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公开(公告)号：KR101802243B1
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：KR1020110043178
申请日：2011-05-06
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01J1/4228 , G01B11/22 , G01S7/4816 , G01S7/4861 , G01S17/89 , H01L27/14603 , H04N5/3696 , H04N5/3745
Abstract: 본발명에따른거리측정센서는, 수광영역주변에위치한센싱영역을비대칭으로배치하여그 사이의간격을증가시켜광 전하의전송효율을향상시키도록횡 방향필드(Lateral field)를형성할수 있다. 서로상보적으로동작하는센싱영역들사이에서동작중인영역에대해비 동작중인영역에의한횡 방향필드의영향을감소하여광 전하의전송효율을높일수 있다.
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32.发明公开포토게이트 구조와 감지 트랜지스터를 포함하는 CMOS 이미지 센서, 이의 동작 방법, 및 이를 포함하는 이미지 처리 시스템 审中-实审具有光学结构和感光晶体管的CMOS图像传感器，其方法和包括其的散热处理系统
公开(公告)号：KR1020140047524A
公开(公告)日：2014-04-22
申请号：KR1020130101728
申请日：2013-08-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/363 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14643 , H04N5/374 , H04N5/3742 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: A CMOS image sensor includes a pixel array comprising multiple pixels, wherein each pixel includes a photogate structure which is controlled based on a first gate voltage and a sensing transistor which includes a charge pocket region formed in a substrate region and is controlled based on a second gate voltage. The photogate structure collects charges generated in response to light incident upon the substrate region based on the first gate voltage. The sensing transistor controls at least one among the threshold voltage of the sensing transistor and the current flowing in the sensing transistor in response to charges transmitted from the photogate structure to the charge pocket region based on the difference between the first gate voltage and the second gate voltage.
Abstract translation: CMOS图像传感器包括包括多个像素的像素阵列，其中每个像素包括基于第一栅极电压控制的光栅结构和感测晶体管，所述感光晶体管包括形成在衬底区域中的电荷袋区域，并且基于第二栅极电极 栅极电压。 光栅结构基于第一栅极电压收集响应于入射在衬底区域上的光而产生的电荷。 感测晶体管响应于基于第一栅极电压和第二栅极之间的差从光栅结构传输到电荷阱区域的电荷，控制感测晶体管的阈值电压和在感测晶体管中流动的电流中的至少一个 电压。
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公开(公告)号：KR1020140047512A
公开(公告)日：2014-04-22
申请号：KR1020130073997
申请日：2013-06-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04N5/363 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14643 , H04N5/374 , H04N5/3742 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: A binary CMOS image sensor according to an embodiment of the present invention comprises: a pixel array including a pixel having a plurality of sub-pixels; and a readout circuit which readouts a pixel signal outputted from the pixel, wherein the readout circuit quantizes the pixel signal corresponding to the sub-pixel signals outputted from the sub-pixels activated in response to incident light among the sub-pixels by using a reference signal. A resistance value of each of the plurality of sub-pixels is determined based on a number of photons generated in response to the incident light.
Abstract translation: 根据本发明实施例的二进制CMOS图像传感器包括：包括具有多个子像素的像素的像素阵列; 以及读出电路，其读出从像素输出的像素信号，其中读出电路通过使用参考来量化与从子像素中的入射光激活的子像素输出的子像素信号相对应的像素信号 信号。 基于响应于入射光而产生的光子的数量来确定多个子像素中的每一个的电阻值。
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公开(公告)号：KR100842897B1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：KR1020070009122
申请日：2007-01-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B9/02
CPC classification number: G11B9/02
Abstract: A structure of ferroelectric media for a ferroelectric HDD(hard disk drive) and a method of manufacturing the same are provided to form a uniform media surface and reduce manufacturing costs by depositing a ferroelectric layer on a glass substrate. A method of manufacturing a ferroelectric media for a ferroelectric HDD(hard disk drive) comprises the steps of: forming a nucleation template layer using one of nucleation templates including Ta, Zr, and Cr on a glass substrate(S100); forming a conductive layer on the nucleation template layer; forming a ferroelectric layer on a conductive layer(S110); and forming a DLC(diamond like carbon) layer and a lubricant layer sequentially on the ferroelectric(S120).
Abstract translation: 提供了用于铁电HDD（硬盘驱动器）的铁电介质的结构及其制造方法以形成均匀的介质表面，并且通过在玻璃基板上沉积铁电层来降低制造成本。 制造铁电HDD（硬盘驱动器）的铁电介质的方法包括以下步骤：在玻璃基板上使用包括Ta，Zr和Cr的成核模板之一形成成核模板层（S100）; 在成核模板层上形成导电层; 在导电层上形成铁电层（S110）; 并在铁电体上依次形成DLC（类金刚石碳）层和润滑剂层（S120）。
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公开(公告)号：KR100707204B1
公开(公告)日：2007-04-13
申请号：KR1020050074849
申请日：2005-08-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01Q70/16 , G01Q70/10 , G01Q70/14 , G01Q80/00 , G11B9/02 , G11B9/1409 , Y10S977/861
Abstract: 저단면비의 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 저단면비의 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침은, 제1불순물이 도핑되어 있으며, 그 첨두부에는 상기 제1불순물과 극성이 다른 제2불순물이 저농도로 도핑된 저항영역이 형성되고, 그 경사면에는 상기 제2불순물이 고농도로 도핑된 제1 및 제2반도체 전극영역이 형성된 저항성 팁; 및 상기 저항성 팁이 말단부에 위치하는 캔티레버;를 구비하며, 상기 저항성 팁의 높이는 상기 저항성 팁의 반경 보다 작은 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 반도체 탐침의 공간 분해능이 향상된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100695139B1
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：KR1020050011410
申请日：2005-02-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: G11B9/02 , G11C11/5657 , Y10S977/947
Abstract: 강유전체 기록 매체 및 그의 기록 방법이 개시된다.
