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公开(公告)号：KR1020130055818A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：KR1020110121441
申请日：2011-11-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/122
CPC classification number: G02B6/125 , G02B6/132 , G02B6/136 , G02B6/4232 , H01L24/81
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method for an optical wave guide platform in which a monitoring photodiode is integrated in hybrid is provided to monitor the output light of an optical transmitter including optical combination loss generated when bonding a flip chip by bending the monitoring photodiode to an optical wave guide and bonding the flip chip in the upper side cladding layer of a leaky light area in which leaky light generates. CONSTITUTION: A manufacturing method for an optical wave guide platform in which a monitoring photodiode is integrated in hybrid includes the following steps. The lower side cladding layer(101) of an optical wave guide and a core layer(102) are mounted on a substrate(100). The core layer forms a wave guide pattern by using a photolithography and a dry-etching method. At this time, an optical leakage area(200) is formed in a part bending the core layer. The optical wave guide(20) of PLC is formed by depositing an upper side cladding layer(103) on an etched silica core layer(102). A trench is formed by using the photolithography and a dry-etching process in a PLC in which the optical wave guide is formed, and a terrace(104) in which an optical transmitter(30) is flip-chipped is formed. The optical transmitter is bonded in a flip chip bonding in the formed terrace. The monitoring photodiode is laminated on the upper cladding layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于混合监控光电二极管的光波导平台的制造方法，用于监视光发射机的输出光，其包括通过将监视光电二极管弯曲成光波而将倒装芯片接合时产生的光学组合损耗 引导和粘合泄漏光产生的漏光区域的上侧包覆层中的倒装芯片。 构成：其中监测光电二极管集成在混合动力系统中的光波导平台的制造方法包括以下步骤。 光波导的下侧包覆层（101）和芯层（102）安装在基板（100）上。 核心层通过使用光刻和干蚀刻方法形成波导图案。 此时，在将芯层弯曲的部分形成有光泄漏区域（200）。 PLC的光波导（20）通过在蚀刻的二氧化硅核心层（102）上沉积上侧包覆层（103）而形成。 通过在形成有光波导的PLC中使用光刻法和干法蚀刻工艺形成沟槽，并且形成其中将光发送器（30）倒装的露台（104）。 光学发射器在形成的露台中以倒装芯片结合。 监测光电二极管层叠在上包层上。
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公开(公告)号：KR101199301B1
公开(公告)日：2012-11-09
申请号：KR1020090027619
申请日：2009-03-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/10 , H01L21/02 , H01L21/265
Abstract: 화합물 반도체 소자의 형성 방법을 제공한다. 이 방법에 따르면, 기판 상에 언도프트 화합물 반도체막을 형성하고, 언도프트 화합물 반도체막 상에 도펀트막을 형성하고, 어닐링 공정을 수행하여 도펀트막내 도펀트들을 언도프트 화합물 반도체막내로 확산시켜 도펀트 확산 영역을 형성하고, 도펀트 확산 영역을 갖는 기판에 액체질소를 사용하는 급속 냉각 처리를 수행한다.
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公开(公告)号：KR101066604B1
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：KR1020080130496
申请日：2008-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/107
Abstract: 고속 광 통신에 적합한 아발란치 포토 다이오드의 제조 방법은 다음과 같다. 우선, 제1 도전형 기판의 전면(全面)에 차례로 제1 도전형 버퍼층, 광 흡수층, 그레이딩층, 제1 도전형 전기장 조절층 및 제1 도전형 증폭층을 형성한다. 다음, 제1 도전형 증폭층을 식각하여 제2 폭을 갖는 제2 리세스부와, 제2 리세스부로부터 연장되고 제2 폭보다 작은 제1 폭을 갖는 제1 리세스부를 포함하는 리세스 영역을 형성한다. 다음, 리세스 영역에 제2 도전형 확산 물질을 제공하고 제2 도전형 증폭층으로 확산시켜 제2 도전형 확산층을 형성한다. 다음, 제1 도전형 증폭층 상에 제2 도전형 확산층과 연결되는 제2 도전형 전극을 형성한 후, 제1 도전형 기판의 후면에 제1 도전형 전극을 형성하여 아발란치 포토 다이오드를 제조한다.
