면저항이 낮은 탄소나노튜브 투명전도성 박막 및 그 제조방법
    31.
    发明授权
    면저항이 낮은 탄소나노튜브 투명전도성 박막 및 그 제조방법 有权
    碳纳米管透明导电薄膜,具有低耐磨性及其制造方法

    公开(公告)号:KR101176955B1

    公开(公告)日:2012-08-30

    申请号:KR1020100079002

    申请日:2010-08-16

    Abstract: 본 발명은 투명전도성 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 탄소나노튜브를 포함하는 투명전도성 박막에 탄소나노섬유를 성장시켜 전기전도도를 향상시킨 투명전도성 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 탄소나노튜브 투명전도성 박막은 탄소나노튜브들을 포함하는 시트, 상기 탄소나노튜브들에서 성장한 탄소나노섬유들 및 상기 탄소나노섬유의 일단에 위치하는 촉매를 포함하여 이루어질 수 있고, 본 발명의 탄소나노튜브 투명전도성 박막의 제조방법은 (1) 탄소나노튜브들을 포함하는 시트를 형성하는 단계, (2) 상기 시트 상에 촉매 입자 또는 촉매를 포함하는 박막을 형성하는 단계 및 (3) 고온에서 탄화수소를 포함하는 가스를 공급하여 상기 탄소나노튜브에 탄소나노섬유를 성장시키는 단계를 포함하거나, (a) 탄� �나노튜브들과 촉매 성분을 포함하는 혼합용액을 준비하는 단계, (b) 상기 혼합용액을 스프레이 코팅하여 시트를 형성하는 단계 및 (c) 고온에서 탄화수소를 포함하는 가스를 공급하여 상기 탄소나노튜브에 탄소나노섬유를 성장시키는 단계를 포한하여 이루어질 수 있다.

    면저항이 낮은 탄소나노튜브 투명전도성 박막 및 그 제조방법
    32.
    发明公开
    면저항이 낮은 탄소나노튜브 투명전도성 박막 및 그 제조방법 有权
    碳纳米管透明导电薄膜,具有低耐磨性及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020120016545A

    公开(公告)日:2012-02-24

    申请号:KR1020100079002

    申请日:2010-08-16

    CPC classification number: H01B1/04 G06F3/041 G06F2203/04103 H01B5/14

    Abstract: PURPOSE: A transparent conductive thin film is provided to improve the electric conductivity by reducing contact resistance between carbon nanotubes. CONSTITUTION: A transparent conductive thin film comprises a sheet containing carbon nanotubes(1), carbon nanofibers(5) grown from the carbon nanotubes, and a catalyst in one end of the carbon nanofibers. The manufacturing method of the transparent conductive thin film comprises: a step of forming the sheet containing carbon nanotubes; a step of forming catalyst particles(4) or a thin film containing the catalyst on the sheet; and a step of growing carbon nanofiber in the carbon nanotubes by supplying gas including hydrocarbon.

    Abstract translation: 目的:提供透明导电薄膜,通过降低碳纳米管之间的接触电阻来提高导电性。 构成:透明导电薄膜包括含有碳纳米管(1)的片材,由碳纳米管生长的碳纳米纤维(5)和碳纳米纤维一端的催化剂。 透明导电薄膜的制造方法包括:形成含有碳纳米管的片材的工序; 在片材上形成催化剂颗粒(4)或含有催化剂的薄膜的步骤; 以及通过供给包括烃的气体在碳纳米管中生长碳纳米纤维的步骤。

    Sn 또는 Ce 이온이 첨가된 용해 납 레독스 흐름 배터리용 전해액 및 이를 포함하는 전지
    33.
    发明公开
    Sn 또는 Ce 이온이 첨가된 용해 납 레독스 흐름 배터리용 전해액 및 이를 포함하는 전지 有权
    SN或CE电解电容器,用于可溶性铅酸还原剂流动电池和包含该电池的电池

    公开(公告)号:KR1020110092860A

    公开(公告)日:2011-08-18

    申请号:KR1020100012528

    申请日:2010-02-10

    Abstract: PURPOSE: An Sn or Ce ion-added electrolytes for soluble lead redox flow battery and batteries comprising the same are provided to control the discharge time by controlling the crystallinity and the micro structure of a Pb layer or PbO2 layer formed on an electrode in the charge of a soluble lead redox flow battery. CONSTITUTION: Sn or Ce ions are added to electrolytes for soluble lead redox flow battery, wherein the supply source of Sn ions is sulfonic acid tin and the supply source of Ce ions is carium carbonate. The concentration of Sn or Ce ions is 0.005~0.02M. A soluble lead redox flow battery comprises a cell including a positive electrode and a negative electrode, a tank storing the electrolyte for a soluble lead redox flow battery, and a pump circulating the electrolyte into the cell.