개시되는 본 발명에 따른 강유전체 기록 매체는 극성 반전(polarization reversal)이 이루어지는 소정의 강제 전압(coercive voltage)을 가지는 강유전체층(ferroelectric layer); 상기 강유전체층 위에 형성되는 것으로, 상기 강제 전압보다 낮은 전압인 제 1 전압에서 저항이 작아지고, 상기 강제 전압보다 높은 전압인 제 2 전압에서 저항이 커지는 비휘발성의 이방성 전도층(anisotropic conduction layer);을 구비하고, 상기 강유전체층의 분극 상태와 상기 이방성 전도층의 저항 상태의 조합에 의해 다중 비트의 정보를 저장하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 강유전체 기록 매체 및 그의 기록 방법에 의하면, 강유전체 기록 매체의 하나의 도메인에서도 다중 비트를 구현할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100647334B1
公开(公告)日：2006-11-23
申请号：KR1020050081318
申请日：2005-09-01
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: A ferroelectric information storage device and a method for storing/reproducing the information are provided to simplify the constitution, reduce the weight and size, and increase the capacity of the information storage device. A ferroelectric layer(10) has a first surface and a second surface opposite to the first surface. A common electrode layer(11) is formed on the first surface of the ferroelectric layer(10). First and second conductive track layers(12a,12b) are formed on the second surface of the ferroelectric layer(10), and apart from each other at a predetermined distance. A conductive roller(20), of which both sides are supported by the first and second conductive track layers(12a,12b), is movably installed along the conductive track layers(12a,12b). A ferromagnetic layer(30) forms a magnetic field in the vicinity of the conductive roller(20).
Abstract translation: 提供了一种铁电信息存储设备和一种用于存储/再现信息的方法，以简化结构，减轻重量和尺寸，并增加信息存储设备的容量。 铁电层（10）具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。 公共电极层（11）形成在铁电层（10）的第一表面上。 第一和第二导电轨道层（12a，12b）形成在铁电层（10）的第二表面上，并且以预定距离彼此分开。 两侧由第一和第二导电轨道层（12a，12b）支撑的导电辊（20）沿导电轨道层（12a，12b）可移动地安装。 铁磁层（30）在导电辊（20）附近形成磁场。
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公开(公告)号：KR1020060083066A
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：KR1020050003977
申请日：2005-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01Q70/16 , G01Q70/14 , G01Q80/00 , G11B9/1409
Abstract: 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침은, 제1불순물이 도핑되어 있으며, 그 첨두부에는 상기 제1불순물과 극성이 다른 제2불순물이 저농도로 도핑된 저항영역이 형성되고, 그 경사면에는 상기 제2불순물이 고농도로 도핑된 제1 및 제2반도체 전극영역이 형성된 저항성 팁; 상기 저항성 팁이 말단부에 위치하는 캔티레버; 상기 캔티레버 상에서 상기 저항영역을 덮는 유전층; 및 상기 유전층 상에서 상기 저항영역에 해당되는 영역에 개구가 형성된 메탈 쉴드;를 구비하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 반도체 탐침의 공간 분해능이 향상된다.
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公开(公告)号：KR100590564B1
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1020040087040
申请日：2004-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B9/02
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/02 , G11B9/1409 , G11B9/1472
Abstract: 이방성 전도층을 구비하는 강유전체 기록 매체, 그것이 구비되는 기록 장치 및 그 기록 방법이 개시된다.
강유전체 기록 매체는 강유전체 기록층과 상기 강유전체 기록층을 덮는 보호층을 구비하는 것으로서, 상기 강유전체 기록층은 극성 반전(polarization reversal)되는 강유전성 물질(ferroelectric material)로 형성되고, 상기 보호층은 외부 에너지에 의해 도체, 부도체로 전이되는 전기적 이방성 전도층(anisotropic conduction layer)인 것을 특징으로 한다.
개시된 강유전체 기록 매체에 의하면, 헤드 팁과 강유전체 기록층 사이에 작은 전압을 인가하면서 읽기/쓰기 작업을 수행할 수 있고, 강유전체 기록층이 긁히거나 헤드 팁이 손상/파손되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.-
公开(公告)号：KR1020060039109A
公开(公告)日：2006-05-08
申请号：KR1020040088163
申请日：2004-11-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/105 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/101 , B82Y10/00 , G11B9/02 , G11C11/22 , H01L27/1159
Abstract: 탐침 어레이를 가지는 저항성 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제시한다. 본 발명에 따른 저항성 메모리 소자 제조 방법은, 제1기판 상에 바닥 전극 및 강유전층을 순차적으로 형성하고, 제2기판 상에 데이터 기록 및 재생을 위한 저항성 탐침들의 어레이를 형성하는 과정을 포함한다. 탐침의 팁 부분이 강유전층의 표면에 대향되게 제1기판을 제2기판에 폴리머층을 포함하는 결합층을 이용하여 웨이퍼 수준 결합(wafer level bonding)시키는 과정을 포함한다.
저항성 탐침, 유전 분극, 도메인, 도핑, 공핍층
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