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    생분해성고분자필름및그의제조방법
    31.
    发明授权
    생분해성고분자필름및그의제조방법 失效
    可生物降解的聚合物膜及其制备方法

    公开(公告)号：KR100134938B1

    公开(公告)日：1998-04-20

    申请号：KR1019940018611

    申请日：1994-07-29

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 김영하 ,  안광덕 ,  김수현 ,  김정봉 ,  구현철

    IPC: C08G63/60 ,  C08G63/02 ,  C08G63/06 ,  C08J5/18

    Abstract: 본 발명은 스타형 분자 구조를 갖는 폴리락트산을 130∼180℃의 온도에서 용융시키고, 얻어진 용융물을 50℃이상, 바람직하기로는 50∼120℃의 온도에서 5배 이하, 바람직하기로는 2∼4배 연신시키는 것을 특징으로 하는 생분해성 폴리락트산 필름의 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조된 3.5∼6.0Kg/mm
    2 의 인장 강도 및 2.5∼6.0%의 연신율을 갖는 생분해성 폴리락트산 필름에 관한 것이다. 본 발명에 따라 제조된 폴리락트산 필름은 투명성이 우수하고 강도가 매우 우수하기 때문에 포장재와 같은 범용 생분해성 재료로 사용이 가능할 뿐만 아니라 생체 흡수성 재료, 농약이나, 의약, 약제의 서방성 매트릭스, 농업용 필름 등으로 광범위하게 응용될 수 있다.

    스핀-궤도 결합의 차이를 이용한 상보성 논리 소자 및 그 제조 방법
    34.
    发明授权
    스핀-궤도 결합의 차이를 이용한 상보성 논리 소자 및 그 제조 방법 有权
    利用自旋 - 轨道耦合差异的互补逻辑器件及其制造方法

    公开(公告)号：KR101843917B1

    公开(公告)日：2018-03-30

    申请号：KR1020160114295

    申请日：2016-09-06

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 김형준 ,  구현철 ,  장차운 ,  김한성

    IPC: H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

    CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/28291 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/085 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66984 ,  H01L29/7785 ,  H01L29/7786

    Abstract: 일실시예는스핀궤도결합상수가상이한 2DEG(2-dimension electron gas, 2차원전자가스)와 2DHG(2-dimension hole gas, 2차원정공가스) 구조를채널층으로하는반도체소자를이용한상보성논리소자및 그제조방법을제공한다. 상보성논리소자는ⅰ) 기판, ⅱ) 기판위에위치하고, 제1 채널층과상기채널층에캐리어를공급하는전하공급층및 상기채널층의상하에각각배치된상부클래딩층및 하부클래딩층을포함하는제1 반도체소자, ⅲ) 기판위에위치하고, 제1 반도체소자와이격배치되고, 제2 채널층과상기채널층에캐리어를공급하는전하공급층및 상기채널층의상하에각각배치된상부클래딩층및 하부클래딩층을포함하는제2 반도체소자, ⅳ) 제1 반도체소자와제2 반도체소자위에위치하는강자성체로이루어진소스전극, ⅴ)제1 반도체소자와제2 반도체소자위에위치하고, 소스전극과이격형성된강자성체로이루어진드레인전극, 그리고ⅵ) 제1 반도체소자와제2 반도체소자위에위치하고, 소스전극과드레인전극사이에위치하여제1 채널층및 제2 채널층을통과하는전자의스핀을제어하도록적용된게이트전압이인가되는게이트전극을포함한다.

    Abstract translation: 在一个实施例中，使用具有不同自旋轨道耦合常数的2DEG（2维电子气）和2维空穴气（2DHG）结构的半导体器件作为沟道层的互补逻辑器件 及其制造方法。 位于一基板，一第一沟道层和用于提供载流子到所述沟道层和包括分别设置在所述沟道层上形成上部包层的顶部和底部与下部包层的电荷供给层上的互补逻辑器件ⅰ）底物，ⅱ） Iii）设置在衬底上并与第一半导体元件间隔开的上覆层，上覆层设置在沟道层的上方和下方，用于将载流子供应到第二沟道层和沟道层的电荷供应层， 包括下覆层，ⅳ）第一半导体元件和由在所述半导体器件中的源极电极上形成的强磁性材料的第二，ⅴ）的第一半导体元件和位于第二半导体元件上，形成了源极电极和间隔开的一个第二半导体器件 施加由铁磁材料制成的漏电极，和ⅵ）位于所述第一半导体元件和第二半导体元件的上方，以控制被设置在源极和通过所述第一通道层的漏电极和第二沟道层之间的电子的自旋 栅极电压包括施加的栅电极。

    스핀을 이용한 상보성 소자 및 그 구현 방법
    37.
    发明授权
    스핀을 이용한 상보성 소자 및 그 구현 방법 有权
    补充旋转装置和操作方法

    公开(公告)号：KR101435549B1

    公开(公告)日：2014-09-02

    申请号：KR1020130027349

    申请日：2013-03-14

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 구현철 ,  김형준 ,  장준연 ,  최준우 ,  한석희

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L29/0673 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66984

    Abstract: Provided is a complementary device which includes a gate electrode, a channel, a source electrode which is connected to the gate electrode and the channel, and a first drain electrode and a second drain electrode which are connected to the gate electrode and the channel. In the first drain electrode, a spin which is injected into the source electrode rotates and moves in a first direction from the source electrode to the first drain electrode through the channel by applying the voltage to the gate electrode. In the second drain electrode, the spin which is injected into the source electrode rotates and moves in a second direction from the source electrode to the second drain electrode through the channel by applying the voltage to the gate electrode. The direction of the spin reaching the first drain electrode is opposite to the direction of the spin reaching the second drain electrode.

