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公开(公告)号：KR100283284B1
公开(公告)日：2001-02-15
申请号：KR1019990002580
申请日：1999-01-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H05B33/10
Abstract: 본발명은고밀도미세반사체(10), 하부절연층(20), 발광층(30), 상부절연층(40), 배면전극(50)으로구성되는것을특징으로하는전계발광표시소자에관한것으로, 고정세가공기술을이용하여고밀도의반사체를제조하고이를박막전계발광구조와결합하여고정세/고휘도/고효율을특징으로하는새로운구조의전계발광표시소자를제조할수 있는구조와방법을제공하는것이다.
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公开(公告)号：KR100283283B1
公开(公告)日：2001-02-15
申请号：KR1019990002577
申请日：1999-01-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H05B33/10
Abstract: 본발명은유리기판(1)의상부에순차적으로투명도전막(2), 삽입층(3), 하부고유전율절연층(4), 발광층(5), 삽입층(6), 상부고유전율절연층(7) 및상기상부고유전율절연층(7)의상부에부분적으로증착된배면전극(8)으로구성된것을특징으로하는전계발광소자에관한것으로, 유리기판과고유전율박막층의사이에삽입층을도입하여표면특성이평탄한하부절연층을구현하여다결정질의고유전율절연막을사용한전계발광소자에서전기장을균일하게분포시킴으로써소자의안정성을높였을뿐만아니라, 표면거칠기의감소로전기장분포가균일하며매우안정적인발광을얻어내는효과가있다.
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公开(公告)号：KR100247141B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019970024823
申请日：1997-06-16
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 전기장 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 전기장 발광소자는 하부 절연층으로 비정질 또는 다결정 BaTiO
3 를 사용하여 하부 절연층을 증착한 이후의 공정에서 고온을 사용하는 경우 그 특성이 열화되어 누설전류가 증가되고, 항복 전기장강도가 저하되어 전기장 발광소자의 구동을 목적으로 전기장을 인가하는 경우 그 전기장 발광소자가 쉽게 파괴되는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 하부 절연층을 유전상수값이 큰 다결정 BaTiO
3 와 절연특성이 우수한 비정질 BaTiO
3 를 적층하여 형성함으로써, 휘도의 포화가 일어나는 고전압에서도 파괴되지 않고 안정된 동작을 하는 효과와 아울러 그 휘도특성이 우수하여 저전압에서 사용이 가능한 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100234008B1
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019970018544
申请日：1997-05-13
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 전기장발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 전기장발광소자는 인가되는 전기장의 세기에 비해 발광층의 내부로 주입되는 전자의 수가 적어 휘도특성 및 발광효율이 저하되는 문제점이 있었다. 이러한 문제점을 감안한 본 발명은 발광층과 절연층의 사이에 계면구조물을 삽입하여 화소 면적의 변화없이 발광층과 절연층의 사이의 계면의 표면적을 증가시킴으로써, 전기장발광소자의 휘도와 발광효율을 증가시키는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100233998B1
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019950039797
申请日：1995-11-04
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C14/0688
Abstract: 본 발명은 물리증착(physical vapour deposition : PVD)법에 의해 제조된 전계방출소자용 발광체 및 그 제조방법에 관한 것으로, 유리기판 상에 물리적증착법으로 ZnO:Zn 발광박막을 형성한 뒤 상기 ZnO:Zn 박막 표면에 도전성박막을 코팅하여 발광체 제조를 완료하므로써, 1) 발광막의 두께와 발광체의 열처리 온도 및 분위기 변화를 통하여 에미터의 동작 특성에 맞는 발광문턱과 여러계조의 휘도 및 발광색을 일정 범위내에서 변화시킬 수 있으며, 2) 공정이 용이하고 공정 단가가 낮은 물리증착법(예컨대, 스퍼터법이나 증착법)을 통하여 초박막 상태로도 결정성이 뛰어난 발광막을 얻을 수 있게 되어 고해상도를 요하는 대면적 전계방출소자에 적용할 수 있다는 이점을 갖는다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990062206A
公开(公告)日：1999-07-26
申请号：KR1019970082517
申请日：1997-12-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H05B33/00
Abstract: 본 발명은 현행 전계방출 표시소자(FED)와 전기장 발광 표시소자(ELD)가 가지는 저휘도와 불균일도를 보완한 고효율의 표시소자에 관한 것이다.
본 발명에 의한 표시소자는 전기장 발광소자(EL소자), 광-전자변환/증배부 및 음극선관(CRT)발광체 모듈을 일체화하여 조립하되, 광-전자변환/증배부에서 발생한 전자의 가속이 용이하도록 진공봉합기술을 사용하여 광-전자변환/증배부와 발광체모듈을 봉입한다.
