公开(公告)号：KR100396137B1

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：KR1020010033065

申请日：2001-06-13

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 박병국 ,  이종덕 ,  정경훈 ,  성석강

IPC: H01L21/027

Abstract: PURPOSE: A method for forming ultra-fine multi-patterns is provided to obtain the ultra-fine multi-patterns of a desired size in a narrow interval by performing a multiple patterning process using a sidewall. CONSTITUTION: A pattern layer, the second pattern layer, and the first pattern layer are sequentially deposited on a substrate. The first pattern is formed on the first pattern layer. The first sidewall layer is deposited on the first pattern. A sidewall is formed by performing a dry etch process. The second pattern is formed by etching the second pattern layer. The sidewall is removed from the second pattern. The second sidewall layer is deposited on the second pattern. The second sidewall(22') is formed by performing the dry etch process. A pattern(P) is formed by etching the pattern layer.

Abstract translation: 目的：提供一种形成超精细多图案的方法，以通过使用侧壁执行多重图案化工艺来以窄间隔获得期望尺寸的超精细多图案。 构成：图案层，第二图案层和第一图案层依次沉积在基底上。 第一图案形成在第一图案层上。 第一侧壁层沉积在第一图案上。 通过执行干蚀刻工艺形成侧壁。 第二图案通过蚀刻第二图案层而形成。 侧壁从第二图案移除。 第二侧壁层沉积在第二图案上。 第二侧壁（22'）通过执行干式蚀刻工艺而形成。 通过蚀刻图案层形成图案（P）。

公开(公告)号：KR1020020068801A

公开(公告)日：2002-08-28

申请号：KR1020010009078

申请日：2001-02-22

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 박병국 ,  이종덕 ,  최영진

IPC: H01L29/78

Abstract: PURPOSE: A field effect transistor and a method for fabricating the same are provided to use a shallow electronic layer excited by a field effect as a source/drain region. CONSTITUTION: A gate insulating layer(2) is formed on a semiconductor substrate(1) by growing an oxide layer. A side gate material layer is formed by depositing and doping a polysilicon on the gate insulating layer(2). The side gate material layer is patterned. A source/drain diffusion layer(4) is formed by implanting ions into the semiconductor substrate(1). A silicon nitride layer(5) is deposited on the patterned side gate material layer. A silicon oxide layer is formed on the side gate material layer and the silicon nitride layer(5). A silicon oxide layer sidewall(6) is formed by etching the silicon oxide layer. A couple of side gate(3) is formed by etching a side gate material layer. A main gate(7) is formed by depositing and doping the polysilicon.

Abstract translation: 目的：提供场效应晶体管及其制造方法，以使用由场效应激发的浅电子层作为源/漏区。 构成：通过生长氧化物层，在半导体衬底（1）上形成栅绝缘层（2）。 通过在栅极绝缘层（2）上沉积和掺杂多晶硅来形成侧栅极材料层。 侧栅材料层被图案化。 源极/漏极扩散层（4）通过将离子注入到半导体衬底（1）中而形成。 在图案化的侧栅极材料层上沉积氮化硅层（5）。 在侧栅材料层和氮化硅层（5）上形成氧化硅层。 通过蚀刻氧化硅层形成氧化硅层侧壁（6）。 通过蚀刻侧栅材料层形成一对侧栅（3）。 通过沉积和掺杂多晶硅形成主栅极（7）。

公开(公告)号：KR1020040085663A

公开(公告)日：2004-10-08

申请号：KR1020030020444

申请日：2003-04-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이용규 ,  한정욱 ,  강성택 ,  이종덕 ,  박병국

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L21/28282 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7923

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a twin-ONO type SONOS memory device using a reverse self-aligning process is provided to control distribution of charges in an ONO dielectric layer by improving a SONOS memory fabrication method. CONSTITUTION: An ONO dielectric layer(500) is formed on a substrate. A buffer layer having a trench(601) is formed on the ONO dielectric layer. The ONO dielectric layer is partially exposed by the trench. The first conductive spacer(700) is formed on an inner wall of the trench. The ONO dielectric layer is divided into two parts by removing selectively the exposed part of the ONO dielectric layer. A gate dielectric layer(800) is formed on the substrate. The second conductive layer(900) is formed on the gate dielectric layer in order to fill up a gap between both sidewalls of the trench. The buffer layer is removed by using the first conductive spacer as an etch mask. The ONO dielectric layer is patterned by removing selectively the exposed part of the ONO dielectric layer.

