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公开(公告)号:DE112018001450A5
公开(公告)日:2019-12-12
申请号:DE112018001450
申请日:2018-03-16
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: AVRAMESCU ADRIAN STEFAN , VARGHESE TANSEN , STRASSBURG MARTIN , LUGAUER HANS-JÜRGEN , FÜNDLING SÖNKE , HARTMANN JANA , STEIB FREDERIK , WAAG ANDREAS
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01L33/08 , H01L33/16 , H01L33/20
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公开(公告)号:DE102017113741A1
公开(公告)日:2018-12-27
申请号:DE102017113741
申请日:2017-06-21
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: VARGHESE TANSEN
Abstract: Optoelektronisches Halbleiterbauelement (20) zur Emission mehrfarbiger Strahlung (R, G, B), mit- einer Vielzahl nebeneinander angeordneter aktiver Bereiche (10a, 10b, 10c), die als Mikro- oder Nanostäbe ausgebildet sind und zur Erzeugung einer elektromagnetischen Primärstrahlung (B) eingerichtet sind, wobei- einer ersten Gruppe der aktiven Bereiche (10a) in einer Abstrahlrichtung jeweils ein erstes Lumineszenzkonversionselement (21) nachfolgt, das zur Konvertierung der Primärstrahlung (B) in eine erste Sekundärstrahlung (R) geeignet ist, und- einer zweiten Gruppe der aktiven Bereiche (10b) in der Abstrahlrichtung jeweils ein zweites Lumineszenzkonversionselement (22) nachfolgt, das zur Konvertierung der Primärstrahlung (B) in eine zweite Sekundärstrahlung (G) geeignet ist.
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公开(公告)号:DE102013103605A1
公开(公告)日:2014-10-16
申请号:DE102013103605
申请日:2013-04-10
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: VARGHESE TANSEN , LUGAUER HANS-JÜRGEN , KÖLPER CHRISTOPHER
IPC: H01L33/30 , H01L31/0693 , H01L31/0735 , H01L31/18 , H01L33/14
Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einer Halbleiterschichtenfolge (105, 205). Die Halbleiterschichtenfolge (105, 205) weist eine auf wenigstens einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial basierende optoelektronisch aktive Zone (112, 212), und eine auf wenigstens einem II-VI-Verbindungshalbleitermaterial basierende Schicht (111, 211) auf. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Bauelements.
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