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    LED-HALBLEITERKÖRPER UND VERWENDUNG EINES LED-HALBLEITERKÖRPERS
    31.
    发明申请
    LED-HALBLEITERKÖRPER UND VERWENDUNG EINES LED-HALBLEITERKÖRPERS 审中-公开
    LED半导体主体和LED半导体主体的用途

    公开(公告)号：WO2008040274A1

    公开(公告)日：2008-04-10

    申请号：PCT/DE2007/001536

    申请日：2007-08-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WINDISCH, Reiner ,  WIRTH, Ralph

    Inventor： WINDISCH, Reiner ,  WIRTH, Ralph

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0083 ,  H01L2924/00

    Abstract: Die Erfindung beschreibt einen LED-Halbleiterkörper (1) mit mindestens einer ersten strahlungserzeugenden aktiven Schicht (31) und mindestens einer zweiten strahlungserzeugenden aktiven Schicht (32), wobei der LED-Halbleiterkörper (1) einen photonischen Kristall (6) aufweist. Ferner beschreibt die Erfindung die Verwendung eines derartigen LED-Halbleiterkörpers (1).

    Abstract translation: 本发明描述了一种具有至少一个LED半导体主体（1）的第一辐射产生活性层（31）和至少一个第二辐射产生活性层（32），其中，所述LED半导体主体（1）的光子晶体（6）。 此外，本发明描述了使用这样的LED半导体主体（1）的。

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
    32.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
    光电子半导体芯片

    公开(公告)号：WO2007036198A2

    公开(公告)日：2007-04-05

    申请号：PCT/DE2006/001616

    申请日：2006-09-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  PLÖSSL, Andreas ,  WIRTH, Ralph

    Inventor： PLÖSSL, Andreas ,  WIRTH, Ralph

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/10 ,  H01L33/42

    CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/10 ,  H01L33/42 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip offenbart, der im Betrieb elektromagnetische Strahlung von seiner Vorderseite (7) emittiert, mit: - einer Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich (4), der geeignet ist, die elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, und - einem an der Halbleiterschichtenfolge angeordneten separat gefertigten TCO-Stützsubstrat (10), das ein Material aus der Gruppe der transparenten leitenden Oxide (TCO) aufweist und die Halbleiterschichtenfolge (1) mechanisch stützt.

    Abstract translation:

    据的光电子半导体芯片中公开了从正面侧在操作期间电磁辐射（7），其包括发射： - 具有有源区的半导体层序列（1）（4），其适于将电磁 以产生辐射;以及 - 布置在单独制造的TCO-圣导航用途tzsubstrat（10）的半导体层序列并具有选自透明导电氧化物的（TCO），该半导体层序列（1）机械地第一导航用途TZT

    LUMINESZENZDIODE MIT EINER REFLEXIONSMINDERNDEN SCHICHTENFOLGE
    33.
    发明申请
    LUMINESZENZDIODE MIT EINER REFLEXIONSMINDERNDEN SCHICHTENFOLGE 审中-公开
    发光二极管用反射减少层SEQUENCE

    公开(公告)号：WO2006012818A2

    公开(公告)日：2006-02-09

    申请号：PCT/DE2005/001065

    申请日：2005-06-15

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  PIETZONKA, Ines ,  SCHMID, Wolfgang ,  WIRTH, Ralph

    Inventor： PIETZONKA, Ines ,  SCHMID, Wolfgang ,  WIRTH, Ralph

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/105 ,  H01L33/465

    Abstract: Bei einer Lumineszenzdiode (1) mit einer aktiven Zone (7), die elektromagnetische Strahlung in eine Hauptstrahlrichtung (15) emittiert, wobei der aktiven Zone (7) in der Hauptstrahlrichtung (15) eine reflexionsmindernde Schichtenfolge (16) nachgeordnet ist, enthält die reflexionsmindernde Schichtenfolge einen aus mindestens einem Schichtpaar (11, 12) gebildeten DBR-Spiegel (13), eine dem DBR-Spiegel (13) in der Hauptstrahlrichtung (15) nachfolgende Vergütungsschicht (9) und eine zwischen dem DBR-Spiegel (13) und der Vergütungsschicht (9) angeordnete Zwischenschicht (14).

