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公开(公告)号：KR1020040054072A
公开(公告)日：2004-06-25
申请号：KR1020020080706
申请日：2002-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/12
CPC classification number: H01S5/06258 , H01S5/0657
Abstract: PURPOSE: An ultrahigh frequency pulse light source device is provided to form a multi-region distributed feedback laser diode with one chip by forming a phase control region between two kinds of distributed feedback laser diodes. CONSTITUTION: Two DFB regions(2,4) corresponds to one device. A phase control region(6) is arranged between the DFB regions. A plurality of diffraction grids(12,18) are formed in the inside of the DFB regions, respectively. The diffraction grids are symmetrically arranged to each other. A plurality of active layers(14,16) are connected to both sides of a waveguide core(20) of the phase control region. Brag wavelengths of the DFB regions are detuned.
Abstract translation: 目的：提供超高频脉冲光源器件，通过在两种分布式反馈激光二极管之间形成相位控制区域，形成具有一个芯片的多区域分布反馈激光二极管。 构成：两个DFB区域（2,4）对应于一个设备。 在DFB区域之间布置有相位控制区域（6）。 分别在DFB区域的内部形成多个衍射栅极（12,18）。 衍射栅格彼此对称排列。 多个有源层（14,16）连接到相位控制区域的波导芯（20）的两侧。 DFB区域的波长波长失谐。
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公开(公告)号：KR100427581B1
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：KR1020020009177
申请日：2002-02-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/1014 , H01S5/1032 , H01S5/106 , H01S5/2081 , H01S5/227 , H01S5/2275 , H01S5/34373
Abstract: The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor optical device. The present invention discloses a method of manufacturing an optical device of a planar buried heterostructure (PBH) type by which an active layer region of a taper shape at both ends is patterned, an undoped InP layer is selectively grown in order to reduce the propagation loss and two waveguides are simultaneously formed by means of a self-aligned method, thus simplifying the process to increase repeatability and yield.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造半导体光学器件的方法。 本发明公开了一种制造平面埋入式异质结构（PBH）型光学器件的方法，通过该光学器件在两端形成锥形形状的有源层区域，选择性生长未掺杂的InP层以降低传播损耗 并且通过自对准方法同时形成两个波导，从而简化了工艺以提高可重复性和产量。
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公开(公告)号：KR1020020071141A
公开(公告)日：2002-09-12
申请号：KR1020010011091
申请日：2001-03-05
IPC: G02B6/42
CPC classification number: H01S5/10 , G02B6/1228 , G02B6/136
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an optical device with a zero-defects and nonreflective spot-size converter are provided to reduce the reflectance and detect on a butt-joint portion. CONSTITUTION: A first clad layer(32), an active layer(33), and a second clad layer(34) are sequentially layered on (100)-surface of a semiconductor substrate(31). A double dielectric mask(35a,36) having a stacked structure is formed on the second clad layer(34), for opening one end of the second clad layer(34). By using the double dielectric mask(35a,36), the first clad layer(32), the active layer(33), and the second clad layer(34) are etched to a buried ridge structure, thereby exposing A-surface of the active layer(33), which is inclined at a predetermined angle toward (100)surface. A spot-size conversion region is grown on A-surface of the active layer(33). The double dielectric mask(35a,36) is removed.
