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公开(公告)号：KR1019990024970A
公开(公告)日：1999-04-06
申请号：KR1019970046375
申请日：1997-09-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 화합물 반도체 소자의 제작방법에 관한 것으로서, 건식식각방법으로 게이트 리쎄스한 경우 발생하는 게이트전극과 오믹층과의 접촉을 방지함으로 인해 게이트와 소스 또는 게이트와 드레인간의 누설전류를 감소시켜서 소자의 전기적 특성을 향상시킨다.
본 발명에서는 게이트 리쎄스시 쇼트키층의 손상을 방지하기 위한 에치-스탑 에치텍셜(etch-stop epitaxial)층의 성장방법, 건식식각에 의한 게이트 리쎄스와 선택적 습식식각에 의한 게이트 리쎄스의 이단계 게이트 리쎄스 방법과 ECR에 의해 성장한 산화막과 질화막의 이중절연막을 사용하여 소자를 보호하는 방법으로 구성함으로써, 게이트 리쎄스시 쇼트키층의 손상을 방지할 수 있고, GaAs의 오믹층과 T-게이트전극이 직접 접촉하지 않기 때문에 화합물 반도체 소자의 전기적 특성을 개선할 수 있으며, Ni/Ge/Ni/Ag/Au 오믹금속층을 채택하여 오믹 금속의 표면을 매끄럽게 하여 소자의 초미세(submicron)급 미세 게이트 패턴형성을 용이하게 할 수 있는 효과를 가진다.-
公开(公告)号：KR100174869B1
公开(公告)日：1999-04-01
申请号：KR1019950052677
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 금속배선의 형성방법에 관한 것으로, 특히 전자빔 노광 에너지 조정과 리프트-오프(lift-off) 방법에 의한 금속배선 형성방법에 관한 것이다.
상기 본 발명은 하부 금속배선에 접촉시켜 상부 금속배선을 형성하는 금속배선 형성방법으로서, 하부 금속배선이 형성된 기판상에 상, 하부 감광막을 차례로 형성하고 이 감광막을 선택적으로 전자빔의 에너지를 조절하여 노광시킴으로서 1회의 노광공정으로 금속배선의 선폭을 정의하는 상부 감광막의 제거영역의 폭과, 하부 감광막의 제거되는 영역의 폭에 의해 콘택홀을 정의한 후 도전성 금속을 전면에 증착하여 금속배선을 형성함으로써 금속배선의 형성공정을 단순화할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100170489B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950048736
申请日：1995-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772 , H01L29/737
Abstract: 본 발명은 설연막 스페이서(spacer)로 소자를 격리시킴(isolation)으로써 선택적 MOCVD 재성장시 기존의 에피택셜 층을 보호할 수 있으며 게이트 전극이 격리영역의 활성층과 서로 분리되어 소자의 전기적 특성을 개선시킬 수 있는 집적화 방법에 관한 것으로서, 그 특징은 전계효과형 소자와 이종접합 소자의 집적화 방법에 있어서, 산화막과 질화막으로 구성된 이중 절연막 패턴을 사용하여 격리영역을 정의하는 제1과정과, 격리영역의 측면에 이중 절연막 스페이서를 형성하는 제2과정 및 유기 금속 화학 증착방법(MOCVD)으로 화합물 반도체 소자용 에피택셜 층을 선택적으로 재성장하는 제3과정을 포함하는 데에 있으므로, 본 발명은 이중 절연막 스페이서와 선택적 MOCVD 재성장 방법을 이용하여 전계효과형 갈륨비소 반도체 소자와 이종접합형 반도체 소자를 동시에 동일한 기판에 집적화하여 종래의 제작방법에 비하여 재성장시 상호 불순물 오염을 방지할 수 있어 우수한 재성장 에피택셜 층을 얻을 수 있으며 절연막 스페이서에 의해서 소자의 활성영역이 격리되기 때문에 소자의 집적도를 높일 수 있고 전기적 득성을 개선시킬 수 있다는 데에 그 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019980050973A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069821
申请日：1996-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03B5/00
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
부성저항 기법을 이용한 초고주파 발진기
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
발진주파수의 안정도와 부하로 전달되는 에너지와 관계 있는 Q값을 높여, 증가된Q에 상응하는 저잡음, 고출력 신호를 얻을 수 있으며 부성저항발생회로의 MMIC화와 발진회로의 전체 집적화를 통해 저잡음 제작 공정의 단순화를 얻는데 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 MIC 구조에서 마이크로스트립 공진기에 병렬결합선로를 통한 부성저항인가기법을 이용하였다. 이때 공진기의 손실을 나타내는 저항성분을 부성저항으로 상쇄시켜 언 로드 된 공진도를 높이고, 직렬궤환 구조에서 BRF 역할을 하는 공진부에서 반사선택도 개선과 손실을 보상하여 저잡음 및 고출력 발진기를 구현하는 것이다. 또한 초고주파 발진기의 전체 집적화와 그 성능 개선을 가능케 하는 것이다.
4. 발명의 중요한 용도
X-대역(band) 초고주파 발진기의 MMIC 발진회로에 이용됨.-
公开(公告)号：KR1019980050967A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069815
申请日：1996-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01F41/00
Abstract: 고주파, 고속동작 등이 요구되는 소자나 MMIC에 필수적으로 사용하는 인덕터는 그 선폭의 조절이 매우 중요하다. 종래의 인덕터는 구조상으로 인덕터 금속의 선폭을조절하는 데에는 한계가 있다. 그리고 선폭 조절에 영향을 주는 것으로 절연층을 1차 금속과 베이스 금속 사이에 사용하는데 있다. 본 발명에서는 이 문제를 해결하고자 하는 것으로, 베이스 금속을 1차 금속 위에 직접 형성하고, 2차 금속층을 베이스 금속층 안으로 형성하므로서 선폭이 작은 인덕터를 손쉽게 형성한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100137573B1
公开(公告)日：1998-06-01
申请号：KR1019940033882
申请日：1994-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/334
Abstract: 미세 게이트를 갖는 전계효과 트랜지스터에서, 게이트의 저항과 기생 커패시턴스를 대폭 줄여서 소자의 전기적인 성능을 개선하는 방법이 개시된다.
본 발명에서는, 기판 위에, 전자빔 노광용 제1레지스트 및 제2레지스트를 차례로 도포하고, 게이트 형상에 따라서 전자빔들로 게이트 영역의 상기 제1 및 제2레지스트를 노광시키되, 게이트 상부의 형성을 위해 조사되는 전자빔들의 에너지 크기와 게이트 하부의 형성을 위해 조사되는 전자빔의 에너지 크기를 다르게 한다.-
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公开(公告)号：KR1019970030872A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950040297
申请日：1995-11-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/40
Abstract: 반절연막의 재성장 방법을 이용하여 반도체 소자를 격리(isolation) 시킴으로써 소자의 격리 특성을 향상시킬 수 있는 격리방법이 개시되어 있다.
본 발명은 화합물 반도체 기판상에 버퍼층, 채널층, 스페이서층, 쇼트키층 및 오믹층을 순차적으로 성장시키는 공정과, 상기 결과물상에 활성영역을 정의하기 위한 마스크 패턴을 이용하여 상기 기판의 소정부위까지 각 층들을 차례로 식각하여 수직한 식각단면을 얻는 공정과, 상기 정의된 격리영역과 활성영역과의 단차를 평탄화시킴과 아울러 식각된 활성영역 측면부위의 누설전류 경로를 차단시킬 수 있도록 상기 식각된 격리영역에 반절연막을 선택적으로 재성장시키는 공정과, 상기 마스크 패턴을 제거한 후 소스 및 드레인 영역에 오믹 금속층을 형성하는 공정과, 상기 활성영역의 쇼트키층의 일부를 노출시킨 후 노출된 쇼트키층과의 접속을 위한 게이트 전극과 상기 오믹 금속 층과의 접속을 위한 소스 및 드레인 전극을 형성하는 공정으로 구 된다.-
公开(公告)号：KR1019960026923A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940036027
申请日：1994-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/40
Abstract: 본 발명은 고전자 이동도 트랜지슬(HEMT),금속-반도체 전계효과 트랜지스터(MESFET) 등의 전계효과형 반도체 소자 또는 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT) 등의 화합물 소자의 오믹접촉 전극 제조방법에 관한 것으로서 ,그 형성방법은, 반절연 갈륨비소 기판(1)상에 채널층(2)과 소오스 전극 및 드레인 전극의 형성을 위한 감광막의 패턴(3)을 형성하는 공정과; 적어도 Ni,Ge, Au으로 된 다층구조의 오믹금속층(4)을 그 위에 형성하는 공정과; 상기 감광막패턴(3)을 제거하여 다층 구조의 오믹금속층으로 된 소오스/드레인 전극을 형성하는 공정과; 그 위에 다층구조의 절연층으로 이루어진 오믹금속보호막을 도포하는 공정과; 상이한 온도에서 2단계로 열처리하는 공정과; 상기 오믹금속보호막을 제거하는 공정과; 소정의 감광막패턴을 그 위에 형성하여 게이트영역을 정의하는 공정과; 금속막을 증착하여 상기 소정의 감광막패턴을 마스크로 사용하여 T-형상의 게이트를 형성하는 공정을 포함한다.이로써, 오믹층의 특성을 향상시킬 수 있다.
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