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    Transistoranordnungen mit einer in einem Trennungstrench angeordneten Elektrode
    2.
    发明专利
    Transistoranordnungen mit einer in einem Trennungstrench angeordneten Elektrode 未知

    公开(公告)号：DE102004063946B4

    公开(公告)日：2018-03-22

    申请号：DE102004063946

    申请日：2004-05-19

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KRISCHKE NORBERT ,  VANNUCCI NICOLA ,  LANZERSTORFER SVEN DR ,  OSTERMANN THOMAS ,  RACKI MATHIAS ,  ZUNDEL MARKUS DR

    IPC: H01L21/762 ,  G11C29/00 ,  H01L23/62 ,  H01L27/085 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

    Abstract: Trenchtransistoranordnung, mit einem Halbleiterkörper (30, 40), in dem mehrere nebeneinander angeordnete Trenchtransistoren ausgebildet sind, wobei wenigstens einer dieser Trenchtransistoren ein Zellenfeld mit mehreren Zellenfeldtrenches aufweist und die Trenchtransistoren durch Isolationsstrukturen, die jeweils einen Trennungstrench (50) aufweisen, gegeneinander elektrisch isoliert sind, und die Trennungstrenches (50) in Randbereichen der Trenchtransistoren ausgebildet sind, wobei in jedem Trennungstrench (50) eine mit Substratpotenzial verbundene Elektrode (52) angeordnet ist, und der Trennungstrench (50) tiefer in den Halbleiterkörper (30, 40) eindringt als die dotierten Wannengebiete (31, 44), dadurch gekennzeichnet, dass die Trennungstrenches (50) Randabschlüsse dotierter Wannengebiete (31, 44) bilden und ein an den Trennungstrench (50) angrenzendes p-dotiertes Gebiet (41) zur Unterdrückung eines durch das an der mit dem Substratpotenzial verbundenen Elektrode (52) des Trennungstrenches (50) liegende Potential ermöglichten n-Kanales zum Halbleiterkörper (40) dient.

    Transistor mit Zellenfeld, Temperatursensor und Isolationsstruktur
    3.
    发明专利
    Transistor mit Zellenfeld, Temperatursensor und Isolationsstruktur 未知

    公开(公告)号：DE102004024887B4

    公开(公告)日：2012-01-26

    申请号：DE102004024887

    申请日：2004-05-19

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KRISCHKE NORBERT ,  VANNUCCI NICOLA ,  LANZERSTORFER SVEN DR ,  KROTSCHECK THOMAS ,  RACKI MATHIAS ,  ZUNDEL MARKUS DR

    IPC: H01L23/62 ,  H01L27/02 ,  H01L29/78

    Abstract: Transistor, der aufweist: – ein Zellenfeld mit mehreren aktiven Transistorzellen (74) aus jeweils Sourcegebieten (62), Bodygebieten (63), Draingebieten (64) und in Zellenfeld-Trenches (61) vorgesehenen Gates, – einen Temperatursensor (66), der in das Zellenfeld integriert ist oder an dieses angrenzt, und – eine Isolationsstruktur (70, 71, 72, 81), die den Temperatursensor (66) gegenüber dem Zellenfeld elektrisch isoliert, wobei der Abstand zwischen dem Temperatursensor (66) und der dem Temperatursensor (66) nächstgelegenen aktiven Transistorzelle (74) der Schrittweite zwischen den aktiven Transistorzellen (74) innerhalb des Zellenfelds entspricht, wobei – die Isolationsstruktur einen Trennungstrench (70), der zwischen dem Zellenfeld und dem Temperatursensor (66) angeordnet ist, aufweist, und – die Innenwände eines Zellenfeld-Trenches (61) der dem Temperatursensor (66) nächstgelegenen aktiven Transistorzelle (74) sowie die Innenwände des Trennungstrenchs (70) mit Isolationsschichten ausgekleidet sind, wobei wenigstens zwei in horizontaler Richtung aufeinanderfolgende und zueinander benachbarte Isolationsschichten (77, 78), die innerhalb des Trennungstrenchs (70) und...

