公开(公告)号：EP1897869A4

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：EP06746255

申请日：2006-05-11

Applicant: JSR CORP

Inventor： NAGAI TOMOKI ,  SHIMOKAWA TSUTOMU ,  SUGIURA MAKOTO ,  KAWAKAMI TAKANORI ,  EBATA TAKUMA ,  YONEDA EIJI ,  SHIMIZU MAKOTO

IPC: C07C309/10 ,  C07C309/12 ,  C07C309/19 ,  C07C309/20 ,  C07C381/12 ,  C07D209/76 ,  C08F20/38 ,  C08F28/02 ,  C08F220/12 ,  C08L33/04 ,  C08L41/00 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC classification number: C09D133/14 ,  C07C309/10 ,  C07C309/12 ,  C07C309/19 ,  C07C309/20 ,  C07C381/12 ,  C07D209/76 ,  C08F20/38 ,  C08F28/00 ,  C08F28/02 ,  C08F214/18 ,  C08F220/12 ,  C08F220/18 ,  C08F220/24 ,  C08F220/28 ,  C08F228/02 ,  C09D141/00 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397

公开(公告)号：EP1679314A4

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：EP04792382

申请日：2004-10-14

Applicant: JSR CORP

Inventor： NISHIMURA ISAO ,  YAMAHARA NOBORU ,  TANAKA MASATO ,  SHIMOKAWA TSUTOMU

IPC: C07F7/18 ,  C07F7/08 ,  C08G77/14 ,  C08G77/24 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0757 ,  C07F7/0852 ,  C07F7/1836 ,  C08G77/14 ,  C08G77/24 ,  G03F7/0045

Abstract: Disclosed is a novel polysiloxane which is suitable for a resin component in a chemically amplified resist that is particularly excellent in I-D bias, depth of focus (DOF) and the like. Also disclosed are a novel silane compound useful as a raw material for synthesizing such a polysiloxane, and a radiation-sensitive resin composition containing such a polysiloxane. The silane compound is represented by the following formula (I). (I) The polysiloxane has a constitutional unit represented by the following formula (1). (1) (R represents an alkyl group; R and R respectively represent a fluorine atom, a lower alkyl group or a lower fluorinated alkyl group; n is 0 or 1; k is 1 or 2; and i is an integer of 0-10.) The radiation-sensitive resin composition contains such a polysiloxane and a radiation-sensitive acid generator.

公开(公告)号：JP2017082173A

公开(公告)日：2017-05-18

申请号：JP2015214790

申请日：2015-10-30

Applicant: Jsr株式会社 ,  Jsr Corp ,  Jsr株式会社

Inventor： SHIMOKAWA TSUTOMU ,  MASUKO HIDEAKI ,  MATSUMOTO HIDEYUKI ,  MURATA HIROSUKE ,  WAKABAYASHI RYUTARO ,  NARUKO AKITO ,  SUGITA HIKARI ,  ICHINOHE DAIGO

IPC: C08F220/26 ,  C08F212/14 ,  G02B1/04 ,  G03F7/031 ,  G03F7/033 ,  G03F7/075 ,  G03F7/20

Abstract: 【課題】電子ペーパー等のフレキシブルディスプレイの基板として用いる、優れた表面硬度を有すると共に耐薬品性、耐熱性、透明性及び低誘電性などの一般的特性を十分満足可能な硬化膜を形成でき、かつ保存安定性に優れる硬化膜形成用樹脂材料、並びに前記樹脂材料を用いた硬化膜の形成方法、硬化膜、半導体素子及び表示素子の提供。【解決手段】酸性基を有する構造単位、並びに式(1−1)で表される基及び式(1−2)で表される基から選ばれる少なくとも1種の基を有する構造単位を含む重合体を含有する硬化膜形成用樹脂材料。(R1はH、ハロゲン原子、ヒドロキシ又はC1〜6のアルコキシ;R2及びR3は夫々独立にH、ハロゲン、アルキル等である。A1及びA2は、ハロゲン、ヒドロキシ等)【選択図】なし

