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公开(公告)号：KR101760212B1
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：KR1020160073818
申请日：2016-06-14
Applicant: 전남대학교산학협력단
IPC: G01N27/414 , G01N1/22 , H01L21/203
CPC classification number: G01N27/4141 , G01N1/2273 , H01L21/203
Abstract: 본발명은가스센서및 이의제조방법에관한것으로, 종래의사성분계박막과폴리머기판의가스센서에비해, 삼성분계 p형층으로높은화학적안전성을가지는화합물반도체층을채용하여, 상온에서장소에무관하게사용할수 있으며, p형박막형화합물반도체층의치밀한특성으로 n형화합물반도체층과의이종접합을통해검지력을향상시킬수 있어종래의가스센서를대체하는기술로적용될수 있다.
Abstract translation: 气体传感器及其制造方法技术领域本发明涉及气体传感器及其制造方法，特别是涉及使用化学稳定性高的化合物半导体层的三元p型层的气体传感器， 号，以及半导体薄膜的确切性质通过异质结与该n型化合物I可以提高检测能力可以应用于一个技术代替以往的气体传感器层的p型化合物半导体层。
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公开(公告)号：KR101649396B1
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：KR1020130112094
申请日：2013-09-17
Applicant: 전남대학교산학협력단
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 화학수조증착법을이용한 CZTS 박막제조방법이개시된다. 이방법은수조에전구체용액을준비하는단계와, 전구체용액에기판을넣고소정시간동안유지하여기판에전구체박막을형성하는단계와, 전구체박막이형성된기판을취출하여열처리하는단계를포함한다. 여기서, 전구체용액의다양한예를가진다. 금속염, 착화제, 및황염또는셀렌염을포함하거나, 금속염과착화제만을포함할수 있다. 또한전구체용액을복수의전구체용액으로준비하여복수의전구체박막을형성한후 이를열처리하여 CZTS 박막을형성할수 있다.
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公开(公告)号：KR101481912B1
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：KR1020130102638
申请日：2013-08-28
Applicant: 전남대학교산학협력단
Abstract: 광흡수층으로서 CZTS를 기반으로 하는 슈퍼스트레이트 구조의 태양전지가 개시된다. 이는 투명기판과 투명기판 상에 배치된 투명성 제1전극층과, 제1전극층 상에 배치된 버퍼층과, 버퍼층 상에 배치된 광흡수층과, 광흡수층에 연결되도록 배치된 제2전극층을 포함한다. 이러한 태양전지는 Mo 물질의 사용이 배제되기 때문에 원천적으로 Mo(S,Se)
2 와 같은 절연 중간층이 생성되지 않기 때문에 높은 효율을 가질 수 있게 된다.Abstract translation: 公开了一种基于CZTS作为光吸收层的超直线结构的太阳能电池。 太阳能电池包括透明基板，布置在透明基板上的第一透明电极，布置在第一电极层上的缓冲层，布置在缓冲层上的光吸收层和连接到光吸收层的第二电极层。 由于太阳能电池不包括使用Mo材料，所以最初不产生诸如Mo（S，Se）2的绝缘中间层，从而获得高效率。
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公开(公告)号：KR101445041B1
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：KR1020130102641
申请日：2013-08-28
Applicant: 전남대학교산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0236 , H01L31/04
Abstract: A solar cell having a light absorbing layer with a three-dimensional structure and a manufacturing method thereof are disclosed. The solar cell comprises: a rear electrode layer formed on a substrate; a light absorbing layer which is formed on the rear electrode layer and has a uneven surface provided by a plurality of convex portions on the surface and a plurality of concave portions formed thereby; a window layer arranged to have a p-n junction on the uneven surface of the light absorbing layer; and a buffer layer interposed between the light absorbing layer and the window layer. The conversion efficiency can be improved by generating a lot of charge transmitters since the light absorbing layer has a three-dimensional structure.
