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    31.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：ES2218399T3

    公开(公告)日：2004-11-16

    申请号：ES01915149

    申请日：2001-01-19

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BERTHOLD JORG ,  SEWALD DIETER ,  TIEBOUT MARC

    IPC: H01F17/00 ,  H01F27/36 ,  H01L23/522 ,  H01F17/02 ,  H01L23/64

    Abstract: The coil and coil system is provided for integration in a microelecronic circuit. The coil is placed inside an oxide layer of a chip, and the oxide layer is placed on the substrate surface of a substrate. The coil comprises one or more windings, whereby the winding(s) is/are formed by at least segments of two conductor tracks, which are each provided in spatially spaced-apart metalization levels, and by via-contacts which connect these conductor track(s) and/or conductor track segments. In order to be able to produce high-quality coils, a coil is produced with the largest possible coil cross-section, whereby a standard metalization, especially a standard metalization using copper, can, however, be used for producing the oil. To this end, the via contacts are formed from a stack of two ore more via elements arranged one above the other. Parts of the metalization levels can be located between the via elements.

    32.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE50101907D1

    公开(公告)日：2004-05-13

    申请号：DE50101907

    申请日：2001-01-19

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BERTHOLD JOERG ,  SEWALD DIETER ,  TIEBOUT MARC

    IPC: H01F17/00 ,  H01F27/36 ,  H01L23/522 ,  H01F17/02 ,  H01L23/64

    Abstract: The coil and coil system is provided for integration in a microelecronic circuit. The coil is placed inside an oxide layer of a chip, and the oxide layer is placed on the substrate surface of a substrate. The coil comprises one or more windings, whereby the winding(s) is/are formed by at least segments of two conductor tracks, which are each provided in spatially spaced-apart metalization levels, and by via-contacts which connect these conductor track(s) and/or conductor track segments. In order to be able to produce high-quality coils, a coil is produced with the largest possible coil cross-section, whereby a standard metalization, especially a standard metalization using copper, can, however, be used for producing the oil. To this end, the via contacts are formed from a stack of two ore more via elements arranged one above the other. Parts of the metalization levels can be located between the via elements.

    33.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：AT264003T

    公开(公告)日：2004-04-15

    申请号：AT01915149

    申请日：2001-01-19

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BERTHOLD JOERG ,  SEWALD DIETER ,  TIEBOUT MARC

    IPC: H01F17/02 ,  H01F17/00 ,  H01F27/36 ,  H01L23/522 ,  H01L23/64

    Abstract: The coil and coil system is provided for integration in a microelecronic circuit. The coil is placed inside an oxide layer of a chip, and the oxide layer is placed on the substrate surface of a substrate. The coil comprises one or more windings, whereby the winding(s) is/are formed by at least segments of two conductor tracks, which are each provided in spatially spaced-apart metalization levels, and by via-contacts which connect these conductor track(s) and/or conductor track segments. In order to be able to produce high-quality coils, a coil is produced with the largest possible coil cross-section, whereby a standard metalization, especially a standard metalization using copper, can, however, be used for producing the oil. To this end, the via contacts are formed from a stack of two ore more via elements arranged one above the other. Parts of the metalization levels can be located between the via elements.

    34.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE10162263A1

    公开(公告)日：2003-07-10

    申请号：DE10162263

    申请日：2001-12-18

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： TIEBOUT MARC

    IPC: H01F17/00 ,  H01F21/12 ,  H01F27/40 ,  H01L23/522 ,  H01L23/66 ,  H01L27/08 ,  H01F21/02 ,  H01F5/00 ,  H01F38/00

    Abstract: Inductive component including precisely one coil having a total inductance and a plurality of spiral turns which are realized in the form of conductor tracks having a conductor track width that tapers toward the center of the plurality of spiral turns, two tapping contacts at the coil, and a control circuit which is connected between the two tapping contacts and alters effective inductance of the coil.

    Transformatoren und Verfahren zum Herstellen derselben
    35.
    发明专利
    Transformatoren und Verfahren zum Herstellen derselben 未知

    公开(公告)号：DE102009034404B4

    公开(公告)日：2018-01-25

    申请号：DE102009034404

    申请日：2009-07-23

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HIRSCH KONRAD ,  MERTENS KOEN ,  TIEBOUT MARC

    IPC: H01L27/08 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L23/52

    Abstract: Transformator (120), aufweisend: – ein Halbleiter-Arbeitsstück (102); und – ein über dem Halbleiter-Arbeitsstück (102) angeordnetes Kapselungssystem, wobei das Kapselungssystem eine Umverdrahtungsschicht (104) und eine eingebettete Waferebenen-Ball-Grid-Array-Kapselung aufweist, wobei mindestens ein Teil mindestens einer ersten Wicklung (122) des Transformators (120) in der Umverdrahtungsschicht (104) des Kapselungssystems angeordnet ist und wobei mindestens ein Teil einer zweiten Wicklung (124) des Transformators (120) in mindestens einer leitfähigen Materialschicht des Halbleiter-Arbeitsstücks (102) in der Nähe des mindestens einen Teils der ersten Wicklung (122) angeordnet ist.

