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公开(公告)号：KR1020160056349A
公开(公告)日：2016-05-20
申请号：KR1020140155324
申请日：2014-11-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/502 , C09K11/617 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 본발명의실시예에따른불화물계형광체는, 조성식 AMF:Mn로표현되는불화물을포함하며, 조성식에서, A는 Li, Na, K, Rb, Cs 중선택된적어도 1종이며, M은 Si, Ti, Zr, Hf, Ge 및 Sn 중선택된적어도 1종이고, A의조성비(x)는 2 ≤ x ≤ 3을만족하고, F의조성비(y)는 4 ≤ y ≤ 7을만족하며, Mn의조성비(z)는 0
Abstract translation: 本发明涉及氟化物荧光体，发光装置，氟化物荧光体的制造方法以及发光装置的制造方法。 根据本发明的一个实施方案的氟化物荧光体包含由组成式A_xMF_y：Mn_z ^ 4 +表示的氟化物。 在组成式中，A是选自Li，Na，K，Rb和Cs中的至少一种，M是选自Si，Ti，Zr，Hf，Ge和Sn中的至少一种。 A的组成比（x）满足x大于或等于2且小于或等于3，F的组成比（y）满足y大于或等于4且小于或等于 7，Mn的组成比（z）满足z大于等于0且小于等于0.17。
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公开(公告)号：KR1020150101052A
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：KR1020140022114
申请日：2014-02-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H05K1/144 , H01L23/49811 , H01L23/5385 , H01L23/5386 , H01L25/0652 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H05K1/181 , H05K1/186 , H05K2201/042 , H05K2201/10674 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 반도체 패키지를 제공할 수 있다. 반도체 패키지는 제1 영역 및 상기 제1 영역을 제외한 나머지 영역인 제2 영역을 구비하는 제1 회로기판과 상기 제1 영역 상에 배치된 복수의 제1 반도체 칩들을 포함하는 제1 패키지와, 상기 제1 패키지 상에 배치되되, 제2 회로기판 및 상기 제2 회로기판 상에 배치된 적어도 하나의 제2 반도체 칩을 포함하는 제2 패키지 및 상기 제2 영역 상에 배치되며 상기 제1 및 제2 패키지를 전기적으로 연결하는 복수의 단자들을 포함하고, 상기 복수의 단자들은 상기 복수의 제1 반도체 칩들 사이에 배치될 수 있다.
Abstract translation: 提供半导体封装。 半导体封装包括：第一封装，包括具有第一区域的第一电路板和除了第一区域之外的剩余区域的第二区域，并且包括布置在第一区域中的多个半导体芯片; 第二封装，设置在第一封装上并且包括第二电路板和布置在第二电路板上的至少一个第二半导体芯片; 以及多个端子，通过布置在第二区域中来电连接第一和第二封装。 端子可以布置在第一半导体芯片之间。
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公开(公告)号：KR101525052B1
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：KR1020080123797
申请日：2008-12-08
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: OFDM 시스템의수신기에서주파수검색방법에있어서, 상기방법은전체주파수대역중 소정주파수대역의신호에대해제 1 로우패스필터링을수행하는과정과상기제 1 로우패스필터링을수행한신호에서모드가검출되는경우, 제 2 로우패스필터링을수행할적어도하나의주파수대역을결정하는과정과상기결정한적어도하나의주파수대역각각에대해제 2 로우패스필터링을수행하는과정과상기제 2 로우패스필터링을수행한신호의세기를측정하는과정과상기측정한신호의세기가임계값 이상인주파수대역에대해동기화를수행하는과정을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150042569A
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：KR1020130121380
申请日：2013-10-11
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G07C9/00103 , G05B1/01 , G07C9/00015 , G07C9/00166 , G07C9/00309 , G07C9/00904 , G07C2209/62 , G08C17/04 , G08C17/06 , H04L12/282 , H04L12/2823 , H04L63/08 , H04L63/0853 , H04L2012/2841 , H04W4/80 , H04W12/06
Abstract: 도어락 장치가개시된다. 도어락 장치는복수의외부장치와통신을수행하기위한제1 인터페이스부, 도어오픈동작을위한인증을수행하기위한근거리통신부, 디스플레이장치와통신을수행하기위한제2 인터페이스부및 인증이이루어지면, 복수의외부장치로부터복수의외부장치각각의상태정보를수신하고, 수신된상태정보를디스플레이장치로전송하여디스플레이하도록제어하는제어부를포함한다. 이에따라, 도어락 장치가중계기역할을하게되어집 내외부의통신을가능하게할 수있고, 복수의외부장치의상태를효율적으로확인할수 있게된다.