    Abstract translation: 目的:提供用于可溶性铅氧化还原液流电池的Sn或Ce离子添加电解质和包含该电解质的电池的电池,通过控制电荷中形成的Pb层或PbO 2层的结晶度和微结构来控制放电时间 的可溶性铅氧化还原液流电池。 构成:将Sn或Ce离子添加到可溶性铅氧化还原液流电池的电解质中,其中Sn离子的供给源是磺酸锡,Ce离子的供给源是碳酸铯。 Sn或Ce离子浓度为0.005〜0.02M。 可溶性铅氧化还原液流电池包括含有正极和负极的电池,储存可溶性铅氧化还原液流电池的电解质的容器,以及将电解质循环到电池中的泵。

    압전 기판을 이용한 투명 터치 패널 및 그 제조 방법
    34.
    发明公开
    압전 기판을 이용한 투명 터치 패널 및 그 제조 방법 有权
    使用压电基片的透明触摸屏及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020100065816A

    公开(公告)日:2010-06-17

    申请号:KR1020080124376

    申请日:2008-12-09

    Inventor: 최원국 박동희

    CPC classification number: G06F3/0414 G06F3/047 H01B5/14 H01H35/28

    Abstract: PURPOSE: A transparent touch panel and a manufacturing method using a piezoelectric substrate are provided to form a patterned transparent oxide layer which is deposited on a compliant piezoelectricity macromolecular film, thereby realizing a touch panel with a simple structure. CONSTITUTION: An insulating layer(202) is formed on a display layer(200). A piezoelectric substance substrate(204) is formed on the insulating layer by a PVDF film. A transparent conductive layer(206) is formed on a section or both sides of the PVDF film. A location is measured by sensing an electric potential difference signal generated to which pressure is applied on the transparent conductive film. A touch panel layer is made by forming the transparent conductive layer formed with channels and a transparent insulating layer(208) on the piezoelectric substance substrate.

    Abstract translation: 目的:提供一种透明触摸面板和使用压电基板的制造方法,以形成图案化的透明氧化物层,其沉积在柔性压电性大分子膜上,从而实现具有简单结构的触摸面板。 构成:在显示层(200)上形成绝缘层(202)。 通过PVDF膜在绝缘层上形成压电体基板(204)。 在PVDF膜的截面或两面上形成透明导电层(206)。 通过感测产生的压力施加在透明导电膜上的电位差信号来测量位置。 通过在压电体基板上形成通道透明导电层和透明绝缘层(208)来形成触摸屏层。

    고밀착력 무접착제 연성 회로기판 및 이의 연속적 제작방법
    35.
    发明公开
    고밀착력 무접착제 연성 회로기판 및 이의 연속적 제작방법 有权
    具有高粘合性的柔性铜箔层压板,无粘接和连续制造

    公开(公告)号:KR1020090066563A

    公开(公告)日:2009-06-24

    申请号:KR1020070134160

    申请日:2007-12-20

    CPC classification number: H05K3/389 H05K1/056 H05K2201/0154 H05K2203/095

    Abstract: A high-adherent non-adhesive flexible printed circuit board and a method for manufacturing successively the same are provided to reduce an undercut and an aspect ratio of a copper layer in an etch process by preventing thermal diffusion of Cu and enhancing a heat-resisting property. A high-adherent non-adhesive flexible printed circuit board includes a two-layer flexible printed circuit board. The two-layer flexible printed circuit board includes a polyimide substrate, a copper seed layer, and a copper thin film layer. The copper seed layer and the copper thin film layer are formed on the polyimide substrate. The two-layer flexible printed circuit board includes a first layer as an adhesive layer and a second layer. The first layer includes Ti. The second layer includes Ni. The two-layer flexible printed circuit board has initial adhesive strength of 1kgf/cm and more. The two-layer flexible printed circuit board has high adhesive strength of 0.6kgf/cm and more.

    Abstract translation: 提供了一种高附着性的非粘性柔性印刷电路板及其制造方法,以通过防止Cu的热扩散并提高耐热性来减少蚀刻工艺中铜层的底切和纵横比 。 高粘合性非粘性柔性印刷电路板包括双层柔性印刷电路板。 双层柔性印刷电路板包括聚酰亚胺基底,铜籽晶层和铜薄膜层。 在聚酰亚胺基板上形成铜籽晶层和铜薄膜层。 双层柔性印刷电路板包括作为粘合剂层的第一层和第二层。 第一层包括Ti。 第二层包括Ni。 双层柔性印刷电路板的初始粘合强度为1kgf / cm以上。 双层柔性印刷电路板的粘合强度高达0.6kgf / cm以上。

    폴리머 모재 상의 금속박막 증착방법
    36.
    发明授权
    폴리머 모재 상의 금속박막 증착방법 失效
    金属薄膜沉积在聚合物基材料上的技术

    公开(公告)号:KR100802986B1

    公开(公告)日:2008-02-14

    申请号:KR1020060033717

    申请日:2006-04-13

    Inventor: 송종한 최원국

    CPC classification number: C23C14/20

    Abstract: 본 발명은 폴리머 모재 상의 금속박막 증착방법에 관한 것으로서, 금속박막을 증착하기 이전에 수 ~ 수백 keV의 에너지를 갖는 고 선속 금속이온 조사(high flux metal ion irradiation)를 통한 폴리머 모재의 표면 세정(surface cleaning), 이온빔의 에너지 전달에 의한 상기 모재의 표면 개질(surface modification), 금속이온주입에 의한 계면 원자간 친화력 활성층 형성 등의 효과와 연속 일괄 증착공정을 통해 금속박막을 형성함으로써, 증착된 금속박막간의 계면 접착력(interface adhesion)의 향상은 물론, 별도의 화학세정 전처리 공정을 수행하지 않아도 되므로 공정 단순화를 도모할 수 있는 폴리머 모재 상의 금속박막 증착방법에 관한 것이다.
    폴리머 모재, 금속박막 증착방법, 표면 세정, 표면 개질, 고 선속 이온원, 계면 접착성