    Abstract translation: 在发光二极管（1）与活性区（7）中，在主辐射方向上的电磁辐射（15）被发射，其中，所述有源区（7）具有反射抑制层序列（16）中的主光束方向（15）的下游布置，包含防反射 层序列的至少一对层（11，12）形成的DBR镜（13），在主波束方向的DBR反射镜（13）（15）随后的补偿层（9）和所述DBR反射镜（13）和所述间 补偿层（9）布置中间层（14）。

    OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG UND LIDAR-SYSTEM
    35.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG UND LIDAR-SYSTEM 审中-公开

    公开(公告)号：WO2020193290A1

    公开(公告)日：2020-10-01

    申请号：PCT/EP2020/057309

    申请日：2020-03-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HALBRITTER, Hubert ,  WIRTH, Ralph ,  BRICK, Peter

    IPC: G01S7/481 ,  G01S17/931

    Abstract: Eine optoelektronische Vorrichtung, insbesondere zur Detektion von Hindernissen und/oder zur Entfernungsmessung, umfasst: eine Sendeeinrichtung (21) zum Aussenden von Laserstrahlen, wobei die Sendeeinrichtung (21) ein Feld (23) von Pixeln (25) aufweist, wobei jeder Pixel (25) des Pixelfelds (23) zumindest einen Laser, insbesondere einen optoelektronischen Laser, wie etwa einen VCSEL, aufweist, wobei die Pixel (25) des Pixelfelds (23) in mehrere Sätze von Pixeln unterteilt sind, und wobei die Sendeeinrichtung (21) dazu ausgebildet ist, die Sätze von Pixeln in unterschiedlichen, aufeinanderfolgenden Zeitintervallen zu betreiben.

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
    37.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
    光电半导体器件

    公开(公告)号：WO2015189281A1

    公开(公告)日：2015-12-17

    申请号：PCT/EP2015/062959

    申请日：2015-06-10

    Applicant: OSRAM GMBH ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LANGE, Stefan ,  STÖPPELKAMP, Vera ,  JERMANN, Frank ,  BIEBERSDORF, Andreas ,  WIRTH, Ralph

    IPC: H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/504 ,  H01L33/04 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L33/52 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) zur Erzeugung einer Primärstrahlung. Mindestens ein Leuchtstoff (3) zur teilweisen oder vollständigen Umwandlung der Primärstrahlung in eine langwelligere Sekundärstrahlung, die im sichtbaren Spektralbereich liegt, ist dem Halbleiterchip (2) nachgeordnet. Weiterhin weist das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Filterstoff (4) zur teilweisen Absorption der Sekundärstrahlung auf. Der Leuchtstoff (3) und der Filterstoff (4) sind dabei innig mit dem Halbleiterchip (2) verbunden.

    Abstract translation: 在至少一个实施例中，光电子半导体器件（1）包括用于产生初级辐射的光电子半导体芯片（2）。 至少一种发光材料（3）的初级辐射的部分或完全转化成在可见光谱区中更长的波长的次级辐射，是在半导体芯片（2）的下游。 此外，光电子半导体器件（1）到滤布（4）的二次辐射的部分吸收。 荧光体（3）和滤布（4）紧密地连接到半导体芯片（2）。

    BELEUCHTUNGSMODUL
    38.
    发明申请
    BELEUCHTUNGSMODUL 审中-公开
    照明模块

    公开(公告)号：WO2012038235A1

    公开(公告)日：2012-03-29

    申请号：PCT/EP2011/065127

    申请日：2011-09-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BERGENEK, Krister ,  WIRTH, Ralph ,  SABATHIL, Matthias

    Inventor： BERGENEK, Krister ,  WIRTH, Ralph ,  SABATHIL, Matthias

    IPC: H01L33/50 ,  H01L25/075 ,  H05B33/08

    CPC classification number: H05B33/0866 ,  F21Y2113/10 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/50 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein Beleuchtungsmodul angegeben, das ein erstes Licht emittierendes Halbleiterbauelement (1), das im Betrieb rotes Licht (901) abstrahlt, ein zweites Licht emittierendes Halbleiterbauelement (2), das im Betrieb grünes Licht (902) abstrahlt, und ein drittes Licht emittierendes Halbleiterbauelement (3), das im Betrieb blaues oder kaltweißes Licht (903) abstrahlt, aufweist, wobei das zweite Halbleiterbauelement (2) einen blau emittierenden zweiten Halbleiterchip und ein zweites Wellenlängenkonversionselement aufweist, das einen Anteil von größer oder gleich 90% des vom zweiten Halbleiterchip emittierten blauen Lichts in das grüne Licht (902) umwandelt, und wobei eine Überlagerung des vom ersten, zweiten und dritten Halbleiterbauelement (1, 2, 3) jeweils abgestrahlten Lichts (901, 902, 903) warmweißes Licht (904) ergibt.

