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公开(公告)号：KR101318236B1
公开(公告)日：2013-10-15
申请号：KR1020120059373
申请日：2012-06-01
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C01B32/25 , B01J19/087 , C01P2004/60 , C30B29/04
Abstract: PURPOSE: A method for controlling the particle size of a diamond crystal and an apparatus using the same are provided to selectively control the intensity of the electric field between anode and cathode by controlling an inter-electrode distance, thereby easily controlling the particle size of the diamond crystal. CONSTITUTION: A method for controlling the particle size of a diamond crystal controls an interelectrode electric field by converting a precursor gas to electrons and ions for synthesizing the diamond crystal after by supplying power to cathode and anode. The particle size of the diamond crystal becomes smaller if the electric field between the anode and the cathode becomes larger. The particle size of the diamond crystal becomes larger if the electric field between the anode and the cathode becomes smaller.
Abstract translation: 目的：提供一种用于控制金刚石晶体的粒度的方法及使用其的装置，通过控制电极间距离来选择性地控制阳极和阴极之间的电场强度，从而容易地控制 钻石水晶。 构成：用于控制金刚石晶体的粒度的方法通过将前体气体转化为电子和离子来控制电极间电场，以通过向阴极和阳极供电来合成金刚石晶体。 如果阳极和阴极之间的电场变大，则金刚石晶体的粒径变小。 如果阳极和阴极之间的电场变小，则金刚石晶体的粒径变大。
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公开(公告)号：KR101303868B1
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：KR1020110104609
申请日：2011-10-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H04N9/07 , H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14647
Abstract: 컬러 이미지 센서가 개시된다. 본 발명의 일 태양에 따르면, 하부 전극, 상부 전극, 하부 전극과 상부 전극 사이에 위치한 칼코지나이드 소재를 포함하는 감광소자; 및 상기 감광 소자에서 발생한 전기적 특성값에 기반하여 입사한 빛의 파장 또는 세기를 측정하는 이미지 센싱 회로를 포함하는, 컬러 이미지 센서가 개시된다. 또한 이미지 센싱 회로는, 감광 소자에 가변 전원을 공급하는 전원 공급 장치; 가변 전원에 동기화되어, 감광 소자에서 발생한 전기적 특성값을 저장하는 복수의 저장소자; 복수의 저장소자 각각에 저장된 전기적 특성값에 기반하여, 입사한 빛의 파장 또는 세기를 측정하는, 컬러 이미지 센서가 개시된다.
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公开(公告)号：KR101299132B1
公开(公告)日：2013-08-22
申请号：KR1020110144676
申请日：2011-12-28
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L31/186 , B82Y15/00 , G01N21/554 , G01N33/54373 , G02B5/008 , H01L31/0324 , H01L31/18
Abstract: 국소 표면 플라즈몬 공진(Localized Surface Plasmon Resonance) 센서는 칼코지나이드 재료로 이루어지는 국소 표면 플라즈몬 여기층을 포함할 수 있다. 칼코지나이드 재료는, 셀레늄(Se) 및 테룰륨(Te) 중 하나 이상을 포함하는 제1 재료; 및 게르마늄(Ge) 및 안티모니(Sb) 중 하나 이상을 포함하는 제2 재료를 포함할 수 있다. 국소 표면 플라즈몬 여기층은, 칼코지나이드 재료로 이루어지는 박막을 형성하고, 박막에 레이저를 조사하여 이를 미리 결정된 형상으로 결정화함으로써 제조될 수 있다.
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公开(公告)号：KR101259382B1
公开(公告)日：2013-04-30
申请号：KR1020117012409
申请日：2008-11-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L41/113 , H01L41/08
CPC classification number: F03G7/065
Abstract: 초소형 작동기로서, 일단이 고정된 기판과, 상기 기판 위에 증착된, 상변화시 상변화 속도, 변형율 및 응력이 큰 상변화 막과, 상기 상변화 물질 막 위에 증착된 보호 절연막과, 상기 상변화 막의 상변화를 유도하기 위한 열에너지 공급을 위한 전류 펄스 공급장치를 포함하고, 상기 상변화 막의 상변화에 따른 그 부피 및 잔류응력의 변화로 상기 기판의 타단을 움직이도록 하는 것을 특징으로 한다. 상변화 막은 칼코지나이드 상변화 물질로 형성된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170025471A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020150121950
申请日：2015-08-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명에따른초박형실리콘태양전지를위한비대칭적나노격자구조는경사증착법에의해대칭형나노격자를갖는실리콘을소정각도만큼경사지게위치시킨후, 실리콘후면에유전체를증착시켜실리콘과유전체의복합체형태의비대칭적나노격자구조를갖도록하되, 실리콘의전면에유전체의나노콘형태의무반사막을배치시켜전기적인손실을저감하면서동시에광포집효과를극대화할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020160146126A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：KR1020150082816
申请日：2015-06-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0392 , H01L21/3065 , H01L21/3105
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은반도체기판상에저융점금속을증착하는단계, 상기저융점금속이증착된기판을건식에칭하는단계및 상기건식에칭된기판으로부터상기금속을제거하는단계를포함하는반도체기판의텍스쳐링방법, 이방법에따라제조된반도체기판및 이를포함하는태양전지를제공한다. 본발명에따르면경제적이고, 풀웨이퍼(full wafer) 스케일의대면적응용이가능한반도체기판의텍스쳐링방법을제공할수 있고, 이렇게제조된반도체기판의경우광흡수율이우수하며초박형태양전지에적용이가능하다.
