中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

12 records (took 0.023 seconds)

    Verfahren zum Messen einer von einer Mehrzahl von Leuchtdioden abgegebenen Lichtstrahlung und Vorrichtung zum Messen einer von einer Mehrzahl von auf einem Träger nebeneinander angeordneten Leuchtdioden abgegebenen Lichtstrahlung
    1.
    发明专利
    Verfahren zum Messen einer von einer Mehrzahl von Leuchtdioden abgegebenen Lichtstrahlung und Vorrichtung zum Messen einer von einer Mehrzahl von auf einem Träger nebeneinander angeordneten Leuchtdioden abgegebenen Lichtstrahlung 未知

    公开(公告)号：DE102012215092B4

    公开(公告)日：2025-02-27

    申请号：DE102012215092

    申请日：2012-08-24

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SPECHT HOLGER ,  LINKOV ALEXANDER ,  KÖLPER CHRISTOPHER ,  KATZ SIMEON

    IPC: G01J1/04 ,  G01M11/02 ,  H01L21/66

    Abstract: Verfahren zum Messen einer von einer Mehrzahl von Leuchtdioden (210) abgegebenen Lichtstrahlung (300), wobei die Lichtstrahlung (300) von den auf einem Träger (200) nebeneinander angeordneten Leuchtdioden (210) gruppenweise gemessen wird, wobei zu vermessende Gruppen (220) aus den Leuchtdioden (210) jeweils in einer vorgegebenen Messposition gemessen werden, und wobei bei jeder zu vermessenden Gruppe (220) die zugehörigen Leuchtdioden (210) nacheinander die Lichtstrahlung (300) abgeben, wobei ein Ende (121) einer Lichtleitfaser (120), welche mit einer Messeinrichtung (130) verbunden ist, durch eine optische Einrichtung (140) hindurch mit der von der Leuchtdiode (210) der zu vermessenden Gruppe (220) abgegebenen Lichtstrahlung (300) bestrahlt wird, so dass ein Teil der Lichtstrahlung (300) in die Lichtleitfaser (120) eingekoppelt und zu der Messeinrichtung (130) geführt wird, wobei die optische Einrichtung (140) bewirkt, dass die die optische Einrichtung (140) durchtretende Lichtstrahlung (300) in diffuser Form abgegeben wird, wobei die optische Einrichtung (140) eine Streuscheibe aufweist, wobei die Leuchtdioden (210) der einzelnen Gruppen (220) von einer zum Aktivieren der Leuchtdioden (210) verwendeten Aktivierungseinrichtung (110) kontaktiert werden, welche die Leuchtdioden (210) einer Gruppe (220) aufeinanderfolgend aktiviert, wobei die Aktivierungseinrichtung (110) eine an einer Halterung befestigte Anordnung aus Messnadeln (111) umfasst, über die die Leuchtdioden (210) an einer Vorderseite kontaktiert werden, wobei sich die Messnadeln (111) von der Seite her zu den betreffenden Leuchtdioden (210) erstrecken.

    Halbleiterbauelement
    3.
    发明专利
    Halbleiterbauelement 未知

    公开(公告)号：DE102015119817A1

    公开(公告)日：2017-05-18

    申请号：DE102015119817

    申请日：2015-11-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PUST PHILIPP ,  RACZ DAVID ,  KÖLPER CHRISTOPHER

    IPC: H01L33/50 ,  C09K11/77 ,  H01L33/46

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterchip zur Erzeugung einer elektromagnetischen Primärstrahlung mit einer ersten Peakwellenlänge, mit einem ersten Konversionselement, das eine Quantenstruktur aufweist, wobei die Quantenstruktur ausgebildet ist, um die Primärstrahlung wenigstens teilweise in eine Sekundärstrahlung mit einer zweiten Peakwellenlänge zu verschieben, wobei ein zweites Konversionselement vorgesehen ist, das einen Leuchtstoff aufweist, wobei der Leuchtstoff ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Strahlung zu einer Tertiärstrahlung mit einer Dominanzwellenlänge zu verschieben, wobei das erste Konversionselement ausgebildet ist, um eine Sekundärstrahlung zu erzeugen, die eine kleinere Peakwellenlänge als die Dominanzwellenlänge der Tertiärstrahlung aufweist.

    Hinterleuchtungseinrichtung
    5.
    发明专利
    Hinterleuchtungseinrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102014213549A1

    公开(公告)日：2016-01-14

    申请号：DE102014213549

    申请日：2014-07-11

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KIMME FELIX ,  KÖLPER CHRISTOPHER ,  BRICK PETER

    IPC: G02F1/13357

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine Hinterleuchtungseinrichtung, aufweisend mehrere in einer Ebene angeordnete Halbleiter-Lichtquellen zur Erzeugung von Lichtstrahlung und eine seitlich der Halbleiter-Lichtquellen angeordnete Seitenwand. Die Seitenwand ist geneigt zu der durch die Halbleiter-Lichtquellen vorgegebenen Ebene. Des Weiteren ist die Seitenwand an einer Seite, welche mit Lichtstrahlung der Halbleiter-Lichtquellen bestrahlbar ist, retroreflektierend. Die Erfindung betrifft ferner eine Vorrichtung aufweisend eine solche Hinterleuchtungseinrichtung.