    Abstract translation: 它是指定的照明模块，第一发光半导体组件（1），操作（901）期间，红光发射第二发光半导体元件（2），在操作期间的绿色光（902）发射，并且一个第三发光 的半导体器件（3），蓝色或在操作冷白光（903）发射，所述第二半导体器件（2）具有一个发射蓝光的第二半导体芯片和包括所述第二半导体芯片的大于或等于90％的比例的第二波长转换元件 转换中的绿色光（902）所发出的蓝色光，并且其中（1，2，3）中得到的第一，第二和第三半导体器件的叠加每个发射光（901，902，903）的暖白光（904）。

    OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG
    39.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG 审中-公开
    亚光电子设备

    公开(公告)号：WO2011121046A1

    公开(公告)日：2011-10-06

    申请号：PCT/EP2011/054960

    申请日：2011-03-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WIRTH, Ralph ,  VARGA, Horst

    Inventor： WIRTH, Ralph ,  VARGA, Horst

    IPC: H05B33/08

    CPC classification number: H05B37/02 ,  H05B33/0872

    Abstract: Eine optoelektronische Vorrichtung zur Abstrahlung von Mischlicht umfasst: - eine erste Halbleiterlichtquelle (1) mit einer ersten Licht emittierenden Diode (11), die im Betrieb Licht in einem ersten Wellenlängenbereich mit einer ersten Intensität abstrahlt, wobei der erste Wellenlängenbereich und/oder die erste Intensität eine erste Temperaturabhngigkeit aufweist, - eine zweite Halbleiterlichtquelle (2) mit einer zweiten Licht emittierenden Diode (21, 22), die im Betrieb Licht in einem zweiten Wellenlängenbereich mit einer zweiten Intensität abstrahlt, wobei der erste und der zweite Wellenlängenbereich voneinander verschieden sind und wobei der zweite Wellenlängenbereich und/oder die zweite Intensität eine zweite Temperaturabhängigkeit aufweist, die verschieden von der ersten Temperaturabhängigkeit ist, - eine dritte Halbleiterlichtquelle (3) mit einer dritten Licht emittierende Diode (31), die im Betrieb Licht in einem dritten Wellenlängenbereich mit einer dritten Intensität abstrahlt, - ein Widerstandselement (4) mit einem temperaturabhängigen elektrischen Widerstand, und - ein Halbleiterlichtquellensteuerelement (9) zur Intensitätssteuerung der dritten Halbleiterlichtquelle (3), - wobei in einer Parallelschaltung geschaltet sind: eine erste Serienschaltung mit dem Widerstandselement (4) und der ersten Halbleiterlichtquelle (1) in einem ersten Zweig (101) der Parallelschaltung, die zweite Halbleiterlichtquelle (2) in einem zweiten Zweig (102) der Parallelschaltung und eine zweite Serienschaltung mit der dritten Halbleiterlichtquelle (3) und dem Halbleiterlichtquellensteuerelement (9) in einem dritten Zweig (103) der Parallelschaltung.

    Abstract translation: 用于发射的混合光的光电装置包括： - 第一半导体光源（1）与辐射在第一波长范围内的第一强度的操作的光的第一发光二极管（11），所述第一波长范围和/或所述第一强度 具有第一Temperaturabhngigkeit， - 第二半导体光源（2）与第二发光二极管（21,22），其在操作的第二强度发射光中的第二波长范围，其中，所述第一和第二波长范围是彼此不同的，并且其中 所述第二波长范围和/或第二强度包括第二温度依赖性即从第一温度依赖性不同， - 第三半导体光源（3）发射的第三发光二极管（31），其在操作中，具有一第三光在第三波长区 强化 TY发射， - 一个电阻元件（4）具有随温度变化的电阻，以及 - 一个半导体光源控制（9），用于所述第三半导体光源的强度控制（3）， - 连接在一个并联电路：第一串联电路与电阻器元件（4）和所述 在该并联电路的第二支路（102）和与所述第三半导体光源的第二串联电路中的并联电路的第一支路（101）中第一半导体光源（1），第二半导体光源（2）（3）和所述半导体光源控制元件（9）在第三 并联连接的分支（103）。

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