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公开(公告)号：KR100484486B1
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：KR1020020063836
申请日：2002-10-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/20
CPC classification number: H01L29/452 , H01L29/2003 , H01L29/7787
Abstract: 질화물 반도체 전계 효과 트랜지스터를 제공한다. 본 발명은 기판 상에 형성된 GaN층과, 상기 GaN층 상에 상기 GaN층과 상이한 밴드갭을 갖게 형성된 AlGaN층 패턴과, 상기 GaN층과 AlGaN층 패턴 사이의 계면에 이종접합에 의하여 형성된 2차원전자가스층과, 상기 AlGaN층 패턴과 연결되어 형성된 T자형 게이트와, 상기 AlGaN층 패턴의 양측의 GaN층 상에는 Ni(또는 Cr)/In/Mo(또는 W)/Au가 순차적으로 형성된 다중층으로 구성된 소오스/드레인 오믹 전극을 포함하여 이루어진다. 이에 따라, 본 발명의 질화물 반도체 전계 효과 트랜지스터는 Ni(또는 Cr)/In/Mo(또는 W)/Au의 다중층으로 소오스/드레인 오믹 전극을 구성하여 전류 유입 효율을 높일 수 있고 고출력 소자 구동시 고온 발열 반응에 의한 소오스/드레인 오믹 전극의 열적 열화(thermal degradation)를 방지 할 수 있다.
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公开(公告)号：KR102222726B1
公开(公告)日：2021-03-08
申请号：KR1020140114013
申请日：2014-08-29
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 유전자증폭및 검출장치는내부에형성된챔버를포함한유전자증폭칩; 상기챔버내에충진되고, 형광물질을포함하는반응액; 상기유전자증폭칩의일 측에위치된광원; 상기유전자증폭칩의타 측에위치된광 검출기; 및상기반응액을가열하도록, 상기유전자증폭칩의내부또는외부에형성된그래핀히터를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140146467A
公开(公告)日：2014-12-26
申请号：KR1020130069249
申请日：2013-06-17
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: A light emitting diode according to the present invention includes a substrate, an n-type semiconductor layer which is located on the substrate, an active layer which is located on the n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer which is located on the active layer, a first electrode which is located on the p-type semiconductor layer and is made of metal-oxide, a second electrode which is located on the first electrode and is made of graphene, a p-type electrode which is located on the second electrode, and an n-type electrode which is located on the n-type semiconductor layer. The work function of the first electrode is smaller than the work function of the p-type semiconductor layer and is greater than the work function of the second electrode.
Abstract translation: 根据本发明的发光二极管包括衬底，位于衬底上的n型半导体层，位于n型半导体层上的有源层，位于第n型半导体层上的p型半导体层 有源层，位于p型半导体层上并由金属氧化物制成的第一电极，位于第一电极上并由石墨烯制成的第二电极，位于第一电极上的p型电极 第二电极和位于n型半导体层上的n型电极。 第一电极的功函数小于p型半导体层的功函数，大于第二电极的功函数。
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公开(公告)号：KR1020140082439A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：KR1020120152407
申请日：2012-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H05K3/1258 , H05K1/097 , H05K2201/0323 , H05K2201/09036 , H05K2203/095
Abstract: Disclosed is a method for forming a graphene pattern. The forming method thereof includes a step of forming a fine pattern defined by at least one trench on a substrate; a step of coating the fine pattern with a graphene solution; and a step of selectively forming a graphene layer on the fine pattern coming into contact with the graphene solution.
Abstract translation: 公开了一种形成石墨烯图案的方法。 其形成方法包括在衬底上形成由至少一个沟槽限定的精细图案的步骤; 用石墨烯溶液涂覆精细图案的步骤; 以及在与石墨烯溶液接触的微细图案上选择性地形成石墨烯层的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101252564B1
公开(公告)日：2013-04-09
申请号：KR1020090061613
申请日：2009-07-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: B82B3/00
Abstract: 본 발명은 나노 물질 수직 정렬 방법에 대한 것으로서, 이 방법은 제1 용매와 전도성 물질이 혼합된 제1 혼합 용액을 이용하여 전도성 패턴을 형성하는 단계, 제2 용매와 나노 물질을 혼합한 제2 혼합 용액을 준비하는 단계, 상기 제2 혼합 용액을 근접장 전기방사법을 통하여 상기 전도성 패턴 위에 토출하는 단계, 토출된 상기 제2 혼합 용액 중 상기 제2 용매를 제거하고, 열처리하여 상기 나노 물질과 상기 전도성 패턴의 접착력을 향상시키는 단계, 및 테이프를 상기 나노 물질 상에 부착 후 탈착하여 상기 나노 물질을 수직으로 정렬하는 단계를 포함한다. 따라서, 기판 상에 전도성 물질을 직접 도포함으로써 패턴을 형성하는 것으로 매우 간단하며, 다양한 기판 및 다양한 전도성 물질에 적용할 수 있다. 또한, 대기압 하에서 패턴의 구현이 가능하고 필요한 부분에만 물질을 도포하므로 적은 비용으로 패턴을 구현할 수 있다.