Abstract translation: 目的：提供一种使用反向自对准工艺制造双ONO型SONOS存储器件的方法，以通过改进SONOS存储器制造方法来控制ONO电介质层中的电荷分布。 构成：在基板上形成ONO电介质层（500）。 在ONO电介质层上形成具有沟槽（601）的缓冲层。 ONO电介质层由沟槽部分露出。 第一导电间隔物（700）形成在沟槽的内壁上。 通过选择性地去除ONO介电层的暴露部分，将ONO介电层分成两部分。 在基板上形成栅介质层（800）。 为了填充沟槽的两个侧壁之间的间隙，在栅极介电层上形成第二导电层（900）。 通过使用第一导电间隔物作为蚀刻掩模去除缓冲层。 通过选择性地去除ONO电介质层的暴露部分来对ONO电介质层进行构图。

公开(公告)号：KR1020030060509A

公开(公告)日：2003-07-16

申请号：KR1020020001242

申请日：2002-01-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종덕

IPC: H04B1/38

CPC classification number: H01Q1/242 ,  H01Q1/084

Abstract: PURPOSE: An antenna device of a portable wireless terminal is provided to switch the terminal to an off-hook state with only an operation of curving an antenna in a back direction of the terminal, and not to perform another switching operation in a speech mode of the terminal or while receiving a call, thereby reducing an SAR(Specific Absorption Rate). CONSTITUTION: An antenna(60) is installed in an upper part of a terminal(100). A hinge(50) rotates the antenna(60) at certain angle in the terminal(100). At least more than one of antenna sensors(30,40) senses a location of a maximum opposite rotative angle of the terminal(100), respectively. A controller(10) receives signals sensed by the antenna sensors(30,40), and controls on/off-hook states of the terminal(100). If the first sensor(30) senses a rotation of the antenna(60) while receiving a call, the controller(10) switches the terminal(100) to an off-hook state to connect the call. If the second sensor(40) senses the rotation of the antenna(60), the controller(10) switches the terminal(100) to an on-hook state.

Abstract translation: 目的：提供一种便携式无线终端的天线装置，用于仅在终端的向后方向上弯曲天线的操作将终端切换到摘机状态，并且不以在终端的语音模式中执行另一切换操作 终端或同时接收呼叫，从而降低SAR（比吸收率）。 构成：天线（60）安装在终端（100）的上部。 铰链（50）在天线（100）中以一定角度旋转天线（60）。 至少一个以上的天线传感器（30,40）分别感测端子（100）的最大相对旋转角度的位置。 控制器（10）接收由天线传感器（30,40）感测的信号，并控制终端（100）的接通/摘机状态。 如果第一传感器（30）在接收到呼叫时感测到天线（60）的旋转，则控制器（10）将终端（100）切换到摘机状态以连接呼叫。 如果第二传感器（40）感测到天线（60）的旋转，则控制器（10）将终端（100）切换到挂机状态。

公开(公告)号：KR100318916B1

公开(公告)日：2002-01-05

申请号：KR1019990068292

申请日：1999-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종덕

IPC: H04B7/204

Abstract: 본발명의무선단말기의전력증폭장치에관한것으로, 특히, 다중밴드단말기에있어적용되는전력증폭장치에관한것이다. 이러한본 발명은, 다중밴드무선단말기의전력증폭장치에있어서, 인가되는바이어스전압의상태에따라처리요구되는각 주파수밴드의신호를입력받아적절히증폭한후 출력하는광대역전력증폭기와, 송신요구되는각 주파수밴드에따라, 해당출력신호와상기광대역전력증폭기의입력을매칭하는입력단매칭회로와, 상기광대역전력증폭기에서증폭되어출력되는해당주파수밴드의신호와소정무선신호출력단을매칭하는출력단매칭회로와, 송신요구되는각 주파수밴드에따라상기광대역전력증폭기로적절한바이어스전압을인가하는바이어스매칭회로와, 소정제어부의제어하에처리요구되는주파수밴드의송신신호경로를스위칭하는신호경로스위칭부를구비하고있음을특징으로한다.

