公开(公告)号：WO2018050543A1

公开(公告)日：2018-03-22

申请号：PCT/EP2017/072491

申请日：2017-09-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VARGHESE, Tansen ,  O'BRIEN, David ,  ROSSBACH, Georg

IPC: H01L33/50

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement umfassend eine Schichtenfolge mit einer aktiven Schicht, die dazu eingerichtet ist, im Betrieb des Bauelements eine elektromagnetische Primärstrahlung zu emittieren und ein Konversionselement, das im Strahlengang der elektromagnetischen Primärstrahlung angeordnet ist, angegeben. Das Konversionselement umfasst Quantenpunkte, die dazu eingerichtet sind, im Betrieb des Bauelements zumindest teilweise die elektromagnetische Primärstrahlung in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung zu konvertieren. Die Quantenpunkte weisen einen Durchmesser von einschließlich 50 nm bis einschließlich 500 nm auf.

Abstract translation: 它是一种光电子器件，其包括具有有源层的层序列，该层序列适于在元件的操作期间发射电磁主要辐射，以及布置在电磁主要辐射的光束路径中的转换元件 被指定。 转换元件包括量子点，该量子点被设置为在元件的操作期间至少部分地将电磁初级辐射转换成电磁次级辐射。 量子点的直径为50纳米至500纳米（包括500纳米）。

公开(公告)号：WO2017140615A1

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：PCT/EP2017/053133

申请日：2017-02-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VARGHESE, Tansen ,  AVRAMESCU, Adrian Stefan ,  SCHIMPKE, Tilman ,  MANDL, Martin

IPC: H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/08 ,  H01L33/14 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/18 ,  H01L33/08 ,  H01L33/145 ,  H01L33/24 ,  H01L33/385 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (20) beschrieben, das ein Substrat (1), eine Vielzahl nebeneinander angeordneter aktiver Bereiche (10, die vorzugsweise Mikro- oder Nanostäbe sind) und eine Stromaufweitungsschicht (4) aufweist, welche die aktiven Bereiche (10) zumindest teilweise bedeckt und elektrisch miteinander verbindet. Die aktiven Bereiche (10) sind zumindest teilweise beabstandet zueinander angeordnet und weisen eine Haupterstreckungsrichtung (z), einen Kernbereich (11), eine strahlungsemittierende Schicht (12) und eine Deckschicht (13) auf. Die strahlungsemittierende Schicht (12) bedeckt den Kernbereich (11) zumindest in Richtungen quer zur Haupterstreckungsrichtung (z) des aktiven Bereichs (10). Die Deckschicht (13) bedeckt die strahlungsemittierende Schicht (12) zumindest in Richtungen quer zur Haupterstreckungsrichtung (z) des aktiven Bereichs (10). Die aktiven Bereiche (10) weisen an einer vom Substrat (1) abgewandten Seite Oberseitenbereiche (14) auf, die nicht mit der Stromaufweitungsschicht (4) elektrisch leitend verbunden sind. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Halbleiterbauelements (20) angegeben.

Abstract translation:

下面将描述包含在衬底的光电子半导体器件（20）（1）中，由侧有源区域中的多个边的（10，优选微或Nanost BEAR是是），并且电流扩展层（4） 其至少部分覆盖并电连接有源区（10）。 有源区（10）被布置成彼此至少部分地隔开，并具有主延伸方向（z），核心区域（11），一个辐射发射层（12）和覆盖层（13）。 辐射发射层（12）至少在横向于有源区（10）的主延伸方向（z）的方向上覆盖芯区（11）。 覆盖层（13）至少在横向于有源区（10）的主延伸方向（z）的方向上覆盖辐射发射层（12）。 有源区（10）在没有电连接到电流扩展层（4）的顶侧部分（14）上具有远离衬底（1）的一侧。 此外，指定了用于制造光电子半导体部件（20）的方法

公开(公告)号：WO2016120398A1

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：PCT/EP2016/051827

申请日：2016-01-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  X-CELEPRINT LIMITED

Inventor： MEITL, Matthew ,  BOWER, Christopher ,  VARGHESE, Tansen

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/465 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0058

Abstract: A method for producing a plurality of semiconductor components is provided, wherein a semiconductor layer sequence having a first semiconductor layer, a second semiconductor layer and an active region is applied on a substrate. A contact structure is formed for electrically contacting the first and the second semiconductor layers. An auxiliary substrate is applied on the semiconductor layer sequence, so that the semiconductor layer sequence is arranged between the auxiliary substrate and the substrate. In a subsequent step, the substrate is removed from the semiconductor layer sequence. The semiconductor layer sequence is structured into a plurality of semiconductor bodies by forming at least one trench separating the semiconductor bodies. An anchoring layer is formed to cover the trench and vertical surfaces of the semiconductor bodies. A plurality of tethers is formed by structuring the anchoring layer in regions covering the trench. The auxiliary substrate is locally detached from the semiconductor bodies, wherein the tethers remain attached to the auxiliary substrate. At least one semiconductor body is selectively picked up by separating the tethers from the auxiliary substrate. Moreover, a semiconductor component produced by said method is provided.

Abstract translation: 提供一种用于制造多个半导体部件的方法，其中将具有第一半导体层，第二半导体层和有源区域的半导体层序列施加在基板上。 形成用于电接触第一和第二半导体层的接触结构。 在半导体层序列上施加辅助衬底，使得半导体层序列布置在辅助衬底和衬底之间。 在随后的步骤中，从半导体层序列中去除衬底。 半导体层序列通过形成分离半导体本体的至少一个沟槽而构成多个半导体本体。 形成锚固层以覆盖半导体主体的沟槽和垂直表面。 通过在覆盖沟槽的区域中构造锚定层来形成多个系绳。 辅助基板与半导体本体分离，其中系绳保持附着在辅助基板上。 通过将绳索与辅助基板分开来选择性地拾取至少一个半导体体。 此外，提供了通过所述方法制造的半导体部件。