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公开(公告)号：KR1020100063632A
公开(公告)日：2010-06-11
申请号：KR1020090043174
申请日：2009-05-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/3742 , H01L27/14603 , H01L27/14641 , H04N5/3741 , H04N5/37457
Abstract: PURPOSE: A share photo diode image sensor is provided to improve a resolution by simultaneously driving a transfer transistor more than two adjacent to the photo diode. CONSTITUTION: Diffusion areas(311,316) focus an electronics from a photo diode(300). Transfer transistors(310,315) connect the photo diode with the diffusion area. A read-out circuit reads out a signal from the diffusion area. The neighboring unit pixel forms a share photo diode. A sensing signal is created by simultaneously sanctioning a turn on signal in the share photo diode connecting with a plurality of transfer transistors.
Abstract translation: 目的：提供共享光电二极管图像传感器，通过同时驱动与光电二极管相邻的传输晶体管两个以上来提高分辨率。 构成：扩散区（311,316）聚焦光电二极管（300）的电子。 传输晶体管（310,315）将光电二极管与扩散区域连接。 读出电路从扩散区读出信号。 相邻单元像素形成共享光电二极管。 感测信号是通过同时处理与多个传输晶体管连接的共享光电二极管中的导通信号来产生的。
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公开(公告)号：KR100918400B1
公开(公告)日：2009-09-21
申请号：KR1020080105481
申请日：2008-10-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/18
Abstract: 본 발명의 표면 방출 레이저 소자에 따르면, 장파장 빛을 표면 방출하는 하부 거울층, 광 이득을 제공하는 활성층, 자유 캐리어(free carrier) 흡수 손실을 줄이기 위한 터널 접합층 및 상부 거울층이 화합물 반도체 기판 상에 순차적으로 적층되고, 상기 활성층, 터널 접합층 및 상부 거울층 중 적어도 어느 하나의 측면에 식각에 의하여 구경부가 형성되고,상기 구경부가 형성되는 층보다 더 큰 열 전도성을 갖는 열 방출층이 상기 구경부에 채워지는 것이 특징이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080098574A
公开(公告)日：2008-11-11
申请号：KR1020080105481
申请日：2008-10-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/18
CPC classification number: H01S5/18308 , H01S3/0405 , H01S5/321 , H01S5/3216
Abstract: A long wavelength vertical cavity surface emitting laser device and a method for manufacturing the same improve performance and reliability of a device by growing all layers with a lattice matched crystal state. A lower mirror layer(20) emits the laser with surface. An active layer(40) provides an optical gain. A tunnel junction layer(60) and an upper mirror layer(80) for reducing the free carrier absorption loss are successively laminated on a compound semiconductor substrate. A vacant part is formed in at least one side among the active layer, the tunnel junction layer and the mirror layer by etching. A thermal dissipation layer having the thermal conductance which is higher than the layer in which the vacant part is formed is filled in the vacant part.
Abstract translation: 长波长垂直腔表面发射激光器件及其制造方法通过以晶格匹配晶体状态生长所有层来提高器件的性能和可靠性。 下镜层（20）用表面发射激光。 有源层（40）提供光学增益。 在化合物半导体基板上依次层叠用于减少自由载流子吸收损失的隧道结层（60）和上镜层（80）。 在有源层，隧道结层和镜层中的至少一侧通过蚀刻形成空位部。 具有高于其中形成有空位部分的层的导热性的散热层填充在空白部分中。
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公开(公告)号：KR1020080052197A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020070047284
申请日：2007-05-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/10
CPC classification number: H01S5/18366 , H01S3/1301 , H01S3/1304 , H01S5/02244
Abstract: A long wavelength vertical cavity surface emitting laser device and a method for fabricating the same are provided to prevent the crystal defect or plastic deformation by using an epitaxial growing method. In a long wavelength vertical cavity surface emitting laser device, a low mirror layer(20), an active layer(40), a tunnel junction layer(60), and an upper mirror layer(80) are laminated on a compound semiconductor substrate(10), sequentially. The lower mirror layer emits long wavelength light. The active layer provides an optical gain. The tunnel junction layer confines the current. An aperture portion is formed on a side of at least one among the active layer, the tunnel junction layer, and the upper mirror layer using etching. A heat discharging layer(90) having higher heat conductivity than the layer on which the aperture portion is formed, is filled in the aperture portion.