公开(公告)号：KR1019980067350A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970003333

申请日：1997-02-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종덕

IPC: H04B1/40

Abstract: 가.청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
셀룰라폰에서 갈륨비소 전력모듈을 안정화시키는 장치에 관한 것이다.
나. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
갈륨비소 전력모듈의 온도에 따라 안정화시키는 장치를 제공함에 있다.
다. 발명의 해결방법의 요지
셀룰라폰에서 온도에 따른 갈륨비소 전력모듈을 안정화시키는 장치에 있어서, 두 개의 입력단과 두 개의 출력단을 가지고 소정의 제어를 받아 갈륨비소 전력모듈의 제1제어입력단에 마이너스 브이쥐쥐값을 공급하는 스위칭하는 아날로그 스위치와, 출력단이 상기 아날로그 스위치의 두 개의 입력단에 두 개의 병렬저항으로 연결되어 절대안정적 전압과 동작전압을 제공하는 마이너스 전압발생 컨버터와, 상기 갈륨비소 전력모듈의 온도를 감지하여 감지신호를 출력하는 온도센서와, 상기 온도센서에 연결되어 상기 감지신호를 받아 온도 기준값과 비교하여 온도 기준값이상이면 상기 아날로그 스위치를 제어하여 상기 갈륨비소 전력모듈로 절대안정적 전압을 출력하여 상기 갈륨비소 전력모듈을 절대안정적인 상태에서 동작시키고, 상기 비교 결과 � �도 기준값 이하이면 상기 아날로그 스위치를 제어하여 상기 갈륨비소 전력모듈로 동작전압을 출력하여 상기 갈륨비소 전력모듈을 온시키도록 제어하는 제어부로 이루어짐을 특징으로 한다.
라. 발명의 중요한 용도
갈륨비소 전력모듈의 안정화에 이용.

公开(公告)号：KR101054286B1

公开(公告)日：2011-08-08

申请号：KR1020080052931

申请日：2008-06-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종덕 ,  이상업

IPC: H01Q1/24 ,  H01Q3/24

CPC classification number: H01Q1/243 ,  H01Q19/00 ,  H04M1/0214 ,  H04M1/0235

Abstract: 본 발명은 휴대 단말기의 안테나 조립체에 관한 것이다.
이러한 본 발명은 휴대 단말기의 일측에 배치되는 메인 안테나, 상기 휴대 단말기의 제1 상태에 따라 상기 메인 안테나와 커플링되는 제1 커플링 안테나 및 상기 휴대 단말기의 기구적 동작 수행 후 가지게 되는 제2 상태에 따라 상기 메인 안테나와 커플링되는 제2 커플링 안테나를 포함하는 휴대 단말기의 안테나 조립체를 개시한다.
휴대 단말기, 커플링, 안테나

公开(公告)号：KR100997665B1

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：KR1020030069780

申请日：2003-10-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종덕

IPC: H04B1/40

Abstract: 본 발명은 이동통신단말기에서 저잡음증폭기의 특성을 최적화하기 위한 장치에 관한 것이다. 이러한 본 발명에 따르면, 이동통신단말기에서 저잡음증폭기의 특성을 최적화하기 위한 장치가, 상기 저잡음증폭기의 입력매칭을 위한 복수의 입력매칭부들과, 상기 복수의 입력매칭부들 전단에 설치되는 제1스위치와, 상기 복수의 입력매칭부들과 상기 저잡음증폭기 사이에 연결되는 제2스위치와, 상기 저잡음증폭기의 출력매칭을 위한 복수의 출력매칭부들과, 상기 저잡음증폭기와 상기 복수의 출력매칭부들 사이에 연결되는 제3스위치와, 상기 복수의 출력매칭부들 후단에 설치되는 제4스위치와, 수신전계에 따라 이득을 제어하기 위한 전압을 상기 저잡음증폭기로 인가하며, 수신신호가 상기 인가되는 전압에서 최적으로 설계된 입력매칭부와 출력매칭부를 경유하도록 상기 제1 내지 제4스위치를 제어하는 제어부를 포함한다.