    저에너지 및 고전력 이온빔을 이용한 고분자 표면의접착력 향상 방법
    37.
    发明授权
    저에너지 및 고전력 이온빔을 이용한 고분자 표면의접착력 향상 방법 有权
    通过非常低的能量和高功率离子束辐照改善聚合物膜的强度的方法

    公开(公告)号:KR100632394B1

    公开(公告)日:2006-10-12

    申请号:KR1020040017150

    申请日:2004-03-13

    Abstract: 본 발명은 200eV 정도의 저에너지와 100mW/cm
    2 정도의 고전력 이온빔을 사용하여 고분자 표면을 짧은 시간안에 표면처리하여 금속에 대한 접착력을 향상시키는 방법에 관한 것이다. 혼합 이온빔 내지는 고 이온전류 밀도의 산소, 아산화 질소 이온빔을 고분자 표면에 조사하여 짧게는 1초 내외의 5×10
    15 /cm
    2 정도의 작은 이온 조사량을 사용하여 증류수에 대한 접촉각을 2
    o 미만으로 낮추고, 표면 에너지를 42 mN/m에서 81 mN/m 까지 증가시킨다. 특히, 표면처리된 고분자 표면과 금속의 접착력을 0.8 kgf/cm이상으로 향상시켜 접착층이 없는 우수한 FCCL의 제작이 가능하게 되었다.
    초저에너지 이온빔, 혼합이온빔, 폴리이미드, 연성회로 기판, 접촉각, 표면 에너지, 접착력

    고품질 박막 증착을 위한 황산을 이용한 사파이어 기판전처리 방법
    38.
    发明公开
    고품질 박막 증착을 위한 황산을 이용한 사파이어 기판전처리 방법 失效
    通过使用硫酸来制备高质量薄膜的锑底物的预处理方法

    公开(公告)号:KR1020050041123A

    公开(公告)日:2005-05-04

    申请号:KR1020030076164

    申请日:2003-10-30

    Abstract: 본 발명은 고품질의 박막을 증착하기 위하여 황산 (H
    2 SO
    4 ) 용액을 이용하여 사파이어 기판을 전처리하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따를 경우 표면이 평탄하고 표면의 평균 조도 (surface RMS roughness)가 0.20 nm 이하로 매우 매끄러우며 피트 (pit)가 없는 우수한 표면을 갖는 기판을 얻을 수 있다. 또한, 이러한 기판을 이용하여 박막을 증착시 기판에 의한 영향을 최소화할 수 있다.

    아연산화물 반도체 제조 방법
    40.
    发明公开
    아연산화물 반도체 제조 방법 有权
    制备氧化锌半导体的方法

    公开(公告)号:KR1020020077557A

    公开(公告)日:2002-10-12

    申请号:KR1020010017301

    申请日:2001-04-02

    Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a zinc oxide semiconductor is provided to improve an electric characteristic by activating a dopant included in a zinc oxide layer. CONSTITUTION: A zinc oxide layer including a dopant is deposited on a silicon substrate or a sapphire substrate. In order to from an n type zinc oxide semiconductor, the dopant selected from a group of Al, In, Ga, and B or an oxide including Al, In, Ga, and B is added to the zinc oxide layer. In order to from a p type zinc oxide semiconductor, the dopant selected from a group of Li, Na, K, N, P, As, and Ni or an oxide including Li, Na, K, N, P, As, and Ni is added to the zinc oxide. The substrate including the zinc oxide layer is loaded into a thermal processing reactor. The dopant of the zinc oxide layer is activated by performing the thermal process for the zincs oxide layer under atmosphere of one element selected from H, O, N, Ar, NO, N2O, and NO2 gas.

    Abstract translation: 目的:提供一种制造氧化锌半导体的方法,以通过激活包含在氧化锌层中的掺杂剂来改善电特性。 构成:包含掺杂剂的氧化锌层沉积在硅衬底或蓝宝石衬底上。 为了从n型氧化锌半导体中,将选自Al,In,Ga和B的掺杂剂或包含Al,In,Ga和B的氧化物添加到氧化锌层中。 为了从ap型氧化锌半导体,选自Li,Na,K,N,P,As和Ni中的掺杂剂或包含Li,Na,K,N,P,As和Ni的氧化物是 加入到氧化锌中。 将包含氧化锌层的基板装载到热处理反应器中。 通过在选自H,O,N,Ar,NO,N 2 O和NO 2气体中的一种元素的气氛下进行氧化锌层的热处理来激活氧化锌层的掺杂剂。

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