Abstract translation: 提供了一种门锁装置，以起到中继器的作用，使得房屋内外的通信成为可能，并且有效地检查多个外部设备的状态，包括：第一接口单元，用于执行与多个通信的通信 的外部设备; 用于执行门打开操作的认证的近场通信单元; 用于与显示装置进行通信的第二接口单元; 以及控制单元，当执行认证时，从多个外部设备接收多个外部设备中的每一个的状态信息，将接收到的状态信息发送到显示设备，并且控制其显示。
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公开(公告)号：KR101460135B1
公开(公告)日：2014-11-10
申请号：KR1020080085800
申请日：2008-09-01
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 정착벨트의 과열로 인해 정착벨트가 손상되거나 안전사고가 발생하는 것을 미연에 방지할 수 있도록 한 화상형성장치와 그 정착장치를 개시한다. 화상형성장치는 정착벨트와, 정착벨트의 내부에 배치되는 열원과, 열원에서 방사되는 열이 통과할 수 있도록 개구부가 형성된 지지부재와, 개구부를 통해 전달되는 복사열에 의해 직접적으로 가열되는 정착벨트의 피가열부에서 정착벨트의 온도를 측정하는 제1온도센서를 포함하는 정착장치를 구비한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140098564A
公开(公告)日：2014-08-08
申请号：KR1020130011385
申请日：2013-01-31
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/382
Abstract: According to an aspect of the present invention, provided is a semiconductor light emitting device which includes a light emitting structure which includes a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; at least one contact hole which passes through the second conductive semiconductor layer and the active layer to expose one region of the first conductive semiconductor layer; at least one pillar structure which is formed on the exposed region of the first conductive semiconductor layer in the contract hole; a first electrode which is formed on the exposed region of the first conductive semiconductor layer with the pillar structure to be connected to the first conductive semiconductor layer; and a second electrode which is connected to the second conductive semiconductor layer. According to an embodiment of the present invention, obtained is the semiconductor light emitting device with high reliability and high light output.
Abstract translation: 根据本发明的一个方面，提供一种半导体发光器件，其包括发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层; 至少一个穿过所述第二导电半导体层和所述有源层的接触孔，以暴露所述第一导电半导体层的一个区域; 至少一个柱结构，其形成在所述第一导电半导体层的所述暴露区域中的所述收缩孔中; 第一电极，其形成在第一导电半导体层的暴露区域上，柱状结构被连接到第一导电半导体层; 以及连接到第二导电半导体层的第二电极。 根据本发明的实施例，获得的是具有高可靠性和高光输出的半导体发光器件。
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公开(公告)号：KR1020140092127A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：KR1020130004486
申请日：2013-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L21/78 , H01L24/18 , H01L33/52 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
Abstract: According to one embodiment of the present invention, a method of manufacturing a semiconductor light emitting device comprises the steps of forming a plurality of semiconductor light emitting devices on a substrate, the semiconductor light emitting devices having at least one electrode pad formed on upper surfaces thereof; forming a conductive bump by forming a bump core on the electrode pad of each of the semiconductor light emitting devices and forming a reflective bump layer enclosing the bump core; forming a resin encapsulating part containing a phosphor on the semiconductor light emitting devices to encompass the conductive bump; polishing the resin encapsulating part containing a phosphor to expose the bump core of the conductive bump to an upper surface of the resin encapsulating part containing a phosphor; and forming individual semiconductor light emitting devices by cutting the resin encapsulating part containing a phosphor between the semiconductor light emitting devices.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施例，制造半导体发光器件的方法包括以下步骤：在衬底上形成多个半导体发光器件，所述半导体发光器件具有形成在其上表面上的至少一个电极焊盘 ; 通过在每个半导体发光器件的电极焊盘上形成凸起芯，形成一个导电凸块，并形成一个包围凸块的反射凸块; 在所述半导体发光器件上形成含有荧光体的树脂封装部，以包围所述导电凸块; 研磨含有荧光体的树脂封装部，将导电性凸块的隆起芯露出到含有荧光体的树脂封装部的上表面; 以及通过在半导体发光器件之间切割含有荧光体的树脂封装部分来形成单独的半导体发光器件。