    Hinterleuchtungseinrichtung und Vorrichtung, aufweisend eine Hinterleuchtungseinrichtung
    6.
    发明专利
    Hinterleuchtungseinrichtung und Vorrichtung, aufweisend eine Hinterleuchtungseinrichtung 未知

    公开(公告)号：DE112015003221B4

    公开(公告)日：2022-10-06

    申请号：DE112015003221

    申请日：2015-05-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KIMME FELIX ,  KÖLPER CHRISTOPHER ,  BRICK PETER

    IPC: G02F1/13357 ,  G02B5/12 ,  G02F1/1335

    Abstract: Hinterleuchtungseinrichtung (105), aufweisend:mehrere in einer Ebene angeordnete Halbleiter-Lichtquellen (110) zur Erzeugung von Lichtstrahlung (150); undeine seitlich der Halbleiter-Lichtquellen (110) angeordnete Seitenwand (121, 122),wobei die Seitenwand (121, 122) geneigt ist zu der durch die Halbleiter-Lichtquellen (110) vorgegebenen Ebene,wobei die Seitenwand (121, 122) an einer Seite, welche mit Lichtstrahlung (150) der Halbleiter-Lichtquellen (110) bestrahlbar ist, retroreflektierend ist,wobei die retroreflektierende Seitenwand (121, 122) ausgebildet ist, mehr als 50% einer einfallenden Lichtstrahlung (150) in einem vorgegebenen Winkelbereich (163) in Richtung der einfallenden Lichtstrahlung (150) zurückzureflektieren,wobei die retroreflektierende Seitenwand (121, 122) eine retroreflektierende Struktur (250) aufweist, wobei Strukturelemente (237) der retroreflektierenden Struktur (250) verkippt sind zu einer durch die Seitenwand (121, 122) vorgegebenen Normale (141),cund wobei die Strukturelemente (237) der retroreflektierenden Struktur (250) in Richtung der einfallenden Lichtstrahlung (150) verkippt ausgebildet sind.

    HALBLEITERLICHTQUELLE, BETRIEBSVERFAHREN UND SPEKTROMETER
    7.
    发明专利
    HALBLEITERLICHTQUELLE, BETRIEBSVERFAHREN UND SPEKTROMETER 未知

    公开(公告)号：DE102018118079A1

    公开(公告)日：2019-04-11

    申请号：DE102018118079

    申请日：2018-07-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： DIEZ CAROLA ,  KÖLPER CHRISTOPHER ,  KIPPES THOMAS ,  DIETZE DANIEL ,  BÖSCKE TIM ,  STERNECKER MELANIE

    IPC: H01L27/15 ,  F21V9/40 ,  G01J3/00 ,  H01L31/12 ,  H01L33/50

    Abstract: In einer Ausführungsform ist die Halbleiterlichtquelle (1) für ein Spektrometer (10) vorgesehen und umfasst einen Multipixelchip (2) mit mehreren unabhängig voneinander ansteuerbaren Emissionsbereichen (20). Ein Farbeinstellmittel (31, 32) ist den Emissionsbereichen (20) optisch nachgeordnet oder ist in den Emissionsbereichen (20) integriert und ist zu einer Veränderung eines spektralen Abstrahlverhaltens der zugeordneten Emissionsbereiche (20) eingerichtet. Eine Ansteuereinheit (4) ist dazu eingerichtet, die Emissionsbereiche (20) nacheinander zu betreiben, sodass von den Emissionsbereichen (20) zusammen mit dem zugehörigen Farbeinstellmittel (31, 32) im Betrieb nacheinander viele spektral schmalbandige Einzelspektren (E) emittiert werden, aus denen ein von der Halbleiterlichtquelle (1) emittiertes Gesamtspektrum (G) zusammengesetzt ist.

    Optoelektronisches Bauelement
    8.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102013207460A1

    公开(公告)日：2014-10-30

    申请号：DE102013207460

    申请日：2013-04-24

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KÖLPER CHRISTOPHER ,  DIEZ CAROLA

    IPC: H01L33/50 ,  H01L33/52

    Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip, ein über dem optoelektronischen Halbleiterchip angeordnetes Konverterelement, das dazu ausgebildet ist, eine Wellenlänge eines von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierten Lichts zu konvertieren, und ein über dem Konverterelement angeordnetes lichtstreuendes Element, das eingebettete lichtstreuende Partikel aufweist. Die lichtstreuenden Partikel weisen eine Größenverteilung mit einer Halbwertbreite von weniger als 100 nm auf.

Patent Agency Ranking