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31.发明授权
公开(公告)号：KR100959190B1
公开(公告)日：2010-05-24
申请号：KR1020070135531
申请日：2007-12-21
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/11
Abstract: 본 발명은 열로서 가교되고 광에 의해 발생하는 산에 의해 탈 가교가 이루어지는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 바닥반사방지막 조성물에 관한 것이다.
상기 바닥반사방지막 조성물은 짧은 파장 영역(예를 들어, 157, 193, 248nm)에서 강한 흡수를 갖는 단위구조를 포함하는 방향족 고리 함유 중합체를 포함하고, 상기 열로서 가교되고 광에 의해 발생하는 산에 의해 탈 가교가 이루어지는 화합물은 방향족 고리 함유 중합체와 가교반응을 일으키며, 노광에 의해 탈 가교됨으로써 포토리쏘그라픽 공정상의 현상액에 의해 용해가 가능한 성질을 지닌다.
따라서 본 발명은 포토리쏘그라픽 공정에서 포토레지스트의 현상 공정에서 포토레지스트와 함께 용해가 이루어짐으로써 공정이 단순화되고 포토레지스트막의 형성두께를 감소시킬 뿐만 아니라 포토리쏘그래픽 공정 마진을 높일 수 있는 바닥반사방지막을 형성할 수 있는 것이다.
포토리쏘그래픽, 바닥 반사방지막(BARC), 가교제, 방향족 고리-
公开(公告)号：KR100888611B1
公开(公告)日：2009-03-12
申请号：KR1020070055241
申请日：2007-06-05
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: 본 발명은 리쏘그래픽 공정에 유용한 반사방지 특성을 갖는 하드마스크 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 조성물은 매우 우수한 광학적 특성, 기계적 특성 및 에칭 선택비 특성을 제공하며, 동시에 스핀-온 도포 기법을 이용하여 도포 가능한 특성을 제공한다. 유리하게도, 본 발명의 조성물은 보다 짧은 파장 리쏘그래픽 공정에 유용하고 최소 잔류 산 함량을 보유한다.
리쏘그래픽, 반사방지성, 하드마스크, 방향족 고리-
公开(公告)号：KR100833212B1
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：KR1020060120724
申请日：2006-12-01
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/0045 , G03F7/0048
Abstract: An anti-reflective hard mask composition is provided to realize high etching selectivity and excellent resistance against multi-etching and to minimize reflection between a resist layer and a backside layer. An anti-reflective hard mask composition comprises: (a) an aromatic ring-containing polymer comprising a compound represented by the following formula 1; and (b) an organic solvent. In formula 1, each of m and n is equal to or greater than 1 and less than 190, wherein m+n is 190 or less; R1, R2 and R3 are the same or different, and represent any one substituent of H, OH, C1-C10 alkyl, C6-C10 aryl, allyl and halogen atoms; and R2 and R4 are the same or different, and represent -CH2- and the following formula.
Abstract translation: 提供了抗反射硬掩模组合物以实现高蚀刻选择性和优异的耐多蚀刻性，并且使抗蚀剂层和背面层之间的反射最小化。 抗反射硬掩模组合物包含：（a）含有芳族环的聚合物，其包含由下式1表示的化合物; 和（b）有机溶剂。 在式1中，m和n各自等于或大于1且小于190，其中m + n为190以下; R1，R2和R3相同或不同，表示H，OH，C1-C10烷基，C6-C10芳基，烯丙基和卤素原子的任何一个取代基; 并且R 2和R 4相同或不同，并且表示-CH 2 - 和下式。
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公开(公告)号：KR100764637B1
公开(公告)日：2007-10-08
申请号：KR1020060042263
申请日：2006-05-11
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F1/04
Abstract: An acid crosslinking composition for micronizing a pattern, a crosslinked film formed from the composition, and a method for preparing a semiconductor device by using the composition are provided to reduce the area of intaglio part in a photolithographic process. A composition comprises 60-95 parts by weight of a compound selected from the group consisting of a homopolymer represented by the formula 1, 2 or 3, a copolymer and their blend; 5-40 parts by weight of a crosslinking agent; 100-9,900 parts by weight of a solvent; and optionally a surfactant. In the formula 1, n is 1-2,000. In the formulas 2 and 3, n is 1-3,000. Preferably the solvent is an alcohol, or a mixture solvent of an alcohol and an organic solvent except an alcohol.
Abstract translation: 提供用于使图案微细化的酸交联组合物，由该组合物形成的交联膜，以及通过使用该组合物制备半导体器件的方法，以减少光刻工艺中凹版部分的面积。 一种组合物包含60-95重量份选自由式1,2或3表示的均聚物，共聚物及其共混物的化合物; 5-40重量份的交联剂; 100-9,900重量份溶剂; 和任选的表面活性剂。 在式1中，n为1-2,000。 在式2和3中，n为1-3,000。 优选地，溶剂是醇，或醇和除醇之外的有机溶剂的混合溶剂。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR100655064B1
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：KR1020050044935
申请日：2005-05-27
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/11
Abstract: 본 발명은 리쏘그래픽 공정에 유용한 반사방지성을 갖는 하드마스크 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 조성물은 매우 우수한 광학적 특성, 기계적 특성 및 에칭 선택비 특성을 제공하며, 동시에 스핀-온 도포 기법을 이용하여 도포 가능한 특성을 제공한다. 유리하게도, 본 발명의 조성물은 보다 짧은 파장 리쏘그래픽 공정에 유용하고 최소 잔류 산 함량을 보유한다.
리쏘그래픽, 반사방지성, 하드마스크, 방향족 고리-
39.发明授权
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公开(公告)号：KR101480177B1
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：KR1020110133083
申请日：2011-12-12
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J175/04 , C09J11/06 , C09J7/02 , G02F1/133
Abstract: 본 발명은 광학 점착제 조성물, 이를 포함하는 광학 점착제 필름 및 이를 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것이다. 본 발명은 초기 접착력이 낮아 리워크성이 좋고, 최종 접착력은 상승할 수 있고, 경화수축률이 낮은 광학 점착제 조성물, 이를 포함하는 광학 점착제 필름 및 이를 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
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