나노 물질 정렬, 근접장 전기방사법, 나노 와이어, 나노 소자, 직접인쇄, 디스플레이, 평판조명, 광원-
公开(公告)号：KR101182412B1
公开(公告)日：2012-09-13
申请号：KR1020080130132
申请日：2008-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0005
Abstract: 본 발명은 고분자막 패턴과 표면 에너지 차이가 큰 다른 물질이 고분자막 패턴에서 디웨팅(dewetting)되는 현상을 이용한 것으로, 표면 에너지 차이가 큰 두 고분자 물질의 도포에 의해 마이크로미터급 또는 서브 마이크로미터급의 고분자막 미세 패턴을 간단하고 용이하게 형성할 수 있는 것을 특징으로 한다.
고분자, 유기 박막, 미세 패턴, 근접장 전기방사법-
公开(公告)号：KR101136881B1
公开(公告)日：2012-04-20
申请号：KR1020090021592
申请日：2009-03-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , B82Y10/00 , B82Y15/00
CPC classification number: G01N27/4145 , G01N27/4146
Abstract: 본 발명은 바이오센서 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 바이오센서는 기판 상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 형성된 소스 및 드레인 전극; 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 채널 영역을 포함하는 트랜지스터 구조이고, 상기 채널 영역은 항원-항체 반응을 감지하는 액티브 폴리머 및 친수성 나노 입자로 형성된 액티브층을 포함하며, 상기 액티브층은 직접인쇄기술, 예를 들면, 잉크젯 프린트법으로 형성된다. 상기와 같은 구조의 바이오센서는 항원-항체 간의 반응성과 친수성을 증가시켜 센서의 특성을 개선시킬 수 있으며, 또한, 직접인쇄기술을 이용하여 대면적 공정이 가능하며 플라스틱을 포함하여 다양한 기판 위에 소자의 제작이 용이하다.
바이오, 센서, 칩, 트랜지스터-
公开(公告)号：KR1020110004020A
公开(公告)日：2011-01-13
申请号：KR1020090061613
申请日：2009-07-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: B82B3/00
CPC classification number: B82B3/0038 , B82Y40/00
Abstract: PURPOSE: A method for patterning a conductive material is provided to manufacture patterns of the large-sized conductive material in a desired form using a near-field electrospinning technique. CONSTITUTION: A method for patterning a conductive material comprises the steps of: mixing a first organic solvent with a conductive material of nano particles to prepare a first mixed solution; discharging and aligning the first mixed solution according to patterns on a substrate(200) using a near-field electrospinning technique; and removing the first organic solvent in the arranged first mixture.
Abstract translation: 目的：提供用于图案化导电材料的方法，以使用近场静电纺丝技术以期望的形式制造大尺寸导电材料的图案。 构成：图案化导电材料的方法包括以下步骤：将第一有机溶剂与纳米颗粒的导电材料混合以制备第一混合溶液; 使用近场静电纺丝技术根据图案在基板（200）上排列和对准第一混合溶液; 并除去所配置的第一混合物中的第一有机溶剂。
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公开(公告)号：KR1020100060226A
公开(公告)日：2010-06-07
申请号：KR1020080118748
申请日：2008-11-27
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A method for forming a micro-pattern through direct printing using near-field electro-spinning technique is provided to reduce the time and cost fro manufacturing a printed circuit board by employing a direct printing method simpler than a semiconductor patterning process. CONSTITUTION: A method for forming a micro-pattern through direct printing using near-field electro-spinning technique comprises the steps of: preparing an electro-spinning solution by mixing a material for patterning in an organic solvent(S11), discharging the electro-spinning solution with voltage applied from an injection nozzle(S12), and attaching the electro-spinning solution discharged from the injection nozzle to the surface of a substrate located on the top of a collector having a grounding property to form a micro-pattern(S13).
Abstract translation: 目的：提供使用近场电纺技术通过直接印刷形成微图案的方法，以通过采用比半导体图案化工艺简单的直接印刷方法来减少制造印刷电路板的时间和成本。 构成：通过使用近场电纺技术的直接印刷形成微图案的方法包括以下步骤：通过将有机溶剂中的图案化材料混合制备电纺丝溶液（S11），将电 - （S12）施加电压的纺丝溶液（S12），将从注射喷嘴排出的电纺丝溶液附着到位于具有接地性的集电体顶部的基板的表面，形成微图案（S13 ）。
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