Abstract translation: 公开了具有三维结构的光吸收层的太阳能电池及其制造方法。 太阳能电池包括：形成在基板上的后电极层; 形成在后电极层上并具有由表面上的多个凸部设置的不平坦表面的多个凹部的光吸收层， 布置成在所述光吸收层的不平坦表面上具有p-n结的窗口层; 以及插入在所述光吸收层和所述窗口层之间的缓冲层。 由于光吸收层具有三维结构，因此通过产生大量电荷发射器可以提高转换效率。
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公开(公告)号：KR101319167B1
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：KR1020110031389
申请日：2011-04-05
Applicant: 전남대학교산학협력단
Abstract: 3족 염을 이용한 산화아연 박막의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 산화아연 박막이 개시된다. 57℃ 내지 63℃의 온도 범위에서 저온 수열 합성법으로 산화아연 박막 제조시 3족 염 및 트라이 소듐 시트레이트(tri-sodium citrate)를 이용하여 산화아연 박막의 두께 및 표면의 미세구조를 제어함으로써 높은 종횡비를 가지는 복수개의 나노로드를 구비한 산화아연 박막을 제조할 수 있다. 또한 이를 통하여 제조된 산화아연 박막은 향상된 광학적, 전기적 특성 및 표면 형상이 우수한 미세구조를 가질 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101203324B1
公开(公告)日：2012-11-20
申请号：KR1020100128502
申请日：2010-12-15
Applicant: 전남대학교산학협력단
IPC: H01L33/28
Abstract: 산화아연 재질의 나노 광 결정이 형성된 발광 다이오드가 개시된다. 나노 광 결정을 형성하기 위해 전류 확산층 또는 발광 구조체 상부에는 씨앗층이 형성된다. 특히, 발광 구조체 상부에 형성되는 씨앗층은 전류 확산층의 기능을 동시에 수행한다. 이를 위해 씨앗층은 알루미늄이 도핑된 산화아연인 AZO로 구성된다. 나노 광 결정은 씨앗층 상부에 홀로그램 리소그래피를 통해 형성된 나노 패턴에 의해 소정의 주기로 형성된다.
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37.发明公开광흡수 나노입자 전구체, 상기 전구체 제조방법, 상기 전구체를 이용한 고품질광흡수 나노입자 및 상기 나노입자 제조방법 有权光吸收纳米颗粒前体，前体的制备方法，使用前体的光吸收纳米颗粒和生产纳米颗粒的方法
公开(公告)号：KR1020120023452A
公开(公告)日：2012-03-13
申请号：KR1020100086651
申请日：2010-09-03
Applicant: 전남대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A nanoparticle precursor for optical absorption, a manufacture method thereof, and nano particle for the high quality optical absorption using thereof are provided to manufacture the nanoparticle precursor without using toxic material. CONSTITUTION: A manufacturing method of nano particle precursor for optical absorption comprises the following steps: preparing reaction solution which includes Cu, S and at least one of In and Ga; adjusting pH of the reaction solution; forming nanoparticle precursor for optical absorption by irradiating Microwave to the pH adjusted reaction solution; and separating nanoparticle precursor for optical absorption. A composition ratio of Cu, S, In, or Ga are adjusted in accordance with pH of the reaction solution. The nano particle precursor for optical absorption is one of the following precursors: CuInS2[CIS]nano particle precursor, Cu(In,Ga)S2[CIGS] nano particle precursor, CuIn(S,Se)2[CISS]nano particle precursor, or Cu(In,Ga)(S,Se)2[CIGSS] nano particle precursor. The Microwave irradiates in 100-700W power for 5 minutes to 1 hour.
Abstract translation: 目的：提供用于光吸收的纳米颗粒前体，其制造方法和使用其的高质量光吸收的纳米颗粒以制造纳米颗粒前体而不使用有毒材料。 构成：用于光吸收的纳米颗粒前体的制造方法包括以下步骤：制备包括Cu，S和In和Ga中的至少一种的反应溶液; 调节反应溶液的pH值; 通过将微波照射到pH调节的反应溶液来形成用于光学吸收的纳米颗粒前体; 并分离用于光吸收的纳米颗粒前体。 根据反应溶液的pH调节Cu，S，In或Ga的组成比。 用于光吸收的纳米颗粒前体是以下前体之一：CuInS 2 [CIS]纳米颗粒前体，Cu（In，Ga）S2 [CIGS]纳米颗粒前体，CuIn（S，Se）2 [CISS]纳米颗粒前体， 或Cu（In，Ga）（S，Se）2 [CIGSS]纳米颗粒前体。 微波在100-700W的功率下照射5分钟至1小时。
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公开(公告)号：KR1020100022144A
公开(公告)日：2010-03-02
申请号：KR1020080080671
申请日：2008-08-19
Applicant: 전남대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/02554 , H01L21/02175 , H01L21/02381 , H01L21/02403 , H01L21/02458 , H01L21/02472 , H01L21/324
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a zinc oxide thin film having control of a surface morphology and the zinc oxide thin film thereby are provided to control the growth of an epitaxial oxidation zinc thin film and a surface shape of the thin film by a hydrothermal synthesis method. CONSTITUTION: A zinc oxide film manufacturing method uses a hydrothermal synthesis method. A substrate is arranged in a solution for the hydrothermal synthesis. The zinc source is dissolved in the solution for the hydrothermal synthesis. The oxidation zinc thin film having a desired thickness grows on the substrate. The oxidation zinc thin film has a smooth surface. The surface of the oxidation zinc thin film is controlled through the temperature condition change of the solution for the hydrothermal synthesis.