Abstract translation: 提供长波长垂直腔表面发射激光器件及其制造方法，以通过使用外延生长方法来防止晶体缺陷或塑性变形。 在长波长垂直腔表面发射激光器件中，将低镜层（20），有源层（40），隧道结层（60）和上镜层（80）层叠在化合物半导体衬底 10）。 下镜层发出长波长的光。 有源层提供光学增益。 隧道结层限制了电流。 利用蚀刻在活性层，隧道结层和上镜层中的至少一个的一侧上形成开口部。 具有比形成有开口部的层的导热性高的放热层（90）填充在开口部中。
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公开(公告)号：KR100517822B1
公开(公告)日：2005-09-30
申请号：KR1020030097272
申请日：2003-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 박미란
IPC: H01L29/78 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L21/0331 , H01L21/28 , H01L21/32051 , H01L29/2003
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 전계효과 트랜지스터(Field Effect Transistor)의 제조 방법에 관한 것으로, 기판 상에 상이한 밴드갭을 갖는 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층을 형성한 후 상기 제 2 반도체층을 메사 구조로 패터닝하는 단계와, 소스 및 드레인이 형성될 부분의 상기 제 2 반도체층이 노출되도록 제 1 레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 전체 상부면에 금속을 증착한 후 리프트 오프 공정을 실시하여 금속으로 이루어진 소스 및 드레인을 형성하는 단계와, 상기 소스 및 드레인과 상기 제 2 반도체층의 오믹 콘택을 위하여 열처리하는 단계와, 상기 소스 및 드레인을 포함하는 전체 상부면에 절연막을 형성한 후 게이트가 형성될 부분의 상기 절연막이 노출되도록 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 게이트가 형성될 부분의 상기 제 2 반도체층이 노 출되도록 상기 절연막을 제거하는 단계와, 저온 진공 증착을 위해 상기 기판의 온도를 감소시킨 상태에서 전체 상부면에 금속을 증착하고 리프트-오프 공정 및 상기 절연막 제거 공정을 실시하여 금속으로 이루어진 게이트를 형성하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR102254954B1
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：KR1020180173892
申请日：2018-12-31
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명의실시예에따른파장가변반도체레이저는, 변조신호에따라광신호를생성하는활성이득영역, 모드조절신호에따라공진모드를조절하고그리고변조신호에기초하여결정된제 1 보상신호에따라신호처프를보상하는모드조절영역, 및파장선택전류, 변조신호에기초하여결정되고그리고열적처프를보상하는제 2 보상신호, 히터전극에공급되고히터신호에기초하여발진파장을결정하는 DBR(Distributed Bragg Reflector) 영역을포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR102252682B1
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：KR1020140115621
申请日：2014-09-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/42
Abstract: 본명세서에서는다채널의광신호를송신또는수신하는다채널광모듈장치및 그것의제조방법을개시한다. 본명세서에따른다채널광모듈장치는, 광신호를전송하는다채널광섬유블록, 광신호를수신하는어레이광수신소자부를포함하는서브마운트및 금속광학벤치상에배치되고다채널광섬유블록으로부터전송되는광신호를어레이광수신소자부로유도하는반사부를포함하고, 광신호의어레이광수신소자부로의유도를위해반사부는어레이광수신소자부와수동정렬되고다채널광섬유블록은어레이광수신소자부와능동정렬된다.
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