이러한 표시소자는 면상 방출원(plane emitter)인 Sb계(Sb-based)박막을 사용함으로써, 균일도의 증대와 대면적화가 가능해지고 번짐이 현저하게 감소한다. 또한 전기장 발광소자의 낮은 휘도를 증폭하여 높은 휘도를 얻을 수 있고, 본 발명에 이용되는 고진공 봉합기술 및 음극선관(CRT)발광체는 이미 완성된 기술이므로 표시소자의 제작이 용이하다는 장점을 가진다.-
公开(公告)号：KR100197154B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019950020245
申请日：1995-07-10
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01J9/025 , Y10S438/978
Abstract: 본 발명은 전계방출소자(field emitter display) 제조방법에 관한 것으로, 제1반도체판을 결정 의존성 식각하여 몰드를 형성하고, 이를 이용하여 팁 어래이를 형성환 뒤 제2 반도체기판을 상기 팁 어래이에 접합하여 소자 제조를 완료하므로서, 1) 몰드(mold)용 기판과 팁 어래이의 받치대로 쓰이는 기판이 동일 재질(예컨대, 단결성 실리콘)로 형성되어 VLSI 기술과의 호환성이 있으며, 2) 아울러 비교적 평탄한 반도체 표면 상에서 사진식각공정을 비롯한 후처리 공장(예컨대, 게이트 절연막 및 게이트 전극 패터닝 공정)이 진행되므로 단차(step coverage) 등에 의한 공정상의 어려움을 제거할 수 있어, 팁 높이에 제한없이 공정을 용이하게 실시할 수 있게 되고, 또한3)양질의 열산화막을 게이트 절연막으로 활용할 수 있는 고신뢰성의 전계방출소자를 구현할 수 있게 된 다.
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公开(公告)号：KR100165867B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019950001030
申请日：1995-01-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H05B33/14
CPC classification number: C09K11/7705 , H05B33/12 , H05B33/14 , H05B33/22 , Y02B20/181
Abstract: 본 발명은 백색발광용 전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 유리기판 상에 ITO 투명전극을 형성하는 공정과, RF 반응성 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링법으로 상기 투명전극에 하부절연층을 형성하는 공정과, 상기 하부절연층 상에 발광층을 형성하는 공정과, 상기 발광층 상에 상기 하부절연층과 동일한 스퍼터링법으로 상부절연층을 형성하는 공정과, 상기 상부절연층 상에 발광소자 동작특성의 열화현상을 방지하는 완충층을 형성하는 공정과, 상기 완충층 상에 열증착법으로 알루미늄 전극을 증착하는 공정을 통하여 희토류 원소인 Pr을 발광중심으로 한 EL 소자를 제공함으로써 빛의 삼원색인 적, 청, 녹색파장의 발광스펙트럼을 모두 갖는 백색 형광박막이 적층되어 형성된 우수한 색순도를 갖는 백색 발광 EL 평판 표시소자를 구현하도록 한 것이다.
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公开(公告)号：KR100148067B1
公开(公告)日：1998-11-02
申请号：KR1019950008890
申请日：1995-04-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/306
Abstract: 본 발명은 결정의존성 습식식각을 이용하여 제조된 실리콘 팁 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 특히 (110) 면지수를 갖는 단결정 실리콘 기판에 대해 결정의존성 식각을 행하여 기둥모양을 갖는 실리콘 구조물을 행하고, 이 기둥의 끝부분을 뾰족하게 함으로써 전계방출소자용 실리콘 팁 어레이의 제조에 응용할 수 있도록 한 것이다.
본 발명에 의한 실리콘 팁은 바늘(needle) 모양을 하고 있으며, 제조방법은 먼저 (110) 실리콘 기판상에 결정방향을 고려하여 평행사변형 또는 사각형의 식각마스크를 형성한 뒤, 이를 결정의존성 식각하고, 다음으로 샤프닝(sharpening) 공정을 통하여 팁을 제작하는 것으로, 팁의 밑 부분이 차지하는 면적이 작아지게 되므로, 고밀도 팁 어레이를 제작할 수 있으며, 아울러 팁의 종횡비를 매우 크게 할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019970071984A
公开(公告)日：1997-11-07
申请号：KR1019960011383
申请日：1996-04-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01J1/30
Abstract: 본 발명에 의한 전계방출표시소자(field emission display : FED) 및 그 제조방법은, 기판 상에 소정 패턴의 식각 마스크를 형성하는 공정과; 상기 식각마스크를 이용하여 기판을 식각하여, 기판의 중앙 부분에는 끝이 뾰족한 “V”형 모양의 홈이 형성되고, 그 좌/우측 부분에는 밑면이 평평한 “V”형 모양의 홈이 형성된 구조의 실리콘 모울드를 형성한 후, 식각마스크를 제거하는 공정과; 상기 실리콘 모울드 상에 기능성 박막을 증착하여 모울드 내를 채우는 공정 및; 상기 실리콘 모울드를 제거하여, 기능성 박막 재질의 기판 상에 스페이서와 마이크로-팁 어레이를 동시에 형성하는 공정으로 이루어져, 1) 스페이서 제조를 위한 별도의 공정이 불필요하고, 2) 실리콘 모울드의 깊이나 폭 등의 조절에 의해 스페이서의 높이나 폭 등을 임의로 조절할 수 있고, 3) 스페이서-팁 간의 거리를 최소화할 수 있어 소자의 패키징 밀도(packaging density)를 높일 수 있으며, 4) 형광층이 형상된 유리기판과의 접합을 통하여 용이하게 표시소자를 제작할 수 있게 된다.
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