公开(公告)号：DE102019111377A1

公开(公告)日：2019-11-28

申请号：DE102019111377

申请日：2019-05-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  HÖCHBAUER TOBIAS ,  LEHNERT WOLFGANG ,  GOLLER BERNHARD ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  DENIFL GÜNTER ,  RUPP ROLAND ,  DRAGHICI MIHAI ,  BREYMESSER ALEXANDER

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L29/161 ,  H01L29/32

Abstract: Ein Verfahren (100) zum Verarbeiten eines Siliziumkarbid-Wafers (300) ist vorgeschlagen. Das Verfahren (100) umfasst ein Implantieren (110) von Ionen in den Siliziumkarbid-Wafer (300), um eine Absorptionsschicht (310) in dem Siliziumkarbid-Wafer (300) zu bilden. Der Absorptionskoeffizient der Absorptionsschicht (310) ist zumindest das 100-fache des Absorptionskoeffizienten eines Siliziumkarbidmaterials des Siliziumkarbid-Wafers (300) außerhalb der Absorptionsschicht, für ein Licht einer Zielwellenlänge. Der Siliziumkarbid-Wafer (300) wird entlang der Absorptionsschicht (310) gespalten (120), zumindest durch ein Bestrahlen des Siliziumkarbid-Wafers (300) mit Licht der Zielwellenlänge, um einen Siliziumkarbid-Bauelementwafer (360) und einen übrigen Siliziumkarbid-Wafer (362) zu erhalten.

公开(公告)号：DE102017120577A1

公开(公告)日：2018-03-15

申请号：DE102017120577

申请日：2017-09-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GOLLER BERNHARD ,  MATOY KURT

IPC: H01L21/283 ,  H01L23/482

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung beinhaltet Ätzen einer ersten Oberfläche eines Halbleitersubstrats von einer ersten Seite unter Verwendung eines ersten Ätzprozesses, um eine zweite Oberfläche freizulegen. Die zweite Oberfläche beinhaltet erste mehrere Merkmale. Die ersten mehreren Merkmale weisen eine durchschnittliche Höhe auf, die eine erste Höhe ist. Die zweite Oberfläche des Halbleitersubstrats wird von der ersten Seite unter Verwendung eines zweiten Ätzprozesses geätzt, um eine dritte Oberfläche des Halbleitersubstrats freizulegen. Der zweite Ätzprozess wandelt die ersten mehreren Merkmale in zweite mehrere Merkmale um. Die zweiten mehreren Merkmale weisen eine durchschnittliche Höhe auf, die eine zweite Höhe ist. Die zweite Höhe ist geringer als die erste Höhe. Eine leitfähige Schicht wird über der dritten Oberfläche des Halbleitersubstrats unter Verwendung eines physikalischen Abscheidungsprozesses gebildet.

公开(公告)号：DE102014117878A1

公开(公告)日：2015-06-18

申请号：DE102014117878

申请日：2014-12-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GOLLER BERNHARD ,  LENARDIC DENIS ,  SCHMUT KATHARINA

IPC: H01M2/02 ,  H01L31/042 ,  H02S40/38

Abstract: Eine Platte gemäß einem Ausführungsbeispiel umfasst eine transluzente Schichtanordnung und eine Batteriezelle, die zumindest teilweise in die transluzente Schichtanordnung eingebettet ist.