公开(公告)号：JP2010282189A

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：JP2010107156

申请日：2010-05-07

Applicant: Jsr Corp ,  Jsr株式会社

Inventor： SHIMOKAWA TSUTOMU ,  EHATA TAKUMA

IPC: G03F7/004 ,  C07C25/00 ,  C07C309/12 ,  C07C381/12 ,  C08F220/18 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation-sensitive resin composition that has small LWR (Line Width Roughness) and MEEF (Mask Error Enhancement Factor), has an excellent crude/dense bias, and has high storage stability. SOLUTION: The radiation-sensitive resin composition includes a resin (A), a radiation-sensitive acid generator (B), an acid diffusion controller (C), and a solvent (D). The acid generator (B) is expressed by general formula (I). The solvent (D) includes about 50-90 mass% of propylene glycol monomethyl ether acetate to the total solvent. In the general formula (I), M+ represents a sulfonium cation or an iodonium cation. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供具有小LWR（线宽粗糙度）和MEEF（掩模误差增强因子）的辐射敏感性树脂组合物，具有优异的原始/致密偏压，并且具有高储存稳定性。 解决方案：辐射敏感性树脂组合物包括树脂（A），辐射敏感性酸产生剂（B），酸扩散控制剂（C）和溶剂（D）。 酸产生剂（B）由通式（I）表示。 溶剂（D）在总溶剂中含有约50〜90质量％的丙二醇单甲醚乙酸酯。 在通式（I）中，M +表示锍阳离子或碘鎓阳离子。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2010258349A

公开(公告)日：2010-11-11

申请号：JP2009109271

申请日：2009-04-28

Applicant: Jsr Corp ,  Jsr株式会社

Inventor： SHIMOKAWA TSUTOMU ,  NISHIMURA YUKIO ,  OKAMOTO TADASHI

IPC: H01L21/027 ,  B29C59/02 ,  C08F2/46 ,  C08F16/12

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photosetting composition for nanoimprint lithography which is used for improving an integration density or a recording density of a circuit, having a semiconductor element and so on. SOLUTION: The photosetting composition for nanoimprint lithography contains a compound (A) having a substituting group expressed by formula (1) and a photoacid generator (B), and the composition has a viscosity equal to or less than 50 mPa s at 25°C. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于提高具有半导体元件等的电路的集成密度或记录密度的纳米压印光刻用光固化组合物。 解决方案：用于纳米压印光刻的光固化组合物含有具有由式（1）表示的取代基和光酸产生剂（B）的化合物（A），并且组合物的粘度等于或小于50mPa·s 25℃。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2010159244A

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：JP2009200930

申请日：2009-08-31

Applicant: Jsr Corp ,  Jsr株式会社 ,  Kanagawa Univ ,  学校法人神奈川大学

Inventor： NISHIKUBO TATATOMI ,  KUDO HIROTO ,  NIINA NOBUMITSU ,  SHIMOKAWA TSUTOMU ,  KAI TOSHIYUKI ,  MARUYAMA KEN

IPC: C07C41/30 ,  C07B61/00 ,  C07C43/205 ,  C07C43/23

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing an arene compound useful as a raw material of a base material component contained in a radiation-sensitive composition forming a chemically amplifiable positive type resist film effectively responsive to an EB (electron beam) and the like.
SOLUTION: The method for producing the arene compound comprises a condensation reaction step for subjecting a compound represented by general formula (1) and a compound represented by general formula (2) to a condensation reaction.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Abstract translation: 解决问题的方法：提供一种用作生成可以有效地响应于EB（电子束）的化学放大型正型抗蚀剂膜的辐射敏感性组合物中所含的基材成分的原料的芳烃化合物的制造方法 ）等。 解决方案：芳族化合物的制备方法包括将通式（1）表示的化合物和通式（2）表示的化合物进行缩合反应的缩合反应步骤。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2010044374A

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：JP2009164814

申请日：2009-07-13

Applicant: Jsr Corp ,  Jsr株式会社

Inventor： SHIMOKAWA TSUTOMU ,  EHATA TAKUMA ,  SAKAI KAORI

IPC: G03F7/004 ,  C07C19/07 ,  C07C309/12 ,  C07C381/12 ,  C08F20/10 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation-sensitive resin composition which enables formation of a chemically amplified resist having excellent resolution performance and small nano edge roughness. SOLUTION: The radiation-sensitive resin composition comprises (A) a radiation-sensitive acid generator having a partial structure represented by general formula (1) and (B) a resin. In general formula (1), R 1 represents a univalent hydrocarbon group or the like. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够形成具有优异的分辨率性能和小的纳米边缘粗糙度的化学放大抗蚀剂的辐射敏感性树脂组合物。 解决方案：辐射敏感性树脂组合物包含（A）具有由通式（1）表示的部分结构和（B）树脂的辐射敏感酸产生剂。 在通式（1）中，R 1表示一价烃基等。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2007191566A