    System und Verfahren für einen spannungsgesteuerten Oszillator
    36.
    发明专利
    System und Verfahren für einen spannungsgesteuerten Oszillator 未知

    公开(公告)号：DE102015212090B4

    公开(公告)日：2017-11-02

    申请号：DE102015212090

    申请日：2015-06-29

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BEVILACQUA ANDREA ,  TIEBOUT MARC

    IPC: H03B5/12 ,  H03B5/08

    Abstract: Oszillator, welcher Folgendes umfasst: eine Tankschaltung und eine Oszillatorkernschaltung, welche mehrere über Kreuz geschaltete Verbundtransistoren umfasst, die mit der Tankschaltung gekoppelt sind, wobei jeder der mehreren Verbundtransistoren einen Bipolartransistor und einen Feldeffekttransistor (FET) mit einer Source-Elektrode, welche mit einer Basis des Bipolartransistors gekoppelt ist, umfasst, wobei eine Drain-Elektrode des FETs mit einem Kollektor des Bipolartransistors gekoppelt ist.

    Leistungsdetektor-Hochfrequenzmultiplexer
    37.
    发明专利
    Leistungsdetektor-Hochfrequenzmultiplexer 未知

    公开(公告)号：DE102008039783B4

    公开(公告)日：2015-01-29

    申请号：DE102008039783

    申请日：2008-08-26

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： DERKSEN SVEN ,  MARSILI STEFANO ,  MERTENS KOEN ,  TIEBOUT MARC ,  WIESBAUER ANDREAS

    IPC: H04B17/00 ,  H04B7/005 ,  H04J1/08

    Abstract: Schaltung, umfassend: einen Leistungsdetektor (128; 204; 304; 404); und eine mit dem Leistungsdetektor (128; 204; 304; 404) gekoppelte Multiplexerschaltung (102; 202; 302; 402), wobei die Multiplexerschaltung (102; 202; 302; 402) mindestens zwei Schaltteile (208, 210; 310, 312) enthält, wobei einer der Schaltteile (208, 210; 310, 312) zum Weiterleiten eines auf Grundlage eines Modulationsverfahrens erzeugten Signals zum Leistungsdetektor (128; 204; 304; 404) und ein weiterer der Schaltteile (208, 210; 310, 312) zum Weiterleiten eines Signals zum Eichen des Leistungsdetektors (128; 204; 304; 404) ausgestaltet ist, wobei jeder der mindestens zwei Schaltteile (208, 210; 310, 312) einen Schalter (212, 220; 316, 326, 336, 346) umfasst, der die Weiterführung von Signalen zum Leistungsdetektor ermöglicht, wobei der Schalter (212, 220; 316, 326, 336, 346) jedes der mindestens zwei Schaltteile (208, 210; 310, 312) Signale zum Leistungsdetektor (128; 204; 304; 404) weiterführt, wenn er sich in einem geschlossenen Zustand befindet, und wobei jeder der mindestens zwei Schaltteile (208, 210; 310, 312) einen weiteren Schalter (214, 222; 318, 328, 338, 348) umfasst, der das Weiterführen von Signalen zur Erde ermöglicht, wobei der weitere Schalter (214, 222; 318, 328, 338, 348) von jedem der mindestens zwei Schaltteile (208, 210; 310, 312) das Weiterführen von Signalen zur Erde ermöglicht, wenn er sich in einem geschlossenen Zustand befindet.

    Vorspannen eines Transistors außerhalb eines Versorgungsspannungsbereiches
    38.
    发明专利
    Vorspannen eines Transistors außerhalb eines Versorgungsspannungsbereiches 未知

    公开(公告)号：DE102009041512B4

    公开(公告)日：2014-02-13

    申请号：DE102009041512

    申请日：2009-09-14

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAUMGARTNER PETER ,  SIPRAK DOMAGOJ ,  TIEBOUT MARC

    IPC: H03K17/16

    Abstract: Schaltkreis, umfassend: einen ersten Transistor (2702), welcher ausgestaltet ist, zwischen einem ersten Gate-vorgespannten Zustand und einem zweiten Gate-vorgespannten Zustand umgeschaltet zu werden; und einen zweiten Transistor (2704), welcher ausgestaltet ist, zwischen einem ersten Gate-vorgespannten Zustand und einem zweiten Gate-vorgespannten Zustand umgeschaltet zu werden, wobei mindestens einer der Gate-vorgespannten Zustände für jeden Transistor außerhalb eines Versorgungsspannungsbereiches liegt und wobei der erste Transistor (2702) und der zweite Transistor (2704) entweder paarweise NMOS Transistoren oder PMOS Transistoren umfassen, und – einen Steuerschaltkreis, welcher ausgestaltet ist, den ersten Transistor (2702) zwischen einem ersten Gate-vorgespannten Zustand und einem zweiten Gate-vorgespannten Zustand umzuschalten und den zweiten Transistor (2704) zwischen einem zweiten Gate-vorgespannten Zustand und einem ersten Gate-vorgespannten Zustand umzuschalten, wobei der erste Transistor in dem ersten Gate-vorgespannten Zustand außerhalb des Versorgungsspannungsbereiches einen ausgeschalteten Zustand erreicht und der zweite Transistor in dem zweiten Gate-vorgespannten Zustand außerhalb des Versorgungsspannungsbereiches einen ausgeschalteten Zustand erreicht.

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