    HALBLEITERANORDNUNG MIT INTEGRIERTEM TEMPERATURSENSOR UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG UND ANWENDUNG
    4.
    发明专利
    HALBLEITERANORDNUNG MIT INTEGRIERTEM TEMPERATURSENSOR UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG UND ANWENDUNG 未知

    公开(公告)号：DE102019135495B3

    公开(公告)日：2021-05-12

    申请号：DE102019135495

    申请日：2019-12-20

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： FINNEY ADRIAN ,  KRISCHKE NORBERT ,  RACKI MATHIAS

    IPC: H01L27/07 ,  G01K7/01

    Abstract: Eine Halbleiteranordnung ist beschrieben. Die Halbleiteranordnung umfasst: einen Halbleiterkörper (100) und einen in dem Halbleiterkörper (100) integrierten Temperatursensor (TES). Der Temperatursensor (TES) umfasst: ein erstes Halbleitergebiet (11) eines ersten Dotierungstyps, der in einer vertikalen Richtung (z) des Halbleiterkörpers (100) zwischen einem zweiten Halbleitergebiet (21) eines zweiten Dotierungstyps und einem dritten Halbleitergebiet (30) des zweiten Dotierungstyps angeordnet ist, und einen Kontaktstöpsel (4; 41), der das erste Halbleitergebiet (11) und das zweite Halbleitergebiet (21) ohmsch verbindet. Das erste Halbleitergebiet (11) umfasst einen Basisgebietsabschnitt (111), der zu dem Kontaktstöpsel (4; 41) in einer ersten lateralen Richtung (x) des Halbleiterkörpers (100) beabstandet ist, und einen Widerstandsabschnitt (112), der zwischen dem Basisgebietsabschnitt (111) und dem Kontaktstöpsel (4; 41) angeordnet ist, wobei der Widerstandsabschnitt (112) so realisiert ist, dass ein ohmscher Widerstand des Widerstandsabschnitts (112) zwischen dem Basisgebietsabschnitt (111) und dem ersten Halbleitergebiet (21) wenigstens 1 MΩ beträgt.

    Resistance sensor measuring temperature in e.g. vertical power field effect transistor, is integrated with heater into substrate accommodating transistor, to test operational reliability
    9.
    发明专利
    Resistance sensor measuring temperature in e.g. vertical power field effect transistor, is integrated with heater into substrate accommodating transistor, to test operational reliability 未知

    公开(公告)号：DE102005043271A1

    公开(公告)日：2007-03-15

    申请号：DE102005043271

    申请日：2005-09-12

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAIER AXEL SASCHA ,  RACKI MATHIAS ,  FAZEKAS JOSEF

    IPC: H01L23/58 ,  G01K7/01 ,  H01L27/06

    Abstract: Ohmic measurement sensor (TS) element (SR) is constructed in the substrate (1) accommodating the integrated semiconductor component (VT), to measure its (VT) temperature. The measurement resistance is made of doped polysilicon. It is constructed in a trench (2) in the substrate, from which it is isolated by an oxide insulation layer. The semiconductor is a vertical power field effect transistor (VMOS technology), with source and drain zones (S, D) and an intermediate channel (K). Gate is formed in the trench (2), on a trench insulation layer (5). The substrate is silicon, the gate (G) is doped polysilicon and the trench insulation layer (5) comprises SiO 2. A heater (H) heats the semiconductor component, and comprises a heating resistance element (HR) insulated from the trench by an oxide layer (5). The trench accommodating all the foregoing components, has uniform depth and width (h1, b1). The semiconductor component is immediately adjacent to the sensor and/or heater. A metallic connection layer (4) on the surface of the substrate, makes contact with the source. A length of this layer is less than a length of the heater. The trench for the semiconductor sensor, extends at least up to the channel zone of the field effect transistor.

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