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公开(公告)号：KR101364538B1
公开(公告)日：2014-02-18
申请号：KR1020070129010
申请日：2007-12-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H05K3/30
CPC classification number: H05K3/3484 , H05K3/1225 , H05K2201/2027 , H05K2203/1476 , Y10T29/49144
Abstract: 본 발명은 제1 마스크 및 제1 스퀴지(squeeze)를 이용하여 제1 솔더 페이스트를 도포하고, 상기 제1 마스크 및 상기 제1 스퀴지 각각 과는 상이한 제2 마스크 및 제2 스퀴지를 이용하여 복수의 전자 부품들을 실장하는 방법을 제공한다. 따라서 본 발명은 신뢰성을 갖는 열처리 온도의 상한선이 다른 적어도 2종의 전자 부품들을 균열 등의 손상을 최소화하면서 동일한 기판에 실장할 수 있는 방법 및 이를 위한 실장 장치를 제공할 수 있다.
전자 부품, 표면 실장, 2차 실장, 솔더 페이스트, 가이드, 스퀴지(squeeze)-
公开(公告)号：KR1020130104518A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：KR1020120026067
申请日：2012-03-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/60
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor light emitting device is provided to improve a yield by preventing damage to a semiconductor layer. CONSTITUTION: A light emitting structure (120) includes a first conductive semiconductor layer (121), an active layer (122), and a second conductive semiconductor layer (123). The light emitting structure is formed on a growth substrate. A trench is formed on a part of the light emitting structure which is separated into an individual device unit with a depth not to expose the growth substrate. An insulation layer (130b) is formed on the inner surface of the trench on the surface of the light emitting structure. A support substrate (140) is formed on the light emitting structure. The growth substrate is separated from the light emitting structure. The light emitting structure is divided into each semiconductor light emitting device by cutting the light emitting structure. [Reference numerals] (AA) Razor
Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体发光器件的方法，以通过防止对半导体层的损坏来提高产量。 构成：发光结构（120）包括第一导电半导体层（121），有源层（122）和第二导电半导体层（123）。 发光结构形成在生长衬底上。 在发光结构的一部分上形成沟槽，其被分离成具有不暴露生长衬底的深度的单独器件单元。 在发光结构的表面上的沟槽的内表面上形成绝缘层（130b）。 在发光结构上形成支撑基板（140）。 生长衬底与发光结构分离。 通过切割发光结构将发光结构分为每个半导体发光器件。 （附图标记）（AA）剃刀
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公开(公告)号：KR1020120128961A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：KR1020110046932
申请日：2011-05-18
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0079 , H01L33/32
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a method for manufacturing the same are provided to improve optical power by forming a concavo-convex structure in the interface of a semiconductor layer. CONSTITUTION: A concavo-convex structure(30) is on a substrate. The material of the concavo-convex structure is different from that of the substrate. The concavo-convex structure includes a recess part(30a) and a protrusion part(30b). The recess part surrounds the protrusion part. A light emitting structure(20) is formed on the concavo-convex structure. The light emitting structure comprises a first conductivity type semiconductor layer(21), an active layer(22), and a second conductive semiconductor layer(23).
Abstract translation: 目的：提供半导体发光器件及其制造方法，以通过在半导体层的界面中形成凹凸结构来提高光功率。 构成：凹凸结构（30）在基板上。 凹凸结构的材料与基板的材料不同。 凹凸结构包括凹部（30a）和突出部（30b）。 凹部包围突起部。 在凹凸结构上形成发光结构（20）。 发光结构包括第一导电类型半导体层（21），有源层（22）和第二导电半导体层（23）。
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