Abstract translation: 目的：提供一种制造具有零缺陷和非反射点尺寸转换器的光学器件的方法，以减少反射率并在对接部分上检测。 构成：在半导体衬底（31）的（100）表面上顺序层叠第一覆盖层（32），有源层（33）和第二覆盖层（34）。 在第二覆盖层（34）上形成具有堆叠结构的双电介质掩模（35a，36），用于打开第二覆层（34）的一端。 通过使用双电介质掩模（35a，36），将第一覆盖层（32），有源层（33）和第二覆盖层（34）蚀刻成埋入脊结构，从而使 活性层（33）以朝向（100）表面倾斜预定角度。 在活性层（33）的A面上生长点尺寸转换区域。 去除双电介质掩模（35a，36）。
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公开(公告)号：KR1019990042428A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970063248
申请日：1997-11-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 인듐갈륨비소(InGaAs)/갈륨비소(GaAs) 양자세선(quantum wire)을 수직으로 적층(積層)시켜 양자효율을 증대시킬 수 있는 양자세선 구조를 제공한다. 본 발명에 의한 양자세선의 제조방법에 따르면 V-홈이 형성된 갈륨비소 기판상의 하부부분이 날카로운 형태를 가지는 V-홈이 형성되는 공정 조건으로 갈륨비소 장벽층을 형성하고, 그 위에 하부부분이 둥근 형태를 가지는 V-홈이 형성되는 공정조건으로 인듐갈륨비소 활성층을 복수회 교대로 성장하여 양자 세선을 제조한다. 이와 같은 방법에 의한 인듐갈륨비소(InGaAs)/갈륨비소(GaAs)의 적층 구조로 형성되는 양자 세선은 격자 부정합에 의한 스트레인 (strain)을 가지는 구조로서 양자세선 레이저 제작시 스트레인 효과에 의해 우수한 특성을 나타낸다.
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公开(公告)号：KR1019990024760A
公开(公告)日：1999-04-06
申请号：KR1019970046100
申请日：1997-09-08
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 양자세선 제조 방법에 관한 것으로, 특히 알루미늄비소(AlAs)층과 갈륨비소(GaAs)층이 교대로 적층된 구조에서 갈륨비소(GaAs)층에 V자형 홈을 만들고, 이를 이용하여 양자세선을 제조하는 방법에 관한 것이다.
양자세선의 제조는 전자빔 리소그라피법으로 형성된, 양자 효과를 가지는 서브 마이크로미터 이하 크기의 패턴을 이용한 방법으로 제조된다. 그러나 전자빔의 크기에 대한 한계와 리소그라피 공정에서 발생하는 결함으로 인해 양자 효율을 떨어뜨릴 뿐아니라, 제조 공정 상의 안정성, 재현성 및 고가의 비용이 문제시 되고 있다.
본 발명에서는 갈륨비소(GaAs) 기판을 이용하여 알루미늄비소(AlAs)층과 갈륨비소(GaAs)층을 교대로 성장시키고, 알루미늄(Al)의 자연 물성인 안정된 산화막을 이용하여 수 나노미터 크기의 마스크를 형성함으로써 갈륨비소(GaAs)층에 V자형 홈을 만들어, 저비용으로 고효율의 양자세선을 제조하는 방법을 제시한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980021302A
公开(公告)日：1998-06-25
申请号：KR1019960040114
申请日：1996-09-16
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 고밀도 양자 세선 제조 방법에 관한 것으로, 리소그라피와 식각 기술을 이용하여 도브-테일(Dove-tail) 형태의 기판을 제작하고, 완충층과 제1장벽층을 균일하게 형성한 후 3원 화합물 이상의 반도체 또는 2원 화합물 이하의 반도체를 이용하여 우물층을 형성하고, 제2장벽층을 형성하므로써 양자 세선을 이용한 고효율 저전류의 레이져를 제작할 수 있고, 고응답 소자 제작 및 상온에서 안정되게 작동하는 양자 소자의 제작에 응용할 수 있을 뿐 아니라 종래의 기술 및 설비의 변경없이 제조할 수 있으므로 경제적인 측면이나 기술적인 측면에서 부가가치를 높일 수 있는 고밀도 양자 소자 제조 방법이 개시된다.
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公开(公告)号：KR100133469B1
公开(公告)日：1998-04-23
申请号：KR1019940010638
申请日：1994-05-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02395 , H01L21/02433 , H01L21/02546 , H01L21/02639 , H01L21/30617
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公开(公告)号：KR102261735B1
公开(公告)日：2021-06-09
申请号：KR1020160090997
申请日：2016-07-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/737 , H01L29/08 , H01L29/66 , H01L29/417
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