    Abstract translation: 提供了一种互补装置，其包括栅电极，沟道，连接到栅电极和沟道的源极，以及连接到栅电极和沟道的第一漏电极和第二漏电极。 在第一漏电极中，通过向栅电极施加电压，注入到源电极的自旋通过沟道从第一方向从源电极向第一漏电极移动。 在第二漏电极中，通过向栅电极施加电压，注入到源电极中的自旋通过沟道沿着第二方向从源电极向第二漏电极移动。 到达第一漏电极的自旋方向与到达第二漏电极的自旋方向相反。

    스핀토크를 이용한 측면형 스핀 소자
    38.
    发明授权
    스핀토크를 이용한 측면형 스핀 소자 有权
    使用自旋扭矩的横向旋转装置

    公开(公告)号：KR101417956B1

    公开(公告)日：2014-08-14

    申请号：KR1020120140275

    申请日：2012-12-05

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 장준연 ,  구현철 ,  김형준 ,  송진동 ,  한석희

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

    Abstract: 본 발명은 측면형 스핀 소자에 관한 것으로, 상기 측면형 스핀 소자는 기판상에 형성되는 전송채널; 상기 전송채널 상에 형성되는 소스; 및 상기 전송채널 상에 형성되는 드레인 자유층, 드레인 중간층, 및 드레인 고정층으로 이루어지며, 상기 소스로부터 주입되고 상기 전송채널에 의해 확산된 스핀전자에 의해 상기 드레인 고정층에 대한 상기 드레인 자유층의 자기 방향이 변경되는 드레인을 포함할 수 있다.

    스핀 주입을 이용한 상보성 논리소자
    39.
    发明公开
    스핀 주입을 이용한 상보성 논리소자 有权
    使用旋转注射的补充逻辑装置

    公开(公告)号：KR1020130063236A

    公开(公告)日：2013-06-14

    申请号：KR1020110129651

    申请日：2011-12-06

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 구현철 ,  김형준 ,  장준연 ,  한석희 ,  김희중

    IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L29/82

    CPC classification number: H01L29/66984 ,  G11C11/161 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H03K19/18 ,  H01L43/08

    Abstract: PURPOSE: A complementary logic device using spin injection is provided to control two transistors by using one gate electrode based on a concept that a spin-up and a spin-down state correspond to a parallel and an anti-parallel state. CONSTITUTION: An insulating layer(108) is formed on a substrate(101). A source electrode(105) is formed on the insulating layer made of a ferromagnetic material. A gate electrode(107) controls the magnetization direction of the source electrode. A channel layer(102) is formed in the first side and the second side of the source electrode respectively. A first drain electrode(103) is formed in the first side of the source electrode between the channel layers. A second drain electrode(104) is formed in the second side of the source electrode between the channel layers.

    Abstract translation: 目的：提供使用自旋注入的互补逻辑器件，以通过使用一个栅电极来控制两个晶体管，基于一个概念，即自旋向上和下拉状态对应于并联和反并联状态。 构成：在基板（101）上形成绝缘层（108）。 在由铁磁材料制成的绝缘层上形成源电极（105）。 栅电极（107）控制源电极的磁化方向。 沟道层（102）分别形成在源电极的第一侧和第二侧。 第一漏电极（103）形成在沟道层之间的源电极的第一侧。 第二漏电极（104）形成在沟道层之间的源电极的第二侧。

    스핀 축적과 확산을 이용한 다기능 논리 소자
    40.
    发明授权
    스핀 축적과 확산을 이용한 다기능 논리 소자 失效
    使用旋转累积和扩展的可重构逻辑器件

    公开(公告)号：KR101016437B1

    公开(公告)日：2011-02-21

    申请号：KR1020090077622

    申请日：2009-08-21

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 구현철 ,  한석희 ,  장준연 ,  김형준 ,  구장해

    IPC: G11C11/15

    CPC classification number: H01L29/66984 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/7783 ,  H01L43/02

    Abstract: PURPOSE: A multifunction logic device is provided to implement a multifunction logic gate in a narrow area by using spin information which is transferred from a ferromagnetic part to a channel. CONSTITUTION: A multifunction logic device comprises a substrate part(100), two input terminal ferromagnetic material patterns(102,103), and an output terminal ferromagnetic material(104). The substrate part has a channel layer. Two input terminal ferromagnetic material patterns are formed on the substrate part. The two input terminal ferromagnetic material patterns are the input terminal of a logic gate. The output terminal ferromagnetic material is formed on the substrate part. The output terminal ferromagnetic material is arranged between the two input terminal ferromagnetic material patterns. The output terminal ferromagnetic material is the output terminal of the logic gate.

    Abstract translation: 目的：提供一种多功能逻辑器件，通过使用从铁磁部件传输到通道的自旋信息，在狭窄的区域中实现多功能逻辑门。 构成：多功能逻辑器件包括衬底部分（100），两个输入端铁磁材料图案（102,103）和输出端铁磁材料（104）。 衬底部分具有沟道层。 在基板部分上形成两个输入端铁磁材料图案。 两个输入端铁磁材料图案是逻辑门的输入端。 输出端铁磁材料形成在基板部分上。 输出端铁磁材料布置在两个输入端铁磁材料图案之间。 输出端铁磁材料是逻辑门的输出端。

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