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公开(公告)号：KR101449655B1
公开(公告)日：2014-10-13
申请号：KR1020130004469
申请日：2013-01-15
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 광 감지 센서는, 제1 인터디지테이티드(interdigitated) 전극; 제2 인터디지테이티드 전극; 및 상기 제1 인터디지테이티드 전극 및 상기 제2 인터디지테이티드 전극 각각과 접촉하는 광전도층을 포함할 수 있다. 상기 광전도층에 입사된 입사광에 의해, 상기 제1 인터디지테이티드 전극과 상기 광전도층의 계면 및 상기 제2 인터디지테이티드 전극과 상기 광전도층의 계면에 표면 플라즈몬 플라리톤(surface plasmon polariton)이 여기될 수 있다. 표면 플라즈몬 폴라리톤에 의하여 광전도층의 광흡수가 특정 파장 대역에서 증폭될 수 있으며, 이를 이용하여 해당 파장 대역에서 광흡수를 나타내는 물질을 민감하게 감지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020140092123A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：KR1020130004469
申请日：2013-01-15
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G02B6/1226 , G01J3/18 , G01N21/553 , G02B6/124
Abstract: An optical detection sensor includes a first interdigitated electrode; a second interdigitated electrode; and an optical conduction layer which is in contact with each of the first and second interdigitated electrodes. Due to incident light inputted into the optical conduction layer, surface plasmon polaritons can be excited on the interface between the first interdigitated electrode and optical conduction layer, and interface between the second interdigitated electrode and optical conduction layer. The optical absorption of the optical conduction layer can be amplified at a specific wavelength range due to the surface plasmon polaritons and a material which shows optical absorption in the corresponding wavelength range can be sensitively detected using the same.
Abstract translation: 光学检测传感器包括第一叉指电极; 第二交叉电极; 以及与所述第一和第二叉指电极中的每一个接触的光导体层。 由于入射到光导层中的入射光，表面等离子体激元可以在第一叉指电极与光导体层之间的界面上激发，也可以在第二交叉电极与光导体层之间进行界面激发。 由于表面等离子体激元，可以在特定的波长范围内放大光导体层的光吸收，并且可以使用相同的波长范围来显示光吸收的材料。
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40.发明公开나노 결정질 다이아몬드를 이용한 감쇠전반사형 도파로 모드 공진 센서 및 나노 결정질 다이아몬드로 이루어진 도파로의 제조 방법 有权使用纳米金刚石的衰减总反射型波形谐振传感器和制造纳米晶金刚石波导的方法
公开(公告)号：KR1020140045001A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：KR1020120110684
申请日：2012-10-05
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G01N21/552 , C23C16/277 , G01N21/27 , G02B6/10
Abstract: An attenuated total reflection (ATR) type waveguide mode resonance sensor comprises a waveguide layer being in contact with a sample and formed of nanocrystalline diamond (NCD). The incident angle of incident light causing standing waves on the waveguide layer can be measured by the incident light entered into the ATR type waveguide mode resonance sensor. The waveguide formed of the NCD is formed by a hot filament chemical vapor deposition process using hydrocarbon-containing material gas. At this time, the crystal grain size of the NCD can be controlled by adjusting at least one among a substance temperature, a distance between a filament and a substance, and a hydrocarbon rate contained in the material gas. [Reference numerals] (AA) P-wave / TM mode; (BB) S-wave / TE mode
Abstract translation: 衰减全反射（ATR）型波导模式共振传感器包括与样品接触并由纳米晶体金刚石（NCD）形成的波导层。 可以通过入射到ATR型波导模式共振传感器的入射光来测量在波导层上产生驻波的入射光的入射角。 由NCD形成的波导通过使用含烃材料气体的热丝化学气相沉积法形成。 此时，可以通过调节物质温度，细丝与物质之间的距离和材料气体中所含的烃速率中的至少一种来控制NCD的晶粒尺寸。 （附图标记）（AA）P波/ TM模式; （BB）S波/ TE模式
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