Abstract translation: 目的：提供一种具有控制表面形态的氧化锌薄膜及其氧化锌薄膜的方法，以通过水热合成方法控制外延氧化锌薄膜的生长和薄膜的表面形状 。 构成：氧化锌膜的制造方法采用水热合成法。 将基底设置在用于水热合成的溶液中。 锌源溶解在水热合成溶液中。 具有期望厚度的氧化锌薄膜在衬底上生长。 氧化锌薄膜具有光滑的表面。 通过水热合成溶液的温度条件改变来控制氧化锌薄膜的表面。
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公开(公告)号：KR100814156B1
公开(公告)日：2008-03-14
申请号：KR1020070078576
申请日：2007-08-06
Applicant: 전남대학교산학협력단
Abstract: A methane and oxygen generation device, and a method for preparing methane and oxygen by using the device are provided to generate useful methane and oxygen from carbon dioxide and water and to lower the amount of carbon dioxide inducing the greenhouse effect. A methane and oxygen generation device(100) comprises a cathode(110) which is connected with the negative electrode of a power source device(150); an anode(120) which is connected with the positive electrode of a power source device; and a proton electrolyte layer(130) which is located between the cathode and the anode, wherein a carbon dioxide-methane reaction layer(140) is generated between the cathode and the proton electrolyte layer by the reaction of the proton electrolyte layer and carbon dioxide, the cathode is supplied with carbon dioxide to generate methanol and the anode is supplied with water to generate oxygen.
Abstract translation: 提供甲烷和氧气生成装置以及通过使用该装置制备甲烷和氧气的方法，以从二氧化碳和水中产生有用的甲烷和氧气并降低引起温室效应的二氧化碳的量。 甲烷和氧气产生装置（100）包括与电源装置（150）的负极连接的阴极（110）。 与电源装置的正极连接的阳极（120） 和位于阴极和阳极之间的质子电解质层（130），其中通过质子电解质层和二氧化碳的反应在阴极和质子电解质层之间产生二氧化碳 - 甲烷反应层（140） ，向阴极供应二氧化碳以产生甲醇，并向阳极供应水以产生氧气。
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公开(公告)号：KR100740318B1
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：KR1020060070782
申请日：2006-07-27
Applicant: 전남대학교산학협력단
IPC: H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: A method for forming SrTiO3/BaTiO3 artificial super lattices on a silicon substrate by using a TiN buffer layer is provided to enhance crystallization and dielectric characteristics by alternatively depositing a SrTiO3 thin film and a BaTiO3 thin film on the substrate. A silicon substrate is inputted in a chamber of a pulse laser depositing apparatus, and then a TiN buffer layer is deposited on the silicon substrate with the TiN buffer layer at a temperature of 650 to 750°C. A SrTiO3 thin film and a BaTiO3 thin film are alternatively deposited on the silicon substrate at a temperature of 300 to 750°C to form artificial super lattices.
Abstract translation: 提供了通过使用TiN缓冲层在硅衬底上形成SrTiO 3 / BaTiO 3人造超晶格的方法，以通过交替地在衬底上沉积SrTiO 3薄膜和BaTiO 3薄膜来增强结晶和介电特性。 将硅衬底输入脉冲激光沉积设备的腔室中，然后在具有TiN缓冲层的硅衬底上沉积TiN缓冲层，温度为650-750℃。 SrTiO3薄膜和BaTiO3薄膜交替地沉积在硅衬底上，温度为300至750℃以形成人造超晶格。
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