公开(公告)号：KR1020060062913A

公开(公告)日：2006-06-12

申请号：KR1020040101916

申请日：2004-12-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  김시열

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 본 발명은, 절연 기판, 상기 절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트 전극을 포함하는 게이트선, 상기 게이트선 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 상기 소스 전극과 마주하고 있는 드레인 전극 및 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 포함하며, 상기 게이트선과 상기 데이터선 및 드레인 전극 중 적어도 어느 하나는 몰리브덴(Mo)을 포함하는 제1 도전층, 구리(Cu)를 포함하는 제2 도전층 및 질화몰리브덴(MoN)을 포함하는 제3 도전층으로 이루어지는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법을 제공한다.
게이트선, 데이터선, 저저항, 산화, 구리, 몰리브덴

公开(公告)号：KR100580191B1

公开(公告)日：2006-05-16

申请号：KR1020040006125

申请日：2004-01-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장봉기 ,  김성기 ,  김영상 ,  박홍식 ,  이두희 ,  성준호 ,  김혜진

IPC: H04H20/71 ,  H04N5/44 ,  H04N7/01

CPC classification number: H04N7/163 ,  H04N5/38 ,  H04N5/4401 ,  H04N5/445 ,  H04N21/4126 ,  H04N21/436 ,  H04N21/440218

Abstract: 무선 채널로 연결된 송신기와 수신기간에 아날로그 정보를 공유하는 무선 송수신 시스템 및 그 방법이 개시되어 있다. 본 발명은 아날로그 방송 신호로부터 아날로그 신호와 아날로그 정보를 추출하고, 아날로그 신호를 트랜스 포트 스트림으로 변환하여 무선 채널로 송신하고, 상기 아날로그 정보를 추출할 때 마다 상기 트랜스포트 스트림과 별개의 무선 채널로 송신한 후 그 아날로그 정보로 이전의 아날로그 정보를 갱신하는 송신수단, 송신 수단으로부터 무선 채널로 수신된 트랜스포트 스트림을 디코딩하고, 상기 다른 무선 채널로 아날로그 정보를 수신할 때마다 이전에 저장된 아날로그 정보를 갱신하는 수신 수단을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020060042368A

公开(公告)日：2006-05-12

申请号：KR1020040091012

申请日：2004-11-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02 ,  E03D1/302 ,  F02D13/0253

Abstract: 본 발명은 반도체 설비의 가스 공급장치에 관한 것으로, 가스 공급 라인 상에 설치되어, 공기압에 의해 밸브를 개폐하는 공기압 밸브; 상기 공기압 밸브를 제어 하는 솔레노이드 밸브; 상기 소레노이드 밸브와 공기압 밸브를 연결하는 공기압 라인; 상기 공기압 라인의 압력을 체크하여 상기 솔레노이드 밸브의 오동작을 체크하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020050072543A

公开(公告)日：2005-07-12

申请号：KR1020040000885

申请日：2004-01-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김혜진 ,  박홍식

IPC: H04N5/50 ,  H04N21/436 ,  H04N21/4363 ,  H04N5/44

CPC classification number: H04N5/50 ,  H04N21/43615 ,  H04N21/43637 ,  H04N5/4401

Abstract: Provided are a method of and an apparatus for automatically setting a channel to achieve channel synchronization between a transmitter and a receiver in a wireless transceiver system. The transmitter stores information about a channel tuned according to an initial channel number, transmits a message indicating a completion of the channel information storage to a receiver, and transmits a next channel number in response to a message confirming the completion of a channel information storage performed in the receiver. The receiver receives a tuned channel number and the message indicating the completion of the channel information storage in sequence from the transmitter, stores channel information corresponding to the received tuned channel number, transmits the message confirming the completion of the channel information storage to the transmitter, and waits for the next channel number to be received from the transmitter.