저잡음증폭기, 입출력매칭, IIP3, NF, 소모전류, 이득

公开(公告)号：KR100642651B1

公开(公告)日：2006-11-10

申请号：KR1020050089345

申请日：2005-09-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송기환 ,  이종덕 ,  박병국

IPC: H01L27/04

Abstract: An SCR(Silicon Controlled Rectifier) for an ESD(ElectroStatic Discharge) protection is provided to improve operation characteristics of the SCR by reducing trigger voltage using a lightly doped well adjacent to an emitter region and increasing holding voltage using at least one or more diodes. An SCR includes a substrate(30), a first well(31) in the substrate, a second well(32) spaced apart from the first well in the substrate, a first junction region(33) in the first well, a second junction region(34) spaced apart from the first junction region in the first well, a third junction region(35) between an upper surface of the substrate and the first well, a fourth junction region(36) between the upper surface of the substrate and the second well, a gate electrode(37) between the third and fourth junction regions on the substrate, and a fifth junction region(38) in the substrate. The second well is lightly doped well.

Abstract translation: 提供用于ESD（静电放电）保护的SCR（硅控整流器），通过使用与发射极区域相邻的轻掺杂阱减少触发电压并利用至少一个或多个二极管增加保持电压来改善SCR的操作特性。 SCR包括衬底（30），衬底中的第一阱（31），与衬底中的第一阱间隔开的第二阱（32），第一阱中的第一结区（33），第二结 与所述第一阱中的所述第一结区隔开的区域（34），所述衬底的上表面与所述第一阱之间的第三结区（35），所述衬底的所述上表面与所述第二阱之间的第四结区（36） 第二阱，衬底上的第三和第四结区之间的栅电极（37）以及衬底中的第五结区（38）。 第二口井是轻度掺杂的。

公开(公告)号：KR1020050034008A

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：KR1020030069780

申请日：2003-10-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종덕

IPC: H04B1/40

Abstract: An apparatus for optimizing electronic characteristics of a low noise amplifier in a mobile communication terminal is provided to realize plural input/output matching circuits for a low noise amplifier, and to selectively use the matching circuits according to receiving electric fields, so that the amplifier can obtain an optimum gain, an optimum IIP3(Input Third Order Intercept Point), an optimum NF(Noise Figure), and an optimum power consumption for all receiving electric fields. Plural input matching circuits(304,305) are used for input matching of a low noise amplifier(307). The first switch(303) is installed on a front end of the input matching circuits(304,305). The second switch(306) is connected between the input matching circuits(304,305) and the amplifier(307). Plural output matching circuits(309,310) are used for output matching of the amplifier(307). The third switch(308) is connected between the amplifier(307) and the output matching circuits(309,310). The fourth switch(311) is installed on a rear end of the output matching circuits(309,310). A controller(300) applies a voltage for controlling a gain to the amplifier(307), and controls the first to fourth switches(303,306,308,311) such that a receiving signal can pass through the optimally designed matching circuits(304,305,309,310) in the applied voltage.

Abstract translation: 提供了一种用于优化移动通信终端中的低噪声放大器的电子特性的装置，以实现用于低噪声放大器的多个输入/输出匹配电路，并且根据接收的电场选择性地使用匹配电路，使得放大器 获得最佳增益，最佳IIP3（输入三阶截取点），最佳NF（噪声系数），以及所有接收电场的最佳功耗。 多个输入匹配电路（304,305）用于低噪声放大器（307）的输入匹配。 第一开关（303）安装在输入匹配电路（304,305）的前端。 第二开关（306）连接在输入匹配电路（304,305）和放大器（307）之间。 多个输出匹配电路（309,310）用于放大器（307）的输出匹配。 第三开关（308）连接在放大器（307）和输出匹配电路（309,310）之间。 第四开关（311）安装在输出匹配电路（309,310）的后端。 控制器（300）将用于控制增益的电压施加到放大器（307），并且控制第一至第四开关（303,306,308,311），使得接收信号可以在所施加的电压中通过最佳设计的匹配电路（304,305,309,310）。