公开(公告)日：2007-08-02

申请号：JP2006010401

申请日：2006-01-18

Applicant: Jsr Corp ,  Jsr株式会社

Inventor： KAWAKAMI MINEKI ,  SUGIURA MAKOTO ,  KUSUMOTO SHIRO ,  SHIMOKAWA TSUTOMU

IPC: C08F20/28 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation-sensitive resin composition useful for a chemically amplified resist with excellent dry etching resistance and a low LWR. SOLUTION: A not or sparingly alkali-soluble resin comprising repeating units (1) represented by formula (1) and becoming alkali-soluble by the action of an acid is provided. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供可用于具有优异的耐干蚀刻性和低LWR的化学放大抗蚀剂的辐射敏感性树脂组合物。 提供了包含由式（1）表示的重复单元（1）并且通过酸的作用变成碱溶性的不是或微小的碱溶性树脂。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2007106717A

公开(公告)日：2007-04-26

申请号：JP2005300865

申请日：2005-10-14

Applicant: Jsr Corp ,  Jsr株式会社

Inventor： YONEDA EIJI ,  SHIMOKAWA TSUTOMU

IPC: C07C309/14 ,  C07C19/07 ,  C07C381/12 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a basic compound suitable as an acid diffusion controller in a positive-type radiation-sensitive resin composition useful for fine processing in which every kind of radiation, such as far ultraviolet rays, an electron beam, and X rays, is used. SOLUTION: This basic compound comprises an onium salt expressed by general formula (1) (at least one of Z 1 and Z 2 is F or a 1-10C straight-chain or branched-chain perfluoroalkyl; R 1 s may be identical to or different from each other and are each an alkyl or a cycloalkyl, or two of R 1 s and N bonded thereto together form a ring; A is a bivalent organic group or a single bond; and M + is a sulfonium cation, an iodonium cation or the like). COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供一种适用于酸性扩散控制剂的碱性化合物，用于精细加工的正型辐射敏感性树脂组合物中，其中每种辐射如远紫外线，电子束， 和X射线。 解决方案：该碱性化合物包括由通式（1）表示的鎓盐（Z 1 和Z 2 中的至少一个为F或1-10C 直链或支链全氟烷基; R 1彼此可以相同或不同，并且各自为烷基或环烷基，或两个R 1 SP 和N键合在一起形成环; A是二价有机基团或单键; M 是锍阳离子，碘鎓阳离子等）。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2005340720A

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：JP2004160926

申请日：2004-05-31

Applicant: Jsr Corp ,  Jsr株式会社

Inventor： NISHIMURA ISAO ,  EGAWA HIROMI ,  TOTSUKA KEIKO ,  SUGITA HIKARI ,  SHIMOKAWA TSUTOMU

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/075 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of forming pattern by which the pattern of a silicon oxide can be formed by using an oxygen gas while controlling the pattern intervals of a fine pattern containing silicon, and to provide a method of manufacturing semiconductor device using the method. SOLUTION: The method of forming pattern includes a step of forming a resin coating film 4 on a substrate 1 provided with the pattern 2 containing the silicon, a step of heating the substrate 1 on which the resin coating film 4 is formed, and a step of removing the resin coating film 4 by using the oxygen gas and, at the same time, oxidizing the pattern 2. The method of manufacturing semiconductor device includes the method of forming pattern. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种形成图案的方法，通过使用氧气可以形成氧化硅的图案，同时控制含有硅的精细图案的图案间隔，并提供制造方法 半导体器件采用该方法。 解决方案：形成图案的方法包括在设置有包含硅的图案2的基板1上形成树脂涂膜4的步骤，对其上形成有树脂涂膜4的基板1进行加热的步骤， 以及通过使用氧气去除树脂被覆膜4并同时氧化图案2的步骤。半导体器件的制造方法包括形成图案的方法。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI