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公开(公告)号：KR100414347B1
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：KR1020010023860
申请日：2001-05-02
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B64C11/20
CPC classification number: Y02T50/44
Abstract: PURPOSE: A subminiature helicopter is provided to promote the manufacturing by making the structure and shape simplified and to precisely measure aeromechanic characteristic value of a subminiature helicopter. CONSTITUTION: A subminiature helicopter comprises a pair of blades(2) having sections of an airfoil shape, a rotor device(4) for giving driving force for rotation of the blades, a guide device, and a power source supply unit(10) for applying power source to the rotor device. The guide device prevents rotation of the rotor device and makes rectilinear movement of the rotor device possible together when the rotor device moves up and down by rotation of the blades. The guide device comprises a guide bracket(6) and a guide rod(8). The guide bracket is installed on the outer surface of the rotor device for rectilinear movement of the rotor device. The guide rod is installed vertically to guide the guide bracket up and down. The guide bracket comprises a pair of guide connection units extended from the rotor device and guide pipes installed to the upper and lower side of both ends of the guide connection units to reduce the weight of the helicopter.
Abstract translation: 目的：提供超小型直升机，通过简化结构和形状来促进制造，并精确测量超小型直升机的航空机械特性值。 一种超小型直升机，包括一对具有翼型形状的叶片（2），一个用于给予叶片转动驱动力的转子装置（4），一个导向装置和一个电源供应单元（10），用于 将电源施加到转子装置。 当转子装置通过叶片的旋转而上下移动时，引导装置防止转子装置的旋转并且使得转子装置能够一起进行直线运动。 导向装置包括导向支架（6）和导向杆（8）。 导向支架安装在转子装置的外表面上，用于转子装置的直线运动。 导杆垂直安装以引导导向架上下。 导向支架包括一对从转子装置延伸的导向连接单元和安装在导向连接单元两端的上侧和下侧的导向管，以减轻直升机的重量。
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公开(公告)号：KR100365296B1
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：KR1020000044606
申请日：2000-08-01
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11C16/00
Abstract: 본 발명은 비파괴 판독형 비휘발성 강유전체 메모리(이하, NDRO-FRAM이라함) 구동 회로에 관한 것으로서, 특히 워드 선 디코더와 쓰기 드라이버를 구비함으로써 상기 NDRO-FRAM 상에 읽기 및 쓰기가 가능하게 하는 NDRO-FRAM 구동 회로에 관한 것이다.
본 발명의 상기 NDRO-FRAM 구동 회로는 드레인과, 벌크와, 소스 및 게이트를 구비하고 행렬로 배열된 NDRO-FRAM 셀과; 상기 열로 배열된 상기 NDRO-FRAM 셀의 드레인과 연결된 읽기 워드 선과; 상기 열로 배열된 상기 NDRO-FRAM 셀의 벌크와 연결된 쓰기 워드 선과; 상기 행으로 배열된 상기 NDRO-FRAM 셀의 소스와 연결된 읽기 비트 선과; 상기 행으로 배열된 상기 NDRO-FRAM 셀의 게이트와 연결된 쓰기 비트 선과; 상기 동일 열의 NDRO-FRAM 셀과 연결된 상기 읽기 워드 선과 상기 쓰기 워드 선과 연결되어 읽기 워드 신호 및 쓰기 워드 신호를 각각 생성시켜 전송하는 워드 선 디코더와; 상기 읽기 비트 선과 연결되어 상기 NDRO-FRAM 셀의 데이터 레벨을 전송하는 데이터 레벨 전송회로와; 상기 데이터 레벨 전송회로와 연결되어 상기 NDRO-FRAM 셀의 데이터 레벨을 감지하는 센스 앰프와; 상기 쓰기 비트 선과 연결되어 쓰기 비트 신호를 생성시켜 전송하는 쓰기 드라이버를 구비한다. 본 발명은 상기 NDRO-FRAM 셀에 데이터의 읽기 및 쓰기를 가능하게 하는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020010078580A
公开(公告)日：2001-08-21
申请号：KR1020000005949
申请日：2000-02-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B64C11/00
CPC classification number: B64C27/473 , B64C39/02 , B64C2201/024 , B64C2201/108 , B64D45/00 , Y02T50/66
Abstract: PURPOSE: A rotor device for a small vehicle and a method for checking characteristic of an aeroengine are provided to supply a rotor device and a helicopter blade with a high accuracy. CONSTITUTION: A rotor device for a small vehicle comprises a blade having a shape of peripheral curved face of a cylinder body; a hole formed on a crossed position of diagonal lines; a groove formed on front face and a rear face; and a hub formed by processing a hexahedron member. The groove of the front face is formed on a middle portion by using a left directional slant line. The groove of the rear face is formed on a middle portion by using a right directional slant line. The rotor device is produced by mixing fiberglass, carbon glass, Kevlar, carbon-carbon, FRP material into polyester and resin of epoxy.
Abstract translation: 目的：提供一种用于小型车辆的转子装置和用于检查航空发动机特性的方法，以高精度地提供转子装置和直升机叶片。 构成：小型车用转子装置，具有圆筒体的周边曲面形状的叶片， 在对角线的交叉位置形成的孔; 形成在前表面和后表面上的凹槽; 以及通过加工六面体构件形成的毂。 通过使用左方向倾斜线，在中间部分形成前面的槽。 后面的槽通过使用右方向倾斜线形成在中间部分上。 转子装置通过将玻璃纤维，碳玻璃，凯夫拉尔，碳 - 碳，FRP材料与聚酯和环氧树脂混合而制成。
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公开(公告)号：KR100215540B1
公开(公告)日：1999-08-16
申请号：KR1019960010174
申请日：1996-04-04
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/768
Abstract: 본 발명은 반도체 금속박막의 배선방법에 관한 것으로, 저압 화학 기상 증착법 또는 플라즈마 화학 기상 증착법에 의해 질화 텅스텐 박막을 확산방지막으로 하여 구리를 증착시키도록 한 것이다.
이러한 금속배선방법은 먼저 기판(3)상에 플라즈마 화학증착법으로 질화 텅스텐 확산 방지막(7)을 도포하고, 금속층(1)(6)인 Cu를 증착시키며, 접촉창으로서의 비아콘택 영역(5)과 금속층(1)을 연결시킬 때는 역시 플라즈마 화학증착법으로 증착된 질화 텅스텐 박막을 확산방지막으로 사용하여 금속배선하도록 한 것으로, 확산방지막인 질화 텅스텐 박막은 실리콘 기판(3)과 금속층(1)이 접촉되는 콘택 영역(2), 금속층(1)(6)과 절연막(4)사이, 금속층(1)(6)이 접촉되는 비아콘택 영역(5)에 적용되는 것이다. 이와 같이 Cu 확산방지를 위한 확산방지막으로 텅스텐 질화박막이 우수한 특성을 지님을 알 수 있다.-
35.发明公开
公开(公告)号：KR1019990038230A
公开(公告)日：1999-06-05
申请号：KR1019970057884
申请日：1997-11-04
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: 소자제조시 실리콘(Si) 및 화합물반도체(GaAs, GaN, InP)와의 저항성 접합공정 및 개별소자간의 상호연결을 위한 다층 구조 금속 배선 공정에서 반도체/금속, 금속/금속, 층간절연층/금속 사이에 탄탈륨실리나이트라이드 (TaSiN
x )의 삼원소계 확산 방지막을 사용하므로써, 종래의 이원소계 확산 방지막이 열처리온도 500∼700℃에서 확방지 기능이 상실되어서 높은 밀도의 결함 및 전기적 특성의 열화를 막을 수 없는데 반하여 850℃이상의 고온에서 후속열처리하여도 반도체 및 구리금속의 확산을 방지할 수 있으며, 전기적 특성을 열화 및 결함이 전혀 발생하지 않는 특징이 있다. 따라서 본 발명은 기억소자 및 비기억 소자의 제조방법에서 새로운 다층 금속 배선 구조로써 기존의 확산 방지막을 사용한 다층 금속 배선보다 월등히 우수한 특성을 가진다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100089415B1
公开(公告)日：1995-09-20
申请号：KR1019920008319
申请日：1992-05-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/283
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公开(公告)号：KR1019950006345B1
公开(公告)日：1995-06-14
申请号：KR1019920008319
申请日：1992-05-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/283
Abstract: To reduce the contact resistance between Al metal lines and silicon substrate, an Al metaliztion is employed in which tungsten nitride is used as barrier metal. The deposition of the proper tungsten nitide over the silicon is made by low pressure chemical vapour deposition in the chamber under the following conditions; the partial pressure ratio of WF6:NH3 to be over 1:2 in WF6-NH3-H2 gases, the pressure of 0.1 through 1 Torr, and the temperature of 250 through 500 ≦̸C. After that, the Al metal is deposited, and then annealing is made at the temperature of 450≦̸C.
Abstract translation: 为了降低Al金属线与硅衬底之间的接触电阻，使用氮化钨作为阻挡金属的Al金属化。 在硅上沉积合适的钨硝化物是通过室内低压化学气相沉积在以下条件下进行的; 在WF6-NH3-H2气体中，WF6：NH3的分压比为1：2以上，压力为0.1〜1乇，温度为250〜500℉。 之后，沉积Al金属，然后在450＆amp; C的温度下进行退火。
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公开(公告)号：KR1019950003223B1
公开(公告)日：1995-04-06
申请号：KR1019920005596
申请日：1992-04-03
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: The method includes depositing a thin tungsten film on a GaAs substrate under the deposition pressure of 1-10-1 Torr and the deposition temperature of 200˜300 degree C with a WF6-H2 or WF6-SiH4-H2 reaction system by a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process, and fast-heat-treating the wafer at the temperature of less than 700 degree C, thereby forming a thin tungsten film for a schottky barrier and a metal wiring to obtain the low resistance film.
Abstract translation: 该方法包括在1-10-1托的沉积压力和200〜300℃的沉积温度下，通过等离子体增强的WF6-H2或WF6-SiH4-H2反应体系在GaAs衬底上沉积薄钨膜 化学气相沉积（PECVD）工艺，并在低于700℃的温度下对晶片进行快速热处理，从而形成用于肖特基势垒和金属布线的薄钨膜以获得低电阻膜。
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公开(公告)号：KR1019930024105A
公开(公告)日：1993-12-21
申请号：KR1019920008319
申请日：1992-05-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/283
Abstract: 본 발명은 초고집적 반도체소자의 금속배선에 관한 것으로 알루미늄금속배선을 위한 알루미늄박막의 도포전에 베리어메탈로서 저저항의 텅스텐질화박막을 형성하는 텅스텐질화박막을 베리어메탈로 이용한 실리콘 반도체소자의 알루미늄금속배선 형성방법에 관한 것이다. 본 발명의 알루미늄금속배선 형성공정은 실리콘기판상에 WF
6 -NH
3- H
2 반응계를 이용하여 0.1-1Torr의 증착압력하에 250-300℃의 증착압력으로 텅스텐질화박막을 형성하되 이때 NH
3 -WF
6 의 분압비를 1:2 이상으로 유지하며, 텅스텐질화박막의 증착이 완료된 다음에는 그 위에 알루미늄박막을 도포하는 공정으로 이루어진다. 이같은 공정으로 이루어진 본 발명은 알루미늄금속배선시 접촉 저항을 낮추기 위한 열처리시 텅스텐질화박막에 의해 알루미늄이 실리콘내부로 융융되어 들어가는 것이 방지됨에 따라 종래의 알루미늄금속배선에서 문제점으로 작용하고 있는 정션스파이크등의 결함이 제거되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019930011538B1
公开(公告)日：1993-12-10
申请号：KR1019910012125
申请日：1991-07-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/285
CPC classification number: C23C16/34
Abstract: The tungsten nitride thin film is formed by plasma CVD and is grown to 5-10 thickness, before tungsten thin film is created. The plasma CVD is performed at 300-600 deg.C under 0.1-1 torr pressure. F atoms are prevented from eroding the interface between silicon and oxide film in low-pressure chemical vapor deposition process of tungsten film.
Abstract translation: 在形成钨薄膜之前，通过等离子体CVD形成氮化钨薄膜并生长至5-10厚度。 等离子体CVD在0.1〜1Torr压力下在300-600℃进行。 在钨膜的低压化学气相沉积工艺中，F原子被防止侵蚀硅与氧化物膜之间的界面。
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