 직교하는 방향으로 스트라이프 형상의 제1감광제를 형성하고, 식각공정을 수행하여 상기 마스크막을 사각형상으로 형성하는 단계와, 상기 제1감광제의 일부를 덮으며 캔티레버 영역을 한정하는 제2감광제를 형성하는 단계와, 상기 제1 및 제2감광제를 제외한 영역을 식각하여 상기 캔티레버 영역을 형성하는 단계와, 상기 제1 및 제2감광제를 제거하고, 상기 마스크막을 제외한 상기 기판을 식각하여 반사각뿔 형상의 저항성 팁을 형성하는 단계를 구비한다.
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公开(公告)号：KR1020060037937A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020040087040
申请日：2004-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B9/02
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/02 , G11B9/1409 , G11B9/1472
Abstract: 이방성 전도층을 구비하는 강유전체 기록 매체, 그것이 구비되는 기록 장치 및 그 기록 방법이 개시된다.
강유전체 기록 매체는 강유전체 기록층과 상기 강유전체 기록층을 덮는 보호층을 구비하는 것으로서, 상기 강유전체 기록층은 극성 반전(polarization reversal)되는 강유전성 물질(ferroelectric material)로 형성되고, 상기 보호층은 외부 에너지에 의해 도체, 부도체로 전이되는 전기적 이방성 전도층(anisotropic conduction layer)인 것을 특징으로 한다.
개시된 강유전체 기록 매체에 의하면, 헤드 팁과 강유전체 기록층 사이에 작은 전압을 인가하면서 읽기/쓰기 작업을 수행할 수 있고, 강유전체 기록층이 긁히거나 헤드 팁이 손상/파손되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.-
公开(公告)号：KR1020060019365A
公开(公告)日：2006-03-03
申请号：KR1020040068007
申请日：2004-08-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침의 제조방법이 개시된다. 개시된 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침의 제조방법은, 제1 및 제2마스크막을 기판의 상면에 사각형상으로 형성하고, 상기 기판의 상면을 1차적으로 식각한 다음, 상기 제1마스크막을 식각하여 팁 네크의 폭에 해당하는 제3마스크막을 형성한다. 상기 제3마스크막으로 상기 기판을 2차적으로 식각하여 팁 네크의 폭이 소정의 폭으로 되게 한다. 상기 제3마스크막을 제거한 후 상기 기판을 열처리하여 팁의 첨두부를 형성한다. 이에 따르면, 팁 네크의 폭이 일정해지고 따라서 팁의 높이가 일정한 반도체 탐침을 제조할 수 있다.
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