公开(公告)号：KR1020040088631A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：KR1020030022570

申请日：2003-04-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  정주환 ,  홍승범

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01Q60/30 ,  G01Q80/00 ,  G11B9/1409

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor probe having a resistant tip is provided to simplify a fabrication process by forming a resistant region between semiconductor electrode regions on a center of the resistant tip and forming a low-density resistant region. CONSTITUTION: A tip(30) is doped by the first impurity. The tip is installed on an end part of a cantilever(41). A resistant region is formed on a top part of the tip. The resistant region is doped by the second impurity having the different polarity from the first impurity. The first and the second semiconductor electrode regions(32,34) are formed on a slope part of the tip. The resistant region is formed by performing a thermal process for the first and the second semiconductor electrode regions for diffusing the second impurity.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有电阻尖端的半导体探针的方法，以通过在耐电极尖端的中心处的半导体电极区域之间形成电阻区域并形成低密度电阻区域来简化制造工艺。 构成：尖端（30）由第一杂质掺杂。 尖端安装在悬臂（41）的端部上。 在尖端的顶部形成有电阻区域。 电阻区域由与第一杂质具有不同极性的第二杂质掺杂。 第一和第二半导体电极区域（32,34）形成在尖端的斜坡部分上。 通过对用于扩散第二杂质的第一和第二半导体电极区域进行热处理形成电阻区域。

公开(公告)号：KR1020040005258A

公开(公告)日：2004-01-16

申请号：KR1020020039748

申请日：2002-07-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정창오 ,  박홍식 ,  조범석

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/123

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor substrate is provided to form a contact layer on a substrate and then form a copper line on the contact layer so as to increase adhesion of the substrate and copper line. CONSTITUTION: A thin film transistor substrate includes an insulating substrate(110), a gate line having a gate electrode(123) and a gate pad(125), a gate insulating layer(140) formed on the insulating substrate, a semiconductor layer(151,153) formed on the gate insulating layer, and an ohmic contact layer(163,165) formed on the semiconductor layer. The thin film transistor substrate further includes a data line having a source electrode(173), a drain electrode(175) and a data pad(179), a passivation layer(180) that is formed on the data line and has a contact hole, and a pixel electrode(190) formed on the passivation layer and electrically connected to the drain electrode through the contact hole. At least one of the gate line and data line is composed of a double layer of a contact layer and a copper layer.

Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管衬底以在衬底上形成接触层，然后在接触层上形成铜线，以增加衬底和铜线的粘附。 构成：薄膜晶体管基板包括绝缘基板（110），具有栅极（123）和栅极焊盘（125）的栅极线，形成在绝缘基板上的栅极绝缘层（140），半导体层（ 形成在栅极绝缘层上的欧姆接触层（163,165），形成在半导体层上的欧姆接触层（163,165）。 薄膜晶体管基板还包括具有源电极（173），漏电极（175）和数据焊盘（179）的数据线，形成在数据线上并具有接触孔的钝化层（180） ，以及形成在钝化层上并通过接触孔电连接到漏电极的像素电极（190）。 栅极线和数据线中的至少一个由接触层和铜层的双层组成。

公开(公告)号：KR1020030090828A

公开(公告)日：2003-12-01

申请号：KR1020020028414

申请日：2002-05-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정창오 ,  박홍식 ,  조범석

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136295

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor substrate and a method for manufacturing the same are provided to etch metal and amorphous silicon layers in the same chamber by forming data wiring only by a wet etching. CONSTITUTION: Tungsten is deposited on a transparent insulating substrate(110) and is patterned by a photo etching to form gate wiring(121,123,125). A gate insulating layer(140) is formed on the gate wiring. Amorphous silicon layers(151,153) and resistant contact layers(161,163,165) are formed on the gate insulating layer. Data wiring formed of tungsten is formed on the resistant contact layers and the gate insulating layer. A passivation layer(180) is formed on the data wiring, including contact holes(181,182,183,184). Pixel electrodes(190) are formed on the passivation layer, and electrically connected with drain electrodes(175) through the contact holes.

Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管基板及其制造方法，以通过仅通过湿蚀刻形成数据布线来蚀刻同一腔室中的金属和非晶硅层。 构成：将钨沉积在透明绝缘衬底（110）上，并通过光蚀刻图案化以形成栅极布线（121,123,125）。 栅极绝缘层（140）形成在栅极布线上。 非晶硅层（151,153）和电阻接触层（161,163,165）形成在栅绝缘层上。 在耐电接触层和栅极绝缘层上形成由钨构成的数据布线。 在数据布线上形成钝化层（180），包括接触孔（181,182,183,184）。 像素电极（190）形成在钝化层上，并通过接触孔与漏电极（175）电连接。

公开(公告)号：KR1020030004682A

公开(公告)日：2003-01-15

申请号：KR1020010040310

申请日：2001-07-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  강성철

IPC: H01L29/786

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating wires and a method for fabricating a TFT substrate by using the same are provided to pattern a conductive layer of Ag or Ag alloy by using an etch solution including phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, and ethylene-glycol. CONSTITUTION: A thin film for wires is stacked on an upper surface of a substrate(100). The thin film for wires includes a conductive material of Ag or Ag alloy having the lowest non-resistance. An etch process is performed by using a photoresist layer pattern(500) as an etch mask. The thin film for wires is patterned by performing the etch process. A wire(800) is formed on the thin film for wires by patterning the thin film for wires. In the etch process, the wire(800) is obtained by using a wet etch method. The wet etch process is performed by using a predetermined etching solution.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造导线的方法和通过使用该方法制造TFT基板的方法，通过使用包括磷酸，硝酸，乙酸和乙二醇的蚀刻溶液来对Ag或Ag合金的导电层进行图案化 。 构成：用于布线的薄膜层叠在基板（100）的上表面上。 用于电线的薄膜包括具有最低非电阻的Ag或Ag合金的导电材料。 通过使用光致抗蚀剂层图案（500）作为蚀刻掩模来执行蚀刻工艺。 通过执行蚀刻工艺来对导线的薄膜进行图案化。 通过图案化电线用薄膜，在电线用薄膜上形成线（800）。 在蚀刻工艺中，通过使用湿蚀刻法获得线（800）。 通过使用预定的蚀刻溶液进行湿蚀刻工艺。

公开(公告)号：KR100299690B1

公开(公告)日：2001-11-05

申请号：KR1019990054873

申请日：1999-12-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이봉우 ,  이수원 ,  남효학 ,  주진호 ,  정수임 ,  박홍식 ,  강성철

IPC: G02F1/1337

CPC classification number: G02F1/133711

Abstract: 본발명은액정배향재의재생방법에관한것으로 LCD 제조에서액정배향재를사용하는공정특성상대량발생하는배향재폐액을수거하여배향재폐액을배향재성분인폴리아믹엑시드및 솔루블폴리이미드에대하여불용성을가지는유기용매또는초순수에넣어폴리아믹엑시드및 솔루블폴리이미드를고형화한후 유기용매또는초순수로부터폴리아믹엑시드및 솔루블폴리이미드를분리한다음, 분리된고형폴리아믹엑시드및 솔루블폴리이미드를용매에용해하면 LCD 액정공정에서원 액정배향재와동등한효과를나타낼수 있는액정배향막으로재생될수 있다. 이방법을이용하여액정배향막재료를재생하여사용하면원가절감에크게기여할수 있다.

公开(公告)号：KR100307593B1

公开(公告)日：2001-09-26

申请号：KR1019990001255

申请日：1999-01-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  임법선

IPC: H04N7/08

Abstract: 본발명은텔레비전동작방법에관한것으로서, 보다상세하게는캡션키를사용하여캡션신호가입력되고있는지감지하여채널의가변에상관없이캡션방송을디스플레이하는캡션방송디스플레이방법에관한것이다. 캡션방송디스플레이방법은캡션키를구비한텔레비젼시스템에서캡션을자동으로감지하는방법에있어서, 상기캡션키 신호가입력되면방송중인채널의캡션데이터를감지하여디스플레이하는제1과정, 상기제1과정수행중사용자에의해채널이가변될때마다그 채널의캡션데이터를체크하여감지된캡션데이터를화면에표시하는제2과정을포함한다. 본발명에따르면, 사용자의선택에의해간편하게캡션동작을조작하여채널변동에상관없이캡션방송을시청할수 있어사용자의편리성을극대화할 수있는효과가있다.