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公开(公告)号:DE102013107379B4
公开(公告)日:2017-09-14
申请号:DE102013107379
申请日:2013-07-11
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: HIRLER FRANZ , MEISER ANDREAS , THIELE STEFFEN
IPC: H03K17/687 , H01L29/06 , H01L29/732 , H01L29/78 , H03K17/567
Abstract: Brückenschaltung, umfassend: – ein erstes integriertes Halbleiterbauelement (100), das einen High-Side-Schalter (M1) umfasst; – ein zweites integriertes Halbleiterbauelement (200), das einen Low-Side-Schalter (M0) umfasst, der mit dem High-Side-Schalter (M1) elektrisch verbunden ist; – einen ersten Pegelwandler (T1), der mit dem High-Side-Schalter (M1) elektrisch verbunden ist und entweder im ersten integrierten Halbleiterbauelement (100) oder im zweiten integrierten Halbleiterbauelement (200) integriert ist; und einen zweiten Pegelwandler (T0), der mit dem Low-Side-Schalter (M0) elektrisch verbunden ist und entweder im ersten integrierten Halbleiterbauelement (100) oder im zweiten integrierten Halbleiterbauelement (200) integriert ist, wobei der High-Side-Schalter (M1) und der Low-Side-Schalter (M0) elektrisch verbunden sind, und wobei die Brückenschaltung ferner eine erste Treiberschaltung (X1), die mit einem Steueranschluss des High-Side-Schalters (M1) und über einen ersten Widerstand (R10) mit dem zweiten Pegelwandler (T0) elektrisch verbunden ist, und/oder eine zweite Treiberschaltung (X0), die mit einem Steueranschluss des Low-Side-Schalters (M0) und über einen zweiten Widerstand (R01) mit dem ersten Pegelwandler (T1) elektrisch verbunden ist, umfasst.
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公开(公告)号:DE102015111026A1
公开(公告)日:2016-01-14
申请号:DE102015111026
申请日:2015-07-08
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: MARQUES MARTINS CARLOS , THEIL ARON , THIELE STEFFEN
IPC: G01R31/28
Abstract: Eine Testvorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Folgendes umfassen: eine Vielzahl von ersten Anschlüssen, die konfiguriert ist, mit einer Vielzahl von zu testenden Vorrichtungen verbunden zu sein, wobei jeder erste Anschluss der Vielzahl von ersten Anschlüssen konfiguriert sein kann, mit einer entsprechenden zu testenden Vorrichtung der Vielzahl von zu testenden Vorrichtungen verbunden zu sein; eine Signalschnittstelle, die konfiguriert ist, mit einem Tester verbunden zu sein; und eine Schaltung, die konfiguriert ist, ein identisches erstes Signal durch einen entsprechenden ersten Anschluss der Vielzahl von ersten Anschlüssen mit jeder zu testenden Vorrichtung der Vielzahl von zu testenden Vorrichtungen auszutauschen und zumindest ein Schnittstellensignal durch die Signalschnittstelle mit dem Tester auszutauschen.
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公开(公告)号:DE102007008389B4
公开(公告)日:2014-07-17
申请号:DE102007008389
申请日:2007-02-21
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: THIELE STEFFEN
Abstract: Schaltungsanordnung zur Erkennung der Übertemperatur eines Halbleiterkörpers (1) mit mindestens einem eine parasitäre Diode (2) aufweisenden Feldeffekttransistor (7), der in dem Halbleiterkörper integriert ist, wobei die parasitäre Diode (2) einen Lastanschluss des Feldeffekttransistor (7) mit einem Bulk-Anschluss (15) des Halbleiterkörpers (1) verbindet, und mit einer mit der parasitären Diode (2) über den Bulk-Anschluss (15) am Halbleiterkörper (1) elektrisch verbundenen Auswerteeinheit (3), die dazu ausgebildet ist, einen Strom (14) in die parasitäre Diode (2) einzuspeisen und einen temperaturabhängigen Spannungsabfall (16) über der parasitären Diode (2) auszuwerten, wobei Richtung des in die Diode (2) eingespeisten Stromes (14) derart ist, dass diese in Flussrichtung betrieben wird, wobei die Auswerteeinheit (3) eine Kurzschlussvorrichtung (18, 19, 49) umfasst, die dazu geeignet ist, die parasitäre Diode (2) temporär kurzzuschließen.
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公开(公告)号:DE102013107379A1
公开(公告)日:2014-01-16
申请号:DE102013107379
申请日:2013-07-11
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: HIRLER FRANZ , MEISER ANDREAS , THIELE STEFFEN
IPC: H03K17/687 , H01L29/06 , H01L29/732 , H01L29/78
Abstract: Bereitgestellt wird eine Brückenschaltung. Die Brückenschaltung beinhaltet ein erstes integriertes Halbleiterbauelement (100), das einen High-Side-Schalter (M1) aufweist, ein zweites integriertes Halbleiterbauelement (200), das einen Low-Side-Schalter (M2) aufweist, der mit dem High-Side-Schalter (M1) elektrisch verbunden ist, einen ersten Pegelwandler (T1), der mit dem High-Side-Schalter (M1) elektrisch verbunden ist und entweder im ersten integrierten Halbleiterbauelement (100) oder im zweiten integrierten Halbleiterbauelement (200) integriert ist, und einen zweiten Pegelwandler (T0), der mit dem Low-Side-Schalter (M2) elektrisch verbunden ist und entweder im ersten integrierten Halbleiterbauelement (100) oder im zweiten integrierten Halbleiterbauelement (200) integriert ist. Ferner wird ein integriertes Halbleiterbauelement bereitgestellt.
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公开(公告)号:DE102008059853A1
公开(公告)日:2010-06-02
申请号:DE102008059853
申请日:2008-12-01
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: THIELE STEFFEN , THEIL ARON
IPC: G01R19/00 , H03K17/082 , H03K17/687
Abstract: One aspect is a circuit arrangement having a load current path with a load transistor having a first and a second load path terminal and a control terminal. A first measurement current path includes a measuring transistor having a first and a second load path terminal and a control terminal. The control terminals and first load path terminals of the load transistor and the measuring transistor are coupled. A first regulating circuit has a controllable resistor and is designed to drive the resistor depending on electrical potentials at the second load path terminals of the load transistor and of the measuring transistor. A current mirror circuit is coupled between the first measurement current path and a second measurement current path. A deactivation circuit is designed to deactivate the first regulating circuit depending on a current flowing through the measuring transistor.
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公开(公告)号:DE10343083B4
公开(公告)日:2006-03-23
申请号:DE10343083
申请日:2003-09-17
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: ROSMEIER LUDWIG , RACKI MATHIAS , ZUNDEL MARKUS , SANDER RAINALD , THIELE STEFFEN
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , H01L23/58 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/78
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