Abstract:
강유전체 박막을 이용한 PBG 구조의 위상 변위기에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 위상 변위기는 마이크로파의 입출력 선로를 구성하는 마이크로스트립 전송 선로와, 상기 마이크로스트립 전송 선로상에 일정 간격으로 배치되어 있는 복수의 가변 축전기를 구비한다. 상기 기판상에는 상기 가변 축전기에 DC 전압을 인가하기 위하여 전극이 형성되어 있고, 고주파 RF 신호가 DC 바이어스 단으로 흘러 들어가는 것을 차단할 수 있도록 상기 전극과 상기 마이크로스트립 전송 선로 사이에는 RF 초크 및 λ/4 래디얼 스터브(radial-stub)가 연결되어 있다. 상기 기판의 접지면에는 복수의 PBG (photonic band gap)가 주기적으로 형성되어 있다. 강유전체 박막, IDT, 축전기, PBG, 위상 변위기
Abstract:
PURPOSE: A terahertz receiver and a receiving method of terahertz signals using the same are provided to have high sensitivity signal-receiving performance by combining terahertz signals arrayed by a photoelectric conversion. CONSTITUTION: A plurality of terahertz wave detectors (111-113) detects terahertz band signals from received signals. A plurality of light signal processers (120,130,140) converts the detected terahertz signals into optical signals. An optical coupler (150) couples the converted optical signals to one optical signal. A photoelectric conversion diode (160) converts the integrated optical signal into an electric signal. An amplifier (170) amplifies the electric signal. [Reference numerals] (111,112,113) Terahertz wave detector; (121,131,141) Light source; (122,132,142) Light modulator; (123,133,143) Light amplifier; (150) Optical coupler; (160) Photoelectric conversion diode; (170) Amplifier; (AA) Received signal
Abstract:
PURPOSE: A waveguide type photomixer is provided to reduce a moving distance of an electron-hole pair and a RC time constant. CONSTITUTION: A waveguide type photomixer(100) includes a substrate(101), a buffer layer(102), a first cladding layer(107), an absorber(110), a second clad layer(108), a contact layer(109), a first electrode unit(103), and a second electrode unit(104). The absorber is formed between the first clad layer and the second clad layer. If the absorber forms a junction area smaller than the first clad layer and the second clad layer, a RC time constant, which determines an operation speed of the photo mixer, becomes smaller and the operation speed of the photo mixer increases.
Abstract:
본 발명은 광전도 안테나에 실리콘 볼렌즈가 일체화된 테라헤르츠파 송수신 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 실리콘 볼렌즈를 광전도 안테나에 일체화시키고, 실리콘 볼렌즈와 일체화된 광전도 안테나에 집속 렌즈를 정렬시켜 하나의 완전하고 독립된 테라헤르츠파 송수신 모듈을 구현함으로써, 간단한 구조에 의해 테라헤르츠파를 안정적으로 발생시키거나 측정할 수 있는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 따르면 테라헤르츠파 발생 및 측정 시스템의 단순화 및 소형화를 도모할 수 있다. 테라헤르츠파, 광전도 안테나, 실리콘 볼렌즈, 정렬
Abstract:
본 발명의 폴디드 다이폴 안테나는 광전도 기판 상에 구불구불한 형태로 형성된 미앤더 라인(meander line)으로 이루어져 있으며, 상기 미앤더 라인의 수평방향 길이, 라인 간격, 폭 및 라인 개수의 최적화에 의해 종래의 다이폴 안테나 보다 훨씬 높은 수 kΩ의 입력 임피던스를 갖는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명의 폴디드 다이폴 안테나를 이용하면 10kΩ 이상의 출력 임피던스를 갖는 포토믹서와의 임피던스 정합 특성이 크게 향상되므로, 테라헤르츠 연속파의 출력을 크게 향상시킬 수 있다. 테라헤르츠 대역 연속파(terahertz continuous wave), 포토믹서(photomixer), 폴디드 다이폴 안테나(folded dipole antenna), 입력 임피던스(input impedance), 출력 임피던스(output impedance), 스트립(strip)
Abstract:
PURPOSE: An integrated antenna device module for generating terahertz continuous waves and a fabrication method thereof are provided to reduce the resolution limit of an optical lens by using an existing optical lens as a metamaterial lens. CONSTITUTION: A photoconductive antenna(10) of an integrated antenna device module for generating terahertz continuous waves comprises a photoconductive thin film pattern(11), a metal electrode(12), and a focusing meta material lens(13) for controlling three-dimensional images of an object using high resolution. A substrate is high resistant silicon or InP(Indium Phosphide). The metal electrode applies a DC bias voltage to the photoconductive thin film pattern. The photoconductive thin film pattern is deposited on a front surface of the substrate. The photoconductive thin film pattern irradiates tera-herts continuous waves according to the incidence of the femto second laser pulse having the pulse time of an ultrashort pulse.
Abstract:
PURPOSE: A device and a method for generating a continuous terahertz wave are provided to suppress an optical carrier by a polarization feature of a light source. CONSTITUTION: An optical carrier providing unit(110) provides two optical carriers of a single wavelength. A light intensity modulating unit(120) receives one from the two optical carriers. The light intensity modulating unit generates a DSBSC(Double Sideband-Suppressed Carrier) signal including a DSB(Double Sideband) signal and a suppressed optical carrier. An extraction unit(130) receives the other one among the two optical carriers. The extraction unit extracts an optical carrier of a single polarization component. An optical coupler couples an optical carrier of a single polarization component with the DSB-SC signal.
Abstract:
PURPOSE: A THz wave Tx/Rx module package and a manufacturing method thereof are provided to simply array a silicon ball lens, a photoconductive antenna and a condensing lens to high precision. CONSTITUTION: A silicon ball lens(230) is arranged in the lower of a substrate. A condensing lens(240) condenses a femtosecond laser pulse. A condensing lens arranging device(250) arranges the condensing lens in the active area central part of the photoconductive antenna. Upper and lower fixing parts(260a,260b) open perpendicular upper and lower part of the active area of the photoconductive antenna. Upper and lower covers(270a,270b) shut the opened area of the upper and lower fixing parts.
Abstract:
A paraelectric thin film for a super high frequency turnable device and a super high frequency turnable device comprising the same are provided to obtain high tuning ratio and low dielectric loss by using an improved paraelectric thin film. A paraelectric thin film for a super high frequency turnable device includes an oxide single crystalline substrate(10) and a paraelectric film(20) formed on the oxide single crystalline substrate. The paraelectric film is one selected from a group consisting of Ba(Zrx, Ti1-x)O3 (0
Abstract:
수평 구조의 가변 축전기 및 이를 구비한 초고주파 가변 소자에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 초고주파 가변 소자는 기판과, 상기 기판상에 형성된 신호선과, 상기 신호선의 양측에서 상기 신호선의 길이 방향을 따라 주기적으로 형성되어 있는 복수의 가변 축전기와, 상기 가변 축전기에 DC 전압을 인가하기 위하여 상기 기판상에 형성되어 있는 전극을 포함한다. 상기 가변 축전기는 상기 기판상에 형성된 유전체막과, 상기 기판상에서 상기 유전체막의 양 측에 각각 형성된 제1 축전기 전극 및 제2 축전기 전극을 구비하고, 상기 제1 축전기 전극, 유전체막, 및 제2 축전기 전극이 차례로 상기 기판에 평행하게 배열되어 있다. 가변 축전기, 초고주파 가변 소자, 분포 정수형 아날로그